Numerical simulation of the early-time high altitude electromagnetic pulse

In this paper, the finite difference method is used to develop the Fortran software MCHII. The physical process in which the electromagnetic signal is generated by the interaction of nuclear-explosion-induced Compton currents with the geomagnetic field is numerically simulated. The electromagnetic pulse waveforms below the burst point are investigated. The effects of the height of burst, yield and the time-dependence of γ-rays are calculated by using the MCHII code. The results agree well with those obtained by using the code CHAP.     

导体周围稀薄空气电离次级电子等离子体的粒子模拟

介绍了稀薄大气环境中飞行体Ｘ射线响应的数值模拟过程中，由初级电子激励的空气次级电子的粒子跟踪技术，对１Ｐａ以下气压条件进行了计算，讨论了次级电子的等离子体行为及其对电磁场响应的影响。     

不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究

给出了不同集成度16K—4Mb随机静态存储器SRAM在钴源和北京同步辐射装置BSRF3W1白光束线辐照的实验结果;通过实验在线测得SRAM位错误数随总剂量的变化,给出相同辐照剂量时20—100keVX光辐照和Co⁶⁰γ射线辐照的剂量损伤效应的比例因子;给出集成度不同的SRAM器件抗γ射线总剂量损伤能力与集成度的关系;给出不同集成度SRAM器件的X射线损伤阈值.这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值.     

下击暴流作用下群体高层建筑风压干扰特性的数值分析

针对布局变化对高层建筑下击暴流场气动干扰特性研究的缺乏,采用RNG k-ε湍流模型封闭求解N-S方程的RANS方法模拟下击暴流场,在与已有单体高层建筑下击暴流场试验数据进行对比验证的基础上,模拟研究两幢高层建筑布局的下击暴流风效应场。考虑建筑布局距风暴中心距离变化以及布局纵横向间距变化时,施扰建筑对受扰建筑立面风压的影响,获取立面风压干扰规律与特性。结果表明:受扰建筑迎风面干扰因子随风暴中心距离的增大而增大,突出表现在较大距离区间(r2D),且干扰作用随布局纵横向间距的变化存在较明显差异;当距风暴中心较近时(r2D),布局纵横方向间距变化对受扰建筑干扰因子的影响较小;在径向最大风速位置处(r/D=1.0),临近施扰建筑的受扰建筑侧风面风压相对单体情况有所减小,其干扰因子随布局纵向间距的增大而减小,随横向间距的增大而增大。     

导体周围稀薄空气电离次级电子等离子体的粒子模拟

介绍了稀薄大气环境中飞行体X射线响应的数值模拟过程中，由初级电子激励的空气次级电子的粒子跟踪技术，对1Pa以下气压条件进行了计算，讨论了次级电子的等离子体行为及其对电磁场响应的影响。     

时域电场积分方程在求解架空屏蔽电缆蒙皮电流中的应用

 时域电场积分方程是研究电磁辐射及散射等问题的重要方程。在数值计算中，该方程方法只需将散射体进行剖分，而不必将剖分推至整个计算域内进行，计算效率较高。将时域电场积分方程方法引入到电磁脉冲作用下架高屏蔽电缆蒙皮电流的计算中，研究了电缆的蒙皮感应电流分布及波形特征。通过与辐射波电磁脉冲模拟器的实验结果的比对，证明了数值结果的可靠性。     

电磁脉冲作用下地面铺设屏蔽电缆蒙皮电流分布的时域计算方法研究

为克服传输线理论方法求解电磁脉冲电缆耦合问题存在的不足，对电磁脉冲电缆耦合问题进行了时域求解方法的研究。引入了适用于电磁脉冲电缆耦合问题数值求解的基于细线散射的时域有限差分(FDTD)法，将Gedney's PML进行了扩展，使其可以用于各向同性有耗计算域截断问题的处理。利用建立的数值方法，模拟了电磁脉冲作用下地面铺设屏蔽电缆引起的蒙皮感应电流分布规律及波形特征，并利用辐射波电磁脉冲模拟器对该问题进行了实验研究。计算与实验结果在误差范围内的一致性证明了数值结果的可靠性，以及该时域计算方法在处理电磁脉冲电缆耦合问题的可靠性。     

大规模集成电路总剂量效应测试方法初探

提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法。在监测器件和电路功能参数的同时，监测器件功耗电流的变化情况，分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理。给出了大规模集成电路：静态随机存取存储器（SRAM）、电擦除电编程只读存储器（EEPROM）、闪速存储器（FLASH ROM）和微处理器（CPU）的⁶⁰Co γ总剂量效应实验的结果. 关键词： 测试方法 总剂量效应 大规模集成电路     

二极管区对虚阴极振荡器影响的数值模拟

将ＦＤＴＤ与ＰＩＣ方法相结合,编制了二维、全电磁、相对论性的粒子模拟程序,对电子一直接人阴极表面发射的虚阴极振荡器的物理过程进行了数值模拟。主要对电子从虚阴极返回二极管区并重新注入漂区以及阴阳极间电压的影响进行了初步探讨。