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31.
以氩气为缓冲气体,在实验上研究了碰撞过程对钠分子梯形能级系统高位能级两种布居过程的影响。对于双光子激发过程,由于消相碰撞,无多普勒加宽的洛伦兹尖峰随缓冲气体压力的增大而很快消失,加入少量缓冲气体时,碰撞激发过程对以多普勒宽度为特征的信号有一定的增强作用,但加入过量缓冲气体会由于消布居作用使信号减弱,对于主要通过碰撞实现高位能级布居的过程,加入缓冲气体对高位能级布居起关键作用,在速率方程近似下解释了上述结果。  相似文献   
32.
耦合双原子与压缩真空场Raman相互作用的动力学   总被引:29,自引:2,他引:27       下载免费PDF全文
黄春佳  周明  刘安玲 《物理学报》2001,50(6):1064-1069
研究了耦合双原子与单模压缩真空场Raman相互作用过程中原子布居和偶极压缩的时间演化特性,运用数值方法讨论了系统耦合常数和初始状态对原子动力学行为的影响 关键词: 耦合双原子 压缩真空场 Raman相互作用 原子布居 原子偶极压缩  相似文献   
33.
基于细致组态(DCA)方法和跃迁系列群 (UTA) 模型,采用全相对论处理并结合量子亏损理论,计算了金Au激光等离子体的M带5f-3d跃迁的透射谱, 给出了金等离子体在不同电子温度和电子密度的时空电离态特性,平均电离度,离子丰度和离子内各能级的布居数,并模拟出Au等离子体的M 带5f-3d跃迁的细致谱线,其计算结果可对激光等离子体透射谱的电子温度和电子密度进行精密诊断.  相似文献   
34.
黄仙山  羊亚平 《物理学报》2005,54(9):4129-4135
讨论了各向异性光子晶体中外驱动场作用下Λ型原子的动力学性质及辐射谱特性. 通过理论 分析和数值计算发现,原子上下能级的布居数将出现准周期性振荡的性质,其振荡的频率和 振荡的幅度与上能级的耗散系数γ, 驱动场的作用强度,驱动场和共振频率失谐度δ等相 关; 原子上能级与光子晶体带边的相对位置将直接影响到原子自发辐射的模式. 此外,从 辐射谱的角度分析光子晶体对原子周围辐射场的特性及其传输性质的影响.  相似文献   
35.
梁国栋  徐迈 《光子学报》1995,24(1):43-47
本文指出全息干版薄膜在曝光后处理过程中的收缩性和折射率变化对制备全息光栅的周期、倾斜度、布喇格入射角及衍射角的影响问题,并根据实验数据对光栅设计进行修正,再结合Kogelnik衍射方程及折射率调制度和曝光量的线性关系,在实验中基本上能准确设计出指定周期、倾斜度和衍射效率的全息光栅。  相似文献   
36.
蒋红  金亿鑫  缪国庆  宋航  元光 《发光学报》2003,24(6):632-636
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、低温光致发光(PL)光谱等测量手段对材料的物理特性进行了表征。结果表明,在InP衬底上生长的InP外延层和四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层77K光致发光(PL)谱线半峰全宽(FWHM)分别为9.3meV和32meV,说明形成DBRs结构的交替层均具有良好的光学质量。X射线衍射测量结果表明,四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层与InP衬底之间的相对晶格失配仅为1×10-3。GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的DBR结构每层膜的光学厚度约为λ/4n(λ=1.55/μm)。根据多层膜增反原理计算得出当膜的周期数为23时,反射率可达90%。  相似文献   
37.
谢旻  凌琳  杨国建 《物理学报》2005,54(8):3616-3621
研究了非简并Λ型三能级原子速度选择相干布居俘获与原子能级结构的非对称性以及原子-激光失谐之间的关系.指出相对于简并、共振情况,原子动量分布的概率峰峰值降低、最可几动量发生变化,而且原子的俘获时间也变得很长.  相似文献   
38.
Broer-Kaup系统的达布变换及其孤子解   总被引:1,自引:0,他引:1  
根据Broer-Kaup系统的Lax对, 借助Broer-Kaup系统的谱问题的规范变换, 一个包含多参数的达布变换被构造出. 以一个平凡解作为种子解, 利用达布变换, 可以求得Broer-Kaup系统的非平凡解的一般表达式. 并且讨论了N=1和N=2两种孤子解的情形. 这是一种与2X2谱问题有关的孤子碰撞图像的新类型.  相似文献   
39.
研究了存在Kerr介质时,单模压缩真空场与耦合双原子依赖强度耦合相互作用系统原子布居数的时间演化规律,讨论了Kerr介质、原子间相互作用和光场的初始压缩因子对原子布居数时间演化的影响.  相似文献   
40.
蒙药“草布—25”中微量锗的测定   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
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