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掺铬硅酸镁晶体 ( Cr:Forsterite)锁模激光器发射的 1 .3μm激光在生物图像及非线性激光显微学上的应用前景已得到充分证明 ,因此促进了实用化掺铬硅酸镁锁模激光器的研究。最近国际上有报道 :将半导体可饱和布拉格反射镜 ( SBR)或可饱和吸收体镜 ( SESAM)应用于克尔棱镜锁模激光器 ,成功实现其自启动过程。这一技术大大推动了掺铬硅酸镁锁模激光器向全固化、小型化发展。本文报道了中国科学院上海光学精密机械研究所生长的优质 Cr:Forsterite晶体 ,运用半导体可饱和反射镜技术 ,在国内首次实现全固化自启动 1 .3μm波长自锁模激光运转… 相似文献
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采用冷坩埚法制备α-Al2O3多晶料,研究了引燃剂的形态、坩埚下降的速率、加料速率等工艺参数变化对所成形晶碇质量的影响。结果表明:采用的引燃剂为高纯铝片,坩埚下降速率为10 mm/h,采取加料速率为1 kg/min的最佳工艺条件,可制备出高致密度、高纯度的α-Al2O3多晶料。采用排水法测密度,用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-OES)对原料粉和多晶块料中Ca、Fe、Na、Mg、K、Ti、Si、Cr等元素进行测定。结果表明:多晶块料中白色可用部分Ca、Fe、Na、K、Ti、Si、Cr等元素明显降低,说明采用冷坩埚法制备的氧化铝多晶料对原料粉具有一定的提纯作用,并且测量其堆积密度为2.6~2.8 g/cm3。因此采用冷坩埚法制备的α-Al2O3多晶料符合目前生长大尺寸蓝宝石对原料的要求。 相似文献
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在半导体激光器高功率抽运的镱、钠共掺氟化钙(Yb, Na:CaF2)激光器中, 通过对晶体的负热透镜效应的数值模拟,进行激光器腔型的调节和优化,使得该激光器在采用2%的耦合输出镜和吸收抽运功率为7.8 W的条件下,获得了脉冲宽度为190 fs、平均输出功率为503 mW、中心波长为1034 nm、重复频率为82.4 MHz的连续锁模脉冲序列. 如果计算晶体表面反射等其他形式的泄漏输出,激光器的总平均输出功率为905 mW.
关键词:
Yb
2晶体')" href="#">Na:CaF2晶体
激光二极管抽运
飞秒激光 相似文献
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The Er-single-doped and Er/Ce-codoped La3Ga5SiO14 polycrystalline powders are synthesized by the solid-phase synthesis method. The room-temperature luminescence spectra of the samples are investigated. The Near-infrared-region spectroscopic properties of Er3+ ions in the La3Ga5SiO14 systems are analysed with Judd-Ofelt theory and rate equations. The effective deactivating effect of Ce3+ ions on Er3+ ions is confirmed. 相似文献
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Nd-doped PbWO4 crystals are grown by using the modified Bridgman method.The spectroscopic properties of the crystals are investigated.The changes of the absorption band at 350 nm are discussed for samples annealed at 740℃ and 1040℃.The radiative lifetime of the 4 F 3/2 level is calculated by using the Judd-Ofelt theory according to the absorption spectrum of 0.5 at.% Nd-doped PbWO 4 crystal.The spontaneous Raman scattering properties of the crystals are analysed. 相似文献
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采用石墨电阻加热的温梯法生长了V∶YAG晶体,晶体的不同部位呈现两种不同的颜色:浅绿色和黄褐色.通过对比分析不同颜色V∶YAG晶体的室温吸收光谱,推断出石墨发热体高温下扩散出来的C可以起到还原作用,提高晶体中Vt3e+tra离子的浓度,同时诱导了F心的形成.在1300℃下,对不同颜色的V∶YAG晶体进行真空退火处理,发现处于八面体格位中的V3+离子在热激发作用下与近邻的四面体格位Al3+离子存在置换反应,由此产生一定浓度的四面体格位V3+离子.同时,F心在退火过程中被完全消除,释放出来的自由电子被高价态的V离子俘获,可以进一步提高晶体中四面体格位V3+离子的浓度. 相似文献