CdxZn1-xO∶Eu3+荧光粉的制备及其发光性质

采用高温固相法在1 100 ℃下合成了Eu3+掺杂的CdxZn1-xO发光材料.采用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征.分析了不同浓度Cd2+的掺杂对于样品发光及激发峰位置的影响.通过对荧光光谱的测试,表明Cd2+的引入使得体系的禁带宽度变窄,并且通过Cd2+掺杂浓度的变化,可以对样品的激发光谱峰值在380～410 nm进行调制,样品的发光以520 nm处的宽带发射为主,并没有明显的Eu3+的特征发射,表明基质与Eu3+之间的能量传递并不有效.在加入Li+作为电荷补偿剂之后,出现了来自Eu3+的特征发射,相应的发射光谱的发射主峰位于609 nm.样品380～410 nm的激发峰范围覆盖了紫外LED芯片的输出波长.因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料.     

Sr3SiO5∶Eu^2＋和Sr3SiO5∶Eu^2＋,Dy^3＋荧光粉的黄色长余辉性质

用高温固相法制备了Sr3SiO5∶Eu2 和Sr3SiO5∶Eu2 ,Dy3 荧光粉。在紫外光辐照后,Sr3SiO5∶Eu2 和Sr3SiO5∶Eu2 ,Dy3 荧光粉具有明亮的黄色长余辉,源于Eu2 的4f65d-4f7的跃迁。紫外光激发停止后,Sr3SiO5∶Eu2 的余辉时间是4 h以上。余辉衰减曲线和热释光曲线说明了引入Dy3 离子可以产生大量的深陷阱和浅陷阱。产生的深陷阱使余辉时间延长到6 h以上。由热释发光曲线,根据热释光的通用级公式拟合了陷阱深度。Sr3SiO5∶Eu2 和Sr3SiO5∶Eu2 ,Dy3 荧光粉是有应用前景的黄色长余辉材料。     

纳米Y2O3:Eu3+中S6格位电荷迁移带的光学特性

在Y2O3：Eu^3 体材料和纳米材料中,观察到紫外激发下处于S6格位的Eu^3 的^5D0→^7F1发射(582nm)的强度,相对处于C2格位的^5D0→^7F0发射(580nm)的强度,随着激发波长在200—300nm紫外区由长变短而增强。这一现象说明Y2O3：Eu^3 中两种格位的电荷迁移带及基质激发的性质不同。光谱分解得出S6格位的电荷迁移带位于C2格位电荷迁移带的高能侧,Y2O3基质倾向于向S6格位进行能量传递。与体材料相比,两种格位的电荷迁移带在纳米材料中都发生红移;相对于C2格位的电荷迁移带,S6格位的电荷迁移带强度在纳米材料中比在体材料中明显降低,并对结果进行了讨论。     

Y3Al5O12:Ce3+,Cr3+和Y3Al5O12:Ce3+,pr3+,Cr3+荧光粉体系中的能量传递

通过在YAG:Ce3+和YAG:Ce3+,pr3+荧光粉体系中分别掺入Cr3+离子来提高蓝光管芯白光LED的显色指数.Cr3+离子的加入,增加了红光发射,这归因于Cr3+的2E-4 A2跃迁的零声子线和声子边带发光.Ce3+→Cr3+的能量传递是增强红光发射的重要方式,在YAG:Ce3+,Cr3+体系中,由发射光谱得到...     

荧光粉(Ca2.94-xLuxCe0.06)(ScMg)Si3O12的晶体结构和荧光性质

利用高温固相反应制备了一种由Lu改进的黄色荧光粉(Ca2.94-x LuxCe0.06)(ScMg)Si3O12(缩写为CKSMS:Ce3+),其中,0≤x≤0.94.同时研究了Lu含量对荧光粉的晶相、发光性质以及温度特性的影响.结果表明,Lu的引入导致荧光增强,其原因是由于Ce3+吸收增强而不是荧光粉内量子效率增加....     

BaFCl0.5Br0.5:Sm2+的荧光特性分析

本文是对无机光谱烧孔的典型材料BaFCl_0.5Br_0.5:Sm²⁺的发光动力学过程进行的探索。通过实验得到了⁵D₂、⁵D₁、⁵D₀→⁷F₀的荧光强度、荧光衰减曲线随温度的变化关系,对⁵D₂→4f5d带的热激活、⁵D_J间的无辐射弛豫,⁵D_J→⁷F₀的辐射跃迁等过程进行了分析。     

Eu~(3+)掺杂铌硅玻璃的微观局域环境特性

研究了Eu3+掺杂铌硅玻璃的5D0发射光谱,其激发谱中7F0 5D2声子边带,荧光窄化谱及5D0能级寿命。并由此计算了强度参数与晶场参数。结果显示5D0 7F2 5D0 7F1发光强度之比与强度参数Ω2随着Nb2O5浓度的增加而增大,表明材料对称性降低,Eu-O键强增加,共价性增强。晶场参数B20随着Nb2O5的浓度增加而减小,同样表明Eu-O键的距离减小,键强增加。随着Nb2O5的浓度增加,电 声子耦合增强,5D0能级的无辐射过程加快,寿命变短。     

Eu^3＋掺杂铌硅玻璃的微观局域环境特性

研究了Eu^3 掺杂铌硅玻璃的^5Do发射光谱，其激发谱中^7Fo-^5D2声子边带，荧光窄化谱及^5D0能级寿命。并由此计算了强度参数与晶场参数。结果显示^5D0-^7F2／^5D0-^7F1发光强度之比与强度参数Ω2随着Nb2O5浓度的增加而增大．表明材料对称性降低．Eu-O键强增加，共价性增强。晶场参数B20随着Nb2O5的浓度增加而减小，同样表明Eu-O键的距离减小，键强增加。随着Nb2O5的浓度增加。电-声子耦合增强，^5D0能级的无辐射过程加快，寿命变短。     

电子间相互作用对钠掺杂聚乙炔中孤子对的影响

本文的哈密顿量由静态SSH模型,Hubbard模型及聚乙炔中钠离子唯象势构成,用Ha-rtree-Fock自洽场方法研究掺入的钠在反式聚乙炔中激发-相距15α(α为晶格常数)的带负电荷的孤子对时,电子间相互作用对聚乙炔能带和链电荷分布及孤子半宽度的修正。 关键词：     

纳米Gd2 O3:Eu3+中Judd-Ofelt参数的实验确定

报道用Judd-Ofelt理论研究立方相纳米晶Gd2o3:Eu3+材料在77K下的光谱性质.以几乎不受周围晶场环境影响的5D0→7F1跃迁为参考,利用5D0→7F2和5D0→7F4跃迁,从实验上确定强度参数Ωλ(λ=2,4).发现纳米Gd2O3:Eu3+材料晶场强度参数Ωλ随纳米晶粒径的变化而改变,与体材料相比有显著的不同.随微晶粒径减小,发射能级5D0的寿命变短、量子效率降低.这是因为微晶粒径越小,量子限域效应越强,表体比越大,在无序体调制的表面上表面缺陷作用增强而引起的.对电荷(Eu3+-O2-)迁移态和多声子过程另外两种无辐射通道也进行讨论.