合成2,3,4,6-O-四苄基-α-D-葡萄糖三氯乙酰亚胺酯的工艺改进

以D-葡萄糖为起始原料,经甲基化、苄基保护和水解,再与三氯乙腈反应合成了2,3,4,6-O-四苄基-α-D-葡萄糖三氯乙酰亚胺酯,总收率44.2%,其结构经1H NMR和ESI-MS确证。     

玻璃珠表面修饰氨基的新型固相合成载体的制备

以玻璃珠为基质,通过NH3/H2O2/H2O处理,完成表面羟基化修饰;再采用氨丙基三乙氧基硅烷的甲苯溶液处理,完成硅烷氨基化修饰羟基制得表面功能基团为氨基的新型固相合成载体(1),其氨基含量为8.9×10-3mmol·g-1。1与连接分子4-[4-(羟甲基)苯氧基]-甲基苯甲酸经过氨基与羧基缩合反应制得带连接臂的固相载体;再与Fmoc保护的甘氨酸反应和脱保护,成功地键合甘氨酸,充分证明1作为新型载体的可行性。     

最大熵法分析寡聚核苷酸链内碰撞的荧光相关光谱

准确地由荧光相关光谱(FCS)的实验数据提取动力学信息一直是一个挑战. 本文对比了三种主要的方法: 依赖于模型的多指数函数法, 经验的拓展指数函数法和不依赖于模型的最大熵法. 多指数函数法的物理意义直接但在复杂体系中难以应用和解释. 拓展指数函数法简单易行但其物理意义含混不清. 最大熵法不依赖于具体的物理模型但拟合结果对实验噪音很敏感. 经研究我们发现一个好的选择是将最大熵法和多指数函数法结合在一起使用. 对寡聚核苷酸链内碰撞荧光相关光谱的研究发现, 在单链DNA中可以形成碱基对时, 有两个并行的链内碰撞反应. 以前的拓展指数函数法分析则不能提供这样的信息. 我们建议在荧光相关光谱研究中审慎地使用最大熵法.     

阴离子型β-环糊精衍生物的合成

以β-环糊精与对甲苯磺酰氯反应制得6-对甲苯磺酰基-β-环糊精酯(1); 1分别与牛磺酸和L-天冬氨酸反应合成了两个阴离子型β-环糊精衍生物单-6-牛磺酸-β-环糊精(2)和单-6-L-天冬氨酸-β-环糊精(3),总收率分别为56.1%和48.7%,其中化合物2未见文献报道,其结构经¹H NMR, ¹³C NMR和MS（ESI）表征。并对后处理过程进行了优化。     

孤子光脉冲的产生及其应用研究

利用非线性偏振旋转技术实现自起振被动锁模.在掺铒光纤环形腔激光器中产生了中心波长为1563.3 nm、重复频率为12.5 MHz、脉冲宽度为352.0 fs、3 dB光谱宽度为7.8 nm的孤子光脉冲.采用该孤子光脉冲作为抽运光源，经掺铒光纤放大器放大后，输入到101 m长的高非线性光子晶体光纤中，获得了20 dB带宽约为240 nm的超连续激光光谱.实验详细观测了光脉冲随抽运功率的变化及超连续激光光谱的形成过程，分析了其形成机理.研究表明：当抽运功率较低时，光谱加宽主要由高阶孤子的分裂引起；随着抽运功率的增加，高阶孤子分裂成基本孤子的数目逐渐增大，光谱进一步加宽；当抽运功率增加到受激拉曼散射的阈值时，受激拉曼散射成为光谱展宽的主要原因；抽运功率进一步增加时，受激拉曼散射、参量四波混频等非线性的共同作用将使光谱进一步加宽且变得光滑. 关键词： 孤子光纤激光器 超连续 光子晶体光纤     

