Analysis of Λb→pK- and pπ- decays in a flavor changing Z' mode

In this paper, we calculate the branching ratios of Λ_b→pK^- and pπ^- decays in the avor changing Z' model. We nd that the branching ratios for these two decay modes are sensitive to the contributions of the Z' boson. For Λ_b→pK^- decay, if the left-handed couplings are equal to the right-handed couplings, the branching ratio of this decay could match up to the currently experimental data for ξ_s=0.01 and -52°<φ_s^L<132°, or ξ_s=0.004 and 0°<φ_s^L<84°; if only the left-handed couplings are considered, it could match up to the experimental data for ξ_s=0.01 and -10°φ_s^L<138°. And for Λ_b→pK^- decay, if the left-handed and right-handed couplings are equal, the branching ratio of Λ_b→pK^- decay may be consistent with the currently experimental data with ξ_d=0.05 and -135°φ_d^L<43°, if only the left-handed couplings are considered, it may be consistent with ξ_d=0.05 and -114°φ_d^L<8°.     

第一性原理对Si_nMg(n=1～12)团簇结构、稳定性与电子性质的研究

运用密度泛函理论(DFT)的杂化密度泛函B3LYP方法,在6-311G基组水平上对SinMg(n=1～12)团簇进行了构型优化、频率分析与电子性质计算.同时讨论了团簇的平均结合能、能级间隙、二阶能量差分、自然电子布居、极化率.研究结果表明:SinMg(n=1～12)团簇的基态绝大多数为立体结构.n=1时,体系的基态为自旋三重度,n≥2时,则为单重态.镁原子的掺入使得主团簇的电子性质发生了明显的变化,掺杂使体系的平均结合能降低,能隙减小,化学硬度减小,电子亲和能增大.电子总是从Mg原子向Si原子转移.团簇中原子之间的成键相互作用随n的增大而增强,团簇的电子结构随n的增大而趋于紧凑.     

Matlab软件在物理实验数据处理中的应用

运用Matlab软件的线性回归、曲线拟合和交互式绘图方法对霍尔效应实验的数据进行了处理.研究结果表明Matlab软件的数据分析和图形处理功能十分强大.不仅比传统手工画图方法更准确,而且还方便快捷,值得在物理实验教学中得到广泛推广.     

Superconducting properties of barium in three phases under high pressure from first principles

Electron-phonon coupling (EPC) in the three high-pressure phases of Ba is investigated using a pseudopotential plane-wave method based on density functional perturbation theory. The calculated values of superconducting critical temperature T c of Ba-I and Ba-II under pressure are consistent well with the trends observed experimentally. Moreover, Ba-V is found to be superconducting with a maximum T c exceeding 7.8 K at 45 GPa. With the increase of pressure, the values of T c increase in Ba I and Ba-II but the value of T c decreases in Ba-V. For Ba-I at pressures below 2 GPa, the increases of logarithmic average frequency ω log and electron-phonon coupling parameters λ both contribute to the enhancement of T c . For all the three phases at pressures above 2 GPa, T c is found to be primarily determined by λ . Further investigation reveals that for all the three phases, the change in λ with pressure can be explained mainly by change in the phonon frequency. Thus for Ba-II and Ba-V, although they exhibit completely different superconducting behaviors, their superconductivities have the same origin; the pressure dependence of T c is determined finally by the pressure dependence of phonon frequency.     

四能级原子系统中电磁感应吸收的相位控制

在以三个电偶极跃迁构成简并N型四能级系统中,利用密度矩阵方程计算了介质对探测场的吸收,研究了激光场拉比相位对吸收的影响.结果表明:介质对探测场的吸收和放大取决于控制场和信号场的拉比相位,且吸收和放大随控制场、信号场的拉比相位改变而作周期性变化,周期为2π;而探测场的拉比相位变化对吸收没有影响.同时,控制场、信号场拉比相位对吸收的影响是相同的,而且拉比相位主要影响原子相干,对原子布居影响不大.     

高压下金属Ba的结构稳定性以及热动力学的第一原理研究

采用第一原理方法计算了高压下金属Ba的三个高压相 Ba-I, Ba-Ⅱ和Ba-V的稳定性及热动力学性质.结果表明, Ba的三个高压相在0 K时在其压力范围内都是动力学和力学稳定的;但随压力增加, Ba-I 和Ba-Ⅱ 的声子谱频率出现异常"软化",而Ba-V则出现"硬化".虽然 Ba-Ⅱ 和 Ba-V 同为六方密堆(hcp)结构,计算表明它们在高压下表现出了不同的弹性各向异性.计算同时发现 Ba-Ⅱ 在更高的压力下仍满足力学稳定条件,但声子谱有虚频存在, 表明动力学失稳是Ba-Ⅱ在压力下向Ba-I!V相转变的原因. 计算和比较了同为六方密堆(hcp)结构的Ba-Ⅱ和Ba-V在高压下的声速、 德拜温度、体模量、剪切模量等力学和热学性质, 展现了金属Ba在压力下的稳定机制和热动力学性质.     

点电荷与介质球系统电势的计算和讨论

计算了点电荷与介质球系统的电势．指出点电荷与导体球、点电荷与无限大导体平面或介质分界平面均匀外电场中有导体球或介质球系统的电势都可由点电荷与介质球系统的电势给出。     

关于矢势边值关系n.(×A2-×A_1)=0的讨论

指出一些文献所给出的关于ｎ·（×Ａ２－×Ａ１）＝０可以写为其它形式的论证是不妥的     

原子分子在Ni(100)表面吸附的第一性原理研究

本文采用密度泛函理论,结合周期性平板模型,通过对原子H、N、O、S和C,分子CO、N2、NH3、NO,以及自由基CH3、CH、CH2、OH在Ni(100)表面吸附的研究,比较了它们的吸附能,稳定吸附位点,吸附结构及扩散能垒等信息.这些吸附质与表面结合能力从小到大依次是N2NH3COCH3NOHOHCH2CNSONCHC.在所有的原子中,O原子倾向于吸附在桥位,而其余的原子则倾向于吸附在空位.除N2之外的分子吸附物(CO、NO、NH3),最佳吸附位点均为四重空位,而N2的最稳定吸附位置为顶位.对于自由基吸附物(CH、CH2、CN、OH)而言,它们倾向于吸附在四重空位,而CH3则稳定吸附在桥位.     

绝缘体上全局应变硅晶圆的制备和表征

首先使用改良型Ge浓缩法制备了绝缘体上锗硅圆片,然后在超薄弛豫SiGe层上,利用超高真空化学气相沉积法外延了单晶硅薄膜,获得一系列不同厚度的6寸绝缘体上应变硅晶圆.结果表明应变硅薄膜完整、均匀、表面平整且晶体质量良好,获得样品中顶层硅最大应力值达2.22 GPa.应用临界厚度理论对样品厚度和应变值之间的关系进行了分析,发现本实验所得样品在超过临界厚度3倍之后会发生应变弛豫.