全固态平面型ITO/Fe^3＋-TiO2/ITO光电催化器件的制备和催化性能

在具有条形电极的ITO(氧化铟锡)玻璃上负载Fe3 -TiO2薄膜,得到全固态平面型ITO/Fe3 -TiO2/ITO光电催化器件.利用Keithley 2400数字源电流表对器件施以一定的偏压,以气相甲醛的降解为模型反应,对器件分别进行了空气和氮气条件下的光电催化性能测试.结果表明,甲醛的存在能够增强体系的光电流,并且在氮气下器件的光电流明显大于在空气下的光电流,说明甲醛参与了电子的迁移过程.ITO/Fe3 -TiO2/ITO器件表现出比ITO/Fe3 -TiO2/ITO器件更高的光催化活性,且前者的光电流值小于后者,说明掺杂Fe3 所引起的电子迁移率的降低远大于所引起的激子分离几率的提高.ITO/Fe3 -TiO2/ITO器件在外加偏压下活性提高,但提高的幅度没有ITO/TiO2/ITO器件明显.     

荧光动力学法测定超氧化物歧化酶的活性

超氧化物歧化酶的活力可以反映机体清除氧自由基的能力,在抗衰老研究中经常需对其进行准确测定。邻苯三酚自氧化可产生强荧光的醌,超氧化物歧化酶通过清除该反应过程中产生的超氧阴离子自由基使醌减少,据此建立了测定超氧化物歧化酶活力的荧光动力学方法。探讨了缓冲液的浓度、pH值、邻苯三酚浓度和温度对测定的影响。在Tris-HAC缓冲液浓度为0.1mol/L、pH8.2、邻苯三酚浓度为0.385mmol/L、温度为25℃的最佳条件下,得到SOD的线性响应范围为0.31~1.58mg/L;血清样品测定的RSD为1.12%(n=5);加标回收率在94.3%~103.49%之间。本法与黄嘌呤-黄嘌呤氧化酶法的测定结果一致,可用于动物样品中超氧化物歧化酶活力的测定。     

微生物发酵米糠制备神经酰胺

用CO2激光辐射筛选培育出高产鞘磷脂酶的工程菌——雅致放射毛霉变异株AE255-6。AE255-6固体发酵产鞘磷脂酶的优化条件经试验确定为采用变温培养,培养时间共72h,前24h培养温度30℃,后48h培养温度25℃,培养基pH 7.0—8.0,培养基含水量65%,接种量12%。以米糠为原料,采用AE255-6固体发酵产生鞘磷脂酶以定向水解鞘磷脂产生游离神经酰胺,使米糠中游离神经酰胺含量从0.022%提高到0.064%。将CO2超临界萃取技术与D140大孔树脂纯化相结合,获得纯度为99.2%的神经酰胺产品。产品纯度与美国S igm a公司的相当,且经检测证明其安全性好。     

建构-探究式化学教学初探

本文论述了在化学教学过程中以建构主义教学思想为指导、突出探究性学习的理论构想和实施策略，并就相应的教学试验中存在的问题进行讨论。     

基于四氢喹啉酸骈环戊烯骨架的蛋白酪氨酸磷酸酶1B抑制剂的设计、合成及构效关系

基于肿瘤、糖尿病等重大疾病的有限目标,选择蛋白酪氨酸磷酸酶(PTPs)家族这一生物体系中有代表性的PTP家族成员PTP1B,SHP-1,SHP-2,LAR,CDC25B及PRL-3进行研究.通过综合高通量筛选获得的"苗头"化合物结构信息,分析得到四氢喹啉骈环戊烯骨架.初步的构效关系研究表明,四氢喹啉酸骈环戊烯母核结构可...     

具有MIL-100和MIL-101结构巨孔羧酸钪配位聚合物

用溶剂热方法首次以DMF为溶剂合成了具有MIL-100和MIL-101结构的巨孔均苯三甲酸钪(1)和对苯二甲酸钪(2)配位聚合物,通过将钯金属纳米粒子沉积到均三苯甲酸钪(1)的骨架结构中的方法,获得了后功能化的载有钯纳米粒子的配位聚合物孔材料Pd@1,并对以上材料进行了X-射线粉末衍射、扫描电镜、透射电镜和氮气吸附表征。     

测定黄磷中砷方法的样品前处理的改进

标准方法(GB 7816-1998)测定黄磷中砷时,采用敞开式消解法预处理样品。实践表明该方法耗时,易引入污染,造成测定误差,而且稍有不慎易使黄磷自燃。作为改进,提出了回流冷凝消解法,即2~3 g试样于硝酸(3+2)溶液60 mL中,在160℃电热板上加热回流消解。消解完成后的试液按Ag-DDTC方法进行砷的测定。结果表明:回流冷凝消解法不仅避免了试样的自燃,而且大大缩短了试样消解时间,所测得砷结果的准确度达到原标准方法的水平。     

强辐射源用铜纳米线阵列靶的结构与性能

 采用多孔阳极氧化铝（AAO）模板脉冲电沉积法制备了强辐射源用铜纳米线阵列靶,并用扫描电子显微镜（SEM）、能谱（EDS）和X射线衍射（XRD）对其进行了结构表征。结果表明：去除AAO模板后铜纳米线平均直径比去除AAO模板前的平均孔径大32%,长度缩短5%。对电沉积2 000 s的样品进行铜纳米线长度分布表征,结果显示:距离模板圆心越远,铜纳米线越长。与超短脉冲激光相互作用实验结果表明:纳米线平均长度在18~50 μm范围内,铜Kα光子产额先随纳米线长度增加而增加,当长度大于33 μm时,铜Kα光子产额开始下降。     

Si面4H-SiC衬底上外延石墨烯近平衡态制备

SiC热解法是制备大面积、高质量石墨烯的理想选择之一.外延石墨烯的晶体质量仍是制约其应用的关键因素之一.本文通过SiC热解法在4H-SiC(0001)衬底上制备单层外延石墨烯.通过引入氩气惰性气氛和硅蒸气,使SiC衬底表面的Si原子升华与返回概率接近平衡,外延石墨烯生长速率大大减慢,单层石墨烯的生长时间从15 min延长至75 min.测试分析表明,生长速率减慢,外延石墨烯中缺陷减少,晶体质量提高,使得外延石墨烯的电性能都得到改善,单层外延石墨烯的最高载流子迁移率达到1200 cm2/V·s,方阻604?/.以上结果表明,控制生长气氛,减慢生长速率是实现高质量外延石墨烯的可行途径之一.     

大学普通力学实验中单摆线弹性对重力加速度测量结果的影响

文章尝试通过不同材料的摆线来改变单摆的弹性,以研究大学普通力学实验中摆线的弹性对重力加速度测量结果的影响,同时通过多线验证探究了摆长对重力加速度不确定度的影响,相关结果在提高实验教师对单摆运动理解、把控学生探索数据的正确性方面具有一定的意义.