膀胱癌病人尿液中的特征物质研究

采用顶空气相色谱/质谱联用法分析膀胱癌病人的尿液,寻找尿液中的挥发性特征物质,以期作为尿液检查诊断膀胱癌的一种方式。选取一组膀胱癌患者,对其尿液进行定性定量分析,并将分析结果与健康人尿液进行比较。进样口温度280℃,进样量100μL;起始柱温45℃,保留3min,以16℃/min的速率程序升温到280℃。结果表明:膀胱癌病人尿液中含有两种特征物质4-庚酮和二甲基硫醚。膀胱癌患者尿液中4-庚酮的浓度范围为0.14～1.32μL/L;二甲基硫醚的浓度范围为0.009～0.73μL/L。推测4-庚酮可能来源于增塑剂邻苯二甲酸二异辛酯(di(2-ethylhexyl)phthalate,DEHP)在人体内的降解;二甲基硫醚来源于含硫化合物在人体内的合成与降解。尿液中4-庚酮和二甲基硫醚的含量与膀胱癌具有相关性。     

巯基类荧光探针的研究进展

生物硫醇类物质,如半胱氨酸、高半胱氨酸、谷胱甘肽等,在生命体中有至关重要的生理和病理作用.因此,近几年对生物硫醇的研究成了一大热点.目前巯基类荧光探针的设计主要是基于巯基的强亲核性.根据荧光探针与巯基反应的不同的机理,综述了近几年关于检测硫醇的荧光探针的合成报道,从迈克尔加成、醛基的环化、裂解、取代和其他几个方面对探针的检测限、响应时间、当量比、选择性、稳定性等进行了综述.     

(+)-(1S,7aS)-1-羟基-7a-甲基-茚满-4-烯-5-酮的合成及其烷基化反应研究

以2-甲基-2-(3-丁酮)环戊烷-1,3-二酮为原料,经环合和还原反应合成了手性(+)-(1S,7aS)-1-羟基-7a-甲基-茚满-4-烯-5-酮(3);3在其羟基未进行保护情况下与不同芳香侧链进行α,β-不饱和酮的α-位烷基化反应,制备了5个3的衍生物,其结构经1H NMR确证。     

Effects of grinding-induced grain boundary and interfaces on electrical transportation and structure phase transition in ZnSe under high pressure

Interface and scale effects are the two most important factors which strongly affect the structure and the properties of nano-/micro-crystals under pressure.We conduct an experiment under high pressure in situ alternating current impedance to elucidate the effects of interface on the structure and electrical transport behavior of two Zn Se samples with different sizes obtained by physical grinding.The results show that(i) two different-sized Zn Se samples undergo the same phase transitions from zinc blend to cinnabar-type phase and then to rock salt phase;(ii) the structural transition pressure of the859-nm Zn Se sample is higher than that of the sample of 478 nm,which indicates the strong scale effect.The pressure induced boundary resistance change is obtained by fitting the impedance spectrum,which shows that the boundary conduction dominates the electrical transport behavior of Zn Se in the whole experimental pressure range.By comparing the impedance spectra of two different-sized Zn Se samples at high pressure,we find that the resistance of the 478-nm Zn Se sample is lower than that of the 859-nm sample,which illustrates that the sample with smaller particle size has more defects which are due to physical grinding.     

基于工艺偏差的自旋转移矩辅助压控磁各向异性磁隧道结电学模型及其应用研究

自旋转移矩辅助电压调控磁各向异性磁隧道结(STT辅助VCMA-MTJ)作为非易失性全加器(NV-FA)中的核心部件,具有切换速度快、功耗低,稳定性好等优点,将在物联网、人工智能等领域具有良好的发展前景.然而随着磁隧道结(MTJ)尺寸的不断缩小以及芯片集成度的不断提高,工艺偏差对MTJ及NV-FA电路性能的影响将变得越来越显著.本文基于STT辅助VCMA-MTJ磁化动力学,在充分考虑薄膜生长工艺偏差以及刻蚀工艺偏差影响的情况下,建立了更为精确的STT辅助VCMA-MTJ电学模型,研究了上述两种工艺偏差对MTJ及NV-FA电路性能的影响.结果表明,当自由层厚度偏差γ_tf≥6%或氧化层厚度偏差γ_tox≥0.7%时,MTJ将无法实现状态切换;当隧穿磁阻率偏差β增大到30%时,读取裕度SM将下降高达17.6%.对于NV-FA电路,通过增大电压V_b1以及写‘0’时增大电压V_b2或写‘1’时减小V_b2,可有效降低非易失性加数写入错误率;通过增大逻辑运算驱动电压V_dd,可...