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31.
采用预制体和挤压铸造结合法制备以AZ91D-Cex镁合金为基体,Al2O3短纤维和石墨颗粒混杂增强复合材料,分析不同稀土含量下复合材料的显微组织并测量其硬度,同时考察载荷对复合材料磨损性能的影响.结果表明:复合材料中石墨和Al2O3短纤维分布均匀,与基体结合紧密,稀土Ce沿石墨和Al2O3短纤维的边界富集,其结构为Al3Ce相;复合材料的硬度随稀土含量增加而提高,其中含1.0?合金复合材料的硬度最高;复合材料的磨损率随着稀土含量增加而降低,在20N时3种复合材料的磨损率差别不大,在180N时,含1.0Ce合金的耐磨性最佳.这是由于石墨作为润滑相对摩擦表面起到润滑作用,同时稀土强化相Al3Ce的热稳定性较好,在高载荷时具有较好承载能力,延迟了磨损表面由轻微磨损向剥层磨损的转变.在低载荷时复合材料的磨损机制为磨粒磨损和氧化磨损,在高载荷时为剥层磨损.  相似文献   
32.
聚合物时温等效模型有限元应用研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
为更好地描述聚合物材料力学性能的温度相关性问题,对目前广泛应用的WLF模型进行改进研究,并引入“零时间”因子提高了粘弹性材料变温松弛模量的获取精度.在此基础上基于ABAQUS用户材料子程序UTRS将时温等效模型应用到数值计算中.根据不同温度水平下的应力松弛实验获得模型参数,并通过等速拉伸实验与数值结果的对比验证了该模型及其有限元方法的可行性及正确性.结果表明:引入“零时间”因子的变温松弛模量精度更高;改进WLF模型对复合推进剂具有更好的适用性和更高的精确度.  相似文献   
33.
MST1是死亡受体信号通路Hippo通路的核心成员,其基因表达异常多见于结直肠癌、肝癌、胃癌等肿瘤。为了探讨MST1表达对人结直肠癌SW480细胞增殖与凋亡的影响及其发生机制,采用PolyJet TM介导pEGFP-N1-Mst1及LipofectamineTM2000介导Mst1特异性-siRNA转染至SW480细胞,分别建立高低表达Mst1的细胞模型。对不同分组的细胞增殖、凋亡及凋亡相关蛋白的表达进行检测。结果显示,Mst1高表达组细胞增殖抑制、凋亡率及凋亡相关蛋白的表达显著增高,反之,Mst1低表达组细胞增殖加快,细胞凋亡率及凋亡相关蛋白的表达显著降低。结果提示,Mst1的靶向调控能较好地控制结直肠癌细胞的增殖与凋亡,可作为人结直肠癌防治的新研究靶点。 更多还原  相似文献   
34.
在高温高压条件下,用hBN-LiH和hBN-Li3N-B为初始材料均可以合成出黑色cBN晶体。拉曼光谱测试结果表明,cBN晶体颜色变黑的原因是晶体中多余B原子的存在造成的。在hBN-Li3N-B体系中,晶体内部有明显的三角形阴影形成,表明从晶体表面的中心到顶角间B原子的含量较多,从表面中心到棱边B原子的含量逐渐减少。而在hBN-LiH体系中所得到的晶体颜色从黑色透明直接变成黑色不透明状态,晶体内部没有出现三角形阴影,表明晶体中作为杂质的B原子分布比较均匀。此两种情况说明,B作为杂质原子进入cBN晶体中可以有两种分布情况,一是居中对称分布,二是均匀分布,从晶体的生长环境和自身的排杂能力方面分析了晶体为什么会出现上述现象。  相似文献   
35.
A resonant cavity-enhanced (RCE) quantum dot (QD) field-effect transistor (RCEQDFET) is designed for single- photon detection in this paper. Adding distributed Bragg reflection (DBR) mirrors to the single-photon detector (SPD), we improve the light absorption efficiency of the SPD. The effects of the reflectivity of the mirrors, the thickness and light absorption coefficient of the absorbing layer on the detector's light absorption efficiency are investigated, and the resonant cavity is determined by using the air/semiconductor interface as the mirror on the top. Through analyzing the relationship between the refractive index of AlxGal_xAs and A1 component, we choose A1As/Alo.15Gao.85As as the material of the mirror on the bottom. The pairs of A1As/Alo.15Gao.85As film are further determined to be 21 by calculating the reflectivity of the mirror. The detector is fabricated from semiconductor heterostructures grown by molecular beam epitaxy. The reflection spectrum, photoluminescence (PL) spectrum, photocurrent response, and channel current of the detector are tested and the results show that the RCEQDFET-SPD designed in this paper has better performances in photonic response and wavelength selection.  相似文献   
36.
以葡聚糖凝胶作为固相基质,结合流动注射技术发展了一种新型的液滴荧光法用于药物中双组分的快速检测.填充葡聚糖CMC-25微珠的离子交换柱用于维生素B6和氧氟沙星的快速分离,基于二者均发射较强的内源荧光,采用液滴荧光法,结合固体基质流动注射分析法,对双组分药物.维生素B6和氧氟沙星进行快速检测.在优化的实验条件下,维生素B6和氧氟沙星分别在5.84×10-8~1.93×10-6 mol/L和5.00×10-9~1.00×10-7 mol/L范围内,体系的荧光强度与浓度具有良好的线性关系,相关系数分别为0.9994和0.9951,检出限分剐为3.60×10-8 mol/L和1.74×10-9 mol/L.该方法具有较高灵敏度与选择性以及较好的精密度和重复性.将所建立的方法用于药片中维生素B6和氧氟沙星的测定,回收率在9r7%~104%,相对标准偏差小于2%.  相似文献   
37.
1 只改变抛物线y=2x~2-4x+1的开口方向,可得抛物线 (A) y=-2x~2-4x+1. (B) y=-2x~2+4x+1. (C) y=-2x~2+4x-1. (D) y=-2x~2+4x-3. 2 过原点,在对称轴右侧上升的抛物线  相似文献   
38.
结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了有源层p掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3 dB带宽,发现p掺杂结构可以大大提高频率特性.结合VCSEL激射条件和阈值特性,分析了对VCSEL结构的要求;分析了分布参数对频率特性的影响,对其外部封装提出了要求.设计了高频率响应的含氧化限制层的1.3 μm量子点VCSEL结构. 关键词: 量子点 垂直腔面发射激光器 微分增益 3 dB带宽  相似文献   
39.
建立了沉积物中多氯联苯和有机氯农药等39种持久性有机污染物的同时测定方法。样品用正己烷和丙酮(体积比为1∶1)进行微波提取,提取溶液经凝胶色谱和弗罗里硅土净化,浓缩后采用气相色谱法测定。回收率在68.8%~84.2%,检出限为0.05~0.25ng/g。方法适用于沉积物样品中多种多氯联苯和有机氯农药含量的同时测定。  相似文献   
40.
In this paper, we present the design, fabrication, and measurement of an evanescently coupled waveguide photode- tector operating at 1.55 gm, which mainly comprises a diluted waveguide, a single-mode rib waveguide and a p-i-n photodiode with an extended optical matching layer. The optical characteristics of this structure are studied by using a three-dimensional finite-difference time-domain (3D FDTD) method. The photodetector exhibits a high 3-dB bandwidth of more than 35 GHz and a responsivity of 0.291 A/W at 1550 nm directly coupled with a cleaved fiber. Moreover, a linear response of more than 72-mW optical power is achieved, where a photocurrent of more than 21 mA is obtained at a reverse bias voltage of 3 V.  相似文献   
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