空蚀坑周围彩虹区的形成机理

经过1 min的超声振动空蚀试验后,在不锈钢试样表面形成的空蚀坑周围出现环形彩虹区.表面检测结果表明,该区域经历了高于300℃的高温加热过程.数值计算结果表明在空泡溃灭形成的微射流的高速冲击下,试样表面材料在短时间内发生的塑性变形所释放出的能量是造成材料局部升温的主要原因.在塑性变形相同的情况下,材料的导热系数是影响彩虹环区域大小的关键因素.     

193-nm光刻中的光致抗蚀剂

当今世界处于信息时代,电子信息产业日新月异地飞速发展着,计算机的影响已遍及每一个经济领域和人们生活的每一个方面.微电子技术作为新技术革命的主角,已成为衡量一个国家经济实力和科技进步的重要标志^[1,2].微电子技术的不断发展得益于半导体与集成技术的不断提高,光刻技术和光致抗蚀剂是微电子技术中的核心技术和关键材料.     

一种自交联聚合物的合成及其在水显影化学增幅型负性抗蚀剂中的应用

本文引入单体MAGME合成了具有自交联作用的MAGME、苯乙烯和N(4 羟基苯基)马来酰亚胺的共聚物,并以该聚合物为基体树脂,研制了一种新型的水显影化学增幅型负性抗蚀剂,并初步研究了其光刻工艺条件.     

位错对BBO晶体光学均匀性的影响

本文报道了BBO晶体中位错密度对光学均匀性的影响.样品的光学均匀性是利用Wyko RTI 4100型干涉仪进行测量.采用侵蚀法观测BBO晶体{001}面的位错密度,在一定的侵蚀条件下,观察到BBO晶体{001}面上的位错露头为突起的正三方锥形,底边与X轴平行.在显微镜下测量出样品的蚀坑密度.实验证明,随着位错密度的增加BBO晶体的光学均匀性逐渐变差.     

一种新型酞菁类光蚀刻记录材料的光生酸性质研究

通过研究对甲苯磺酸酯空心酞菁的性质,发现该化合物在紫外光照射下可生酸,是一种光生酸剂.由于酞菁类化合物本身具有光催化氧化反应的性能,因此这类光生酸剂在光蚀刻技术中将有很好的应用潜能.     

7075铝合金在电解液薄层下的电位波动

在3.5%NaCl电解液膜下,7075铝合金自腐蚀电位随浸泡时间的波动呈如下变化:浸泡初期,自腐蚀电位E波动的幅度极小,继续浸泡至4h后E急剧增大到20mV,而浸泡6h后的波动幅度与腐蚀初期相近,但出现了正向尖峰,至12h后的波动幅度又与4h的相当.实验发现自腐蚀电位的均方差随腐蚀时间呈先负移而后正移的趋势,4h时出现极小值.而电位功率谱密度线性部分的斜率(k),则在4h时呈现较小值,6h时出现最大值.由此推断7075铝合金在薄电解液膜下浸泡6h后其表面产生了稳定的蚀点.     

偏苯三酸酐-环氧丙烷丁基醚合成超支化碱溶性聚酯

通过1,2,4-偏苯三甲酸酐(TA)和环氧丙烷丁基醚(BGE)合成超支化碱溶性聚酯,利用合成聚合物分子外围的羧基与烯丙基缩水甘油醚(AGE)反应,在超支化聚合物分子外围引入反应性烯丙基醚.研究了树脂组成对感光性和碱溶性的影响;结果表明:调整反应物料配比,可以获得较好的碱溶性和光固化性能,其树脂的反差γ可达到3.92.     

酚醛-重氮萘醌正性抗蚀剂溶解抑制机理

本文综述了酚醛 重氮萘醌正性抗蚀剂的溶解抑制机理,主要包括(1)分子间氢键作用机理;(2)偶联反应机理;(3)两步即静态、动态溶解抑制机理;(4)表面沉积溶解抑制机理;(5)酚醛树脂的分子溶解及相关的抑制机理.     

Fe基合金钝化膜点蚀敏感性的电化学研究

应用电位扫描、交流阻抗、电化学噪声等方法研究Fe及其合金在中性水溶液中钝化膜的形成过程、电子性质和点蚀敏感性以及不同微组织结构间的相互作用.结果表明:由Mott-Schot tky关系式确定钝化膜的电子性质仅限于较窄的低电位范围;在较高电位下,电容倒数与电位的线性关系当归因于钝化膜厚度的变化;反映钝化膜缺陷的电子性质与合金的点蚀敏感性有关,钝化膜电子供给体浓度越高,点蚀倾向越强。钝化膜的电子性质受钝化膜形成电位、钝化剂种类以及合金的微组织结构影响;不同微组织结构之间存在相互作用,这种相互作用能够诱导缺陷较大的一方发生点蚀。铁素体与珠光体和/或马素体相互作用时,点蚀在铁素体形成和发展.     

不同阳极电位下铝青铜的电化学阻抗谱研究

应用电化学阻抗谱(EIS)方法研究了铝青铜的腐蚀溶解机制.结果表明,在活性溶解区,铝青铜以氯化络合物的形式溶解,并且CuCl2的扩散是该溶解过程的控制步骤;而在过渡区,铝青铜的EIS谱出现第2个容抗弧,这是由于CuCl络合物和氧化腐蚀产物在电极表面沉积成膜所致;在极限电流区,腐蚀产物膜产生破损点,导致电极表面快速溶解,产生严重的点蚀,这就是在该区域极化电位下EIS出现感抗弧的原因.