Photovoltaic and Electroluminescence Bifunctional Devices with Starburst Amine and Rare-Earth-Complexes

We fabricate the organic photovoltaic （PV） devices, in which 4,4＇,4＂-tris-（2-methylphenylphenylamino）triphenylamine （m-MTDATA） and rare earth （RE） （dibenzoylmethanato）a（bathohenanthroline） （RE（DBM）abath） （RE = Nd or Pr） are used as electron donor and acceptor, and investigate their PV properties. The PV diode fabricated in the optimum processing conditions shows the open-circuit voltage of 1.91 V, short-circuit current of 0.1 mA/cm^2, fill factor of 0.38, and the overall power conversion efficiency of 1.9% when it is irradiated under UV light （4 m W/cm^2）. The photocurrent density exhibits an increase of 20% at least when a very thin LiF layer is inserted between the RE-complexes and the A1 cathode. A strong electroluminescence from the interface is also observed and the maximum luminance of a yellow emission resulted from the exciplex is 580 cd/m^2 at 17 V bias.     

Investigation of resistive switching behaviours in WO3-based RRAM devices

In this paper, a WO₃-based resistive random access memory device composed of a thin film of WO₃ sandwiched between a copper top and a platinum bottom electrodes is fabricated by electron beam evaporation at room temperature. The reproducible resistive switching, low power consumption, multilevel storage possibility, and good data retention characteristics demonstrate that the Cu/WO₃/Pt memory device is very promising for future nonvolatile memory applications. The formation and rupture of localised conductive filaments is suggested to be responsible for the observed resistive switching behaviours.     

负载型V_2O_5/TiO_2催化剂表面分散状态和性质对氨选择性催化还原NO性能的影响(英文)

采用多种物理化学手段研究了不同负载量V2O5/TiO2催化剂的VOx物种分散状态、表面酸性、可还原性及其选择性催化还原(SCR)NO性能.结果表明,V2O5在锐钛矿TiO2表面的实测单层分散容量约为1.14mmol V/100m2TiO2,与"嵌入模型"的估算值相符,表明分散态的钒离子应键合在TiO2表面的八面体空位上.随着V2O5负载量的增加,V2O5/TiO2催化剂上NO转化频率(TOF)先急剧增加,至0.70mmol V/100m2TiO2(略超过分散容量的一半)时达到极大(约8.3×10-3s-1),然后又急剧下降;同时,孤立VOx物种可能倾向于分散在相邻的八面体空位上,且通过V-O-V化学键相连形成聚合的VOx物种,V-O-V键所占比例增加而V-O-Ti键所占比例减小,催化剂表面单位钒离子的Brnsted酸中心量增加,故催化剂的TOF急剧增加.随着负载量进一步增加,虽然催化剂表面单位钒离子的Brnsted酸中心量仍缓慢增加,但V-O-Ti键所占比例减少,导致钒离子的可还原性下降,另外,分散容量以上时晶相V2O5的形成也导致钒离子表面利用率下降,从而导致催化剂的TOF下降.桥式Brnsted酸位(V-O(H)-V)也是SCR反应活性中心之一,不同负载量V2O5/TiO2催化剂上SCR活性与表面VOx物种的分散状态、表面酸性和钒离子可还原性密切相关.     

KZnF3∶Ce，Tb的溶剂热合成及光谱性质

采用溶剂热法合成了Ce3+,Tb3+单掺和双掺KZnF3发光粉。分析了样品的结构与形貌。结果表明,所合成的样品均为单相,颗粒粒度分布均匀。讨论了它们的光谱特性。研究发现,在KZnF3∶Ce3+激发光谱中激发带劈裂成2个带峰,最大发光中心分别位于263 nm(主峰)和246 nm,而在发射光谱中只观察到1个带状发射峰,最大发射中心位于330 nm。在KZnF3∶Tb3+激发光谱中存在较强的基质激发峰,而在发射光谱中,发现Tb3+的5D4→7FJ(J=6,5,4,3)跃迁。在KZnF3双掺体系中,Tb3+的发光强度随Ce3+的浓度增加而增强,存在Ce3+→Tb3+能量传递,尤其是Tb3+的5D4→7F5跃迁发射显著增强,有望成为一种有发展前途的绿色荧光材料。     

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提出碰撞吸收型等离子体的等效折射指数,重新计算了折射角,并与利用常规方法得到的折射角进行了比较。分析了等离子体密度和碰撞频率对折射角的影响。考察了斜入射电磁波在吸收型等离子体中的折射特性,并以一维非均匀碰撞吸收型等离子体为例,对斜入射电磁波的反射特性进行了考察。结果表明,等效折射指数的概念涵盖了入射角度的影响,在考察斜入射时更准确、便捷。     

槲皮素和芦丁的某些金属配合物的电喷雾质谱研究

槲皮素(quercetin)和芦丁(rutin)都是天然的黄酮类化合物,且槲皮素是芦丁的甙元,它们广泛存在于许多植物的花、叶、果实中,对其药理作用研究较多[1-3],但由于槲皮素和芦丁不溶于或难溶于水,不利于吸收[4],极大地限制了其生物利用度和体内给药途径.     

PbZr0.53Ti0.47O3/SiO2/Si复合薄膜的取向生长及铁电性研究

利用超薄的ＳｉＯ２做缓冲层,用脉冲激光沉积法在Ｓｉ（１００）上制备了具有良好铁电性的高度（１００）取向的ＰＺＴ薄膜．通过对不同条件下在ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）上生长的ＰＺＴ薄膜的研究,分析了ＳｉＯ２厚度、沉积温度、退火时间对ＰＺＴ性能的影响     

离子色谱法测量休闲食品中的柠檬酸盐

建立了离子色谱法测定休闲食品中柠檬酸和柠檬酸盐含量的方法。采用标准曲线法定量,柠檬酸浓度在1.0~20.0 μg/mL的范围内,线性方程为y=0.049 9x-0.017 4,线性相关系数为0.998 2,方法的检出限为0.015 μg/mL,加标回收率为96.9%~101.6%,方法具有简单、快速、重现性好等优点。     

辉光放电质谱法测定高纯钛中痕量杂质元素及其相对灵敏度因子校正EI北大核心CSCD

通过选择合适的同位素及分辨率,建立了辉光放电质谱法(GDMS)测定高纯Ti中57种痕量杂质元素的方法。辉光放电过程优化条件为Ar流量500 mL/min,放电电流2.2 mA,预溅射时间30 min。利用高纯Ti标准样品获得了与基体匹配的13种元素的相对灵敏度因子(RSF)值。用建立的方法对高纯Ti溅射靶材样品进行检测,主要杂质元素为Al, Si, S, Cl, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zr,含量在0.051~2.470μg/g之间,相对标准偏差(RSD)<23%,杂质总量<5μg/g。其中,Ca, Nb元素的检出限为0.5μg/g,其余元素的检出限低至10 ng/g级或1 ng/g级,而且Th, U元素的检出限达到0.1 ng/g。该方法能够满足5N级高纯金属Ti溅射靶材的检测要求。