磁存储材料的未来发展

从未来微型计算机对磁存储器应具有超高存储密度的要求出发，讨论了磁存储材料的未来发展．并指出，最有希望的材料是沿用传统模式纵向记录的薄膜磁介质和新型的磁光存储薄膜．对于如何实现此超高密度的磁和磁光存储，文章还讨论了各自需要解决的问题及相关的信息存储和读出技术．     

非晶态磁性材料的优异特性

非晶态磁性材料(磁性玻璃),这个名词人们还是生疏的.因为人们经常使用的磁性材料虽然种类很多,可是微观结构都属于结晶态.其原子排列长程有序,具有一定的晶格结构及相应的对称性. 然而,能否将材料制备成原子“混乱”排列、不具有长程有序的结构呢?随着研究工作的深入,近年来“玻璃半导体”,“玻璃超导体”,“金属玻璃”等纷纷出现,磁性玻璃也是其中之一,这些材料都以优异的特性而具有魅力. 例如,含铬的非晶态金属材料,具有非凡的抗腐蚀能力.图1即为非晶态Fe70Cr10P13C7,合金与不锈钢置于同样的腐蚀条件下,腐蚀速度的对比. 非晶态合金还具…     

光盘存储材料非晶GdTbFe膜的性能

用偏压磁控溅射所制备得的非晶钆铽铁膜具有适用于磁光存储的材料参数。垂直膜面磁各向异性能常数随着偏压的增加而增加,借助于Johnson-Mehl-Avrami方程和Kissinger方程的计算,报道了非晶Gd₂₇Tb₁₀Fe₆₃膜的晶化动力学参数,激活能△E=2.0电子伏,转变指数n=1。上述成份的GdTbFe膜的晶化温度、激活能都要高于二元系统的GdCo,GdFe膜,等温退火的结果表明,GdTbFe膜具有磁光存储应用所必须要求的较好的热稳定性。 关键词：     

The effect of Pd doped in Ru layer on theinterlayer coupling in Co／RuPd multilayers

2.0nmCo/tnmRu层间反磁铁耦合 磁性录音 振动交换 添加效应2.0nmCo/tnmRu1-xPdx multilayers with x=0, 0.05, 0.08, 0.24, 0.39 and 0.48 were prepared by magnetron sput-tering. The spacer layer thickness of both Ru (before doping Pd) and RuPd (after doping Pd) varies from 0.2nm to 1.6nm. Two effects have been investigated: (1) the dependence of the interlayer coupling on the thickness of Ru1-xPdx as a function of x and (2) the dependence of the interlayer coupling on Pd doping density, x, as a function of thickness of Ru1-xPdx. Our results indicate that the interlayer coupling is strongly dependent on the doping density and the spacer layer thickness. The saturation field Hs increases when very low concentration of Pd doped in the Ru layers and a suitable spacer thickness are adopted.     

INVESTIGATION OF THE STRUCTURAL PHASE TRANSITION OF MnBi AND MnBiAl FILMS

Structural phase transition of MnBi and MnBiAl films has been investigated in the tem-perature range of 30-400℃. The transition from low-temperature phase to high-temperature phase occurs in both the films, but the phase transitions appear at different temperatures. According to the measurement of Kerr rotation as a function of thermal annealing and the phase transition process, it is shown that the transition is irreversible for MnBi film and reversible for MnBiAl film under our experimental condition. For this reason, we speculate that the aluminum added in MnBi makes the bonding force of Mn atoms with their neighbors stronger, which may be the cause for the difference of the phase transition between MnBi and MnBiAl films.     

Pt974Mn26/Co多层膜的磁性与磁光性质研究

用磁控溅射法制备了Mn含量一定、不同PtMn层厚度的Pt974Mn26/Co磁性多层膜系列，通过x射线衍射对该多层膜系列进行结构分析；测定了不同PtMn层厚度系列样品的磁滞回线、有效垂直各向异性，分析了饱和磁化强度和有效垂直各向异性变化的原因；通过测定该多层膜体系的克尔谱，分析了一定波长下克尔角随PtMn层厚度变化的规律.认为克尔角的变化是由于界面的合金化以及原子的极化减小所致. 关键词： 多层膜 磁性 磁光     

Fe/Cr磁性多层膜的制备及其磁电阻测定

利用磁控溅射制备了不同非磁性层厚度的Fe/Cr多层磁性薄膜系统,利用四探针法测定了该多层膜系统在不同磁场下磁电阻效应,用饱和场法给予佐证,溅射制备的多层膜系统饱和场明显地随Cr层厚度增加而衰减振荡,得出了Fe/Cr多层膜的铁磁反铁磁耦合的交换耦合强度随非磁性层厚度变化的物理规律.     

非磁性材料磁电阻效应的研究进展

探讨了非磁性材料与磁性材料磁电阻效应的异同，分析了几种有代表性的非磁性材料的巨大磁电阻效应，概述了目前非磁材料磁电阻效应的研究和应用状况。     

Pd/Fe和PdFe/Fe多层膜中的振荡行为

采用磁控溅射法制备了Pd/Fe和Pd_1-xFe_x/Fe多层膜.利用变换梯度磁强计测量了样品的M_s.发现层间耦合是铁磁性的,M_s具有长程振荡,周期为4ML.振荡的相位和周期在Pd_0.966Fe_0.034/Fe和Fd_0.944Fe_0.056/Fe系统中保持不变.就Pd/Fe多层膜中是否存在内层的Pd负极化和长程的铁磁耦合振荡进行了讨论,并分析了不同计算结果以及理论计算与实验结果之间存在差异的原因. 关键词：     

PtMn/Co多层膜的磁光特性研究

采用磁控溅射法制备了一系列的Mn掺杂的PtMn/Co多层膜.通过测量得到的磁光常数和光学常 数,计算介电张量的对角元和非对角元,得到在掺杂较大时,克尔角的变化是由于介电张量 的非对角元引起的;在掺杂量较小时,克尔角的变化是由介电张量的对角元和非对角元以及 光学常数的变化引起的.