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31.
32.
新型超导体MgB_2的热电势和电阻率研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
测量了MgB-2的热电势和电阻率与温度的依赖关系.在100K—300K区间,热电势呈近似线性温度依赖关系,其斜率为正,表明载流子为空穴型且与能带贡献的图像相一致.与此对应,在此温区电阻率呈T2依赖关系.在100K以下,热电势和电阻率各自转变了其高温区的温度依赖关系.热电势在超导转变温度Te(零电阻36.6K)到100K间有一宽峰,具有声子曳引峰的特征,表明电子-声子相互作用很强.估算了一些重要的参数,如带米能EF、能带宽度等.  相似文献   
33.
测量了准一维有机超导体 (TMTSF) 2 ClO4 单晶a方向不同降温速率下的高精度温差电动势 (6— 2 80K) .高温下的温差电动势表现出线性行为 ,不能被正常的一维电子能带理论所解释 .在 2 4 0K左右观察到温差电动势斜率发生反常突变 .在 14 0K左右温差电动势向下逐渐偏离线性行为 ,这与 1D— 2D的维度渡越相关 .对阴离子有序—无序相变温度Ta(Ta=2 4K)附近的温差电动势结果与比热和电阻率的数据进行了比较 .对于极慢速降温的温差电动势 ,求导后可以看到相变的痕迹 .随着通过Ta 降温速率的增大 ,在Ta 之下的温差电动势数值出现了一个逐渐增大的整体抬高 .对此进行了讨论 .  相似文献   
34.
传统固相反应所合成的锶系钌铜氧化物,通常总伴有少量铁磁性SrRuO3杂相.采用氧(或空气)-水蒸气混合气氛下的新型固相反应,既能成功合成锶系钌铜氧化物的前驱物纯相Sr2GdRuO6(211相), 也能进一步在相对低的温度下成功合成锶系钌铜氧1222纯相化合物RuSr2(Gd,Ce)2Cu2O10 (Ru-1222),使其中SrRuO3杂相含量大大减少.详细讨论了新型固相反应下产物的形成及其机理,并涉及SrRuO3杂相的存在对RuSr2(Gd,Ce)2Cu2O10产物电学性质的影响.结果表明,水蒸气的作用能抑制前驱物合成中SrRuO3杂相的形成,进而控制反应产物Ru-1222相中SrRuO3杂相的存在,而后者又有利于Ru-1222相超导电性的获得.  相似文献   
35.
测量了Sm2-xCexCuO4(000≤x≤021)多晶样品的热电势S和电阻率ρ的温度依赖关系.在缘绝体—金属转变边界处,观测到热电势从绝缘体区明显的弱温度依赖关系到金属区线性温度依赖关系的转变.当Ce的含量由009增加到021时,高温下S的斜率发生由负到正的转变,这是能带的填充能级发生改变时电子型和空穴型载流子的贡献发生竞争的表现,由电子型向空穴型的过渡发生在x=017处.S和ρ在200K以下的斜率变化是载流子局域化造成的.x=006—021的样品在50K处观察到一个正的曳引峰.室温下的热电势S300K和S0(高温区热电势线性外推到0K的值)与Ce含量在绝缘体、欠掺杂和过掺杂区域有不同的依赖关系.过掺杂区域很小的S300K和S0意味着一个宽带的费米液体的贡献,同时ρ满足T2关系,二者相一致. 关键词: 电子型超导体 输运性质 热电势  相似文献   
36.
用SQRID直流磁强研究了La1.85Cr0.15Cu1-xFexO4-y(x=0.0,0.002,0.004和0.006)多晶样品在不同磁场下(H=0.01,0.03,0.05T)正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温的关系呈宽峰行为。随着Fe掺杂的增多,直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Curie-Wiss行为。与此同时,超导转变温度也由不掺Fe的31.0K增加到33.6K(x=0.  相似文献   
37.
YBa2Cu3O7—δ的掺F效应研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
  相似文献   
38.
本文采用熔融法成功地制备了La2-xBaxCuO4-y系列单晶,详细介绍了对单晶做的各项品质分析,样品的X衍射结果显示,该系列样品的晶体结构是典型的K2NiF4214T相结构,为四方相,且都无杂相峰,样品的单相性很好,样品的SEM结果显示,单晶的ab表面有少量缺陷,但表面大部分的品质还是很高的,样品的EDX组份分析实验结果显示,样品中有少量的Al进入,其含量估计大约为样品中Cu含量的2%。  相似文献   
39.
测量了La2-xBaxCuO4系列单晶样品的电阻率和热电势,我们发现,当=0.125(x=1/8)时,La2-xBaxCuO4的截流子是所有样品中局域化最强的,但数据分析结果显示,它又是弱域化行为,文中我们讨论了Tc的被压制的原因,得出这可能与低温下LTO到LTT的结构相变,空穴与自旋的静态条纹有序有关,热电势结果观察不到任何声子曳引的痕迹,表明在LBCO体系中电声子的相互作用很弱。  相似文献   
40.
研究了Nd1.85-x Smx Ce0.15CuO4单晶的热电势S、霍耳系数RH和电阻率.在CuO2平面以外的阳离子格点引入无序,其程度是通过改变Sm含量来控制的.霍耳系数RH的测量证明这种名义掺杂没有改变载流子的密度.热电势S(T)在120K以上可用掺杂的半经验模型来分析,表明有电子的窄能带和宽能带的共存.在这个模型中,无论是态密度的带宽和有效电导率的展宽都随着x的增加而增加,而局域化的趋势随Sm掺杂增加而几乎不变.Sm掺杂对超导转变温度TC的抑制作用很小,这意味着超导TC可能与载流子局域化和巡游电子的能带结构有关.  相似文献   
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