关注科学不端行为

简要介绍了近期发生在美国贝尔实验室舍恩和Lawrence Berkeley国家实验室尼诺夫的严重科学不端行为，强调了物理教学中道德教育的重要性。     

弱场下熔融织构YBa_2Cu_3O_(7-δ)样品局域磁通蠕动的实验研究

利用半导体霍尔探头测量法在液氮温度下研究了低场下圆柱状熔融织构YBa2 Cu3O7-δ样品的局域磁通蠕动行为 .对瞬时加减场样品端面局域磁场的磁弛豫 ,磁滞回线以及不同扫场速率下局域磁场的变化进行了测量 ,观察到了对数时间磁弛豫的行为 ,发现由加场和去场数据所得的激活能U0 有明显的不同 .磁滞回线测量中 ,局域点的磁场随外场几乎同步变化 ,不同扫场速率下局域磁场随外场变化的差别不大 .实验结果表明 ,外场除对样品侧面外 ,对端面也有明显的穿透 .所得U0 的不同来源于磁通线与ab平面的位置关系 .实验结果表明弱磁场下的磁测量有可能进一步发展成为获得样品的钉扎特性的简单而有效的方法     

敬佩和感激——记虞福春先生的两件事

<正>虞福春先生是著名的核物理学家和教育家。1955年起在北京大学任教,筹建技术物理系并担任系领导工作。期间,从1982年2月到1983年11月,只有短短的、不到两年的时间,临时出任物理系主任,应该是任职时间最短的系主任,但却有两件事得到了虞先生的帮助和教诲,给我留下了深刻的印象。我有幸在改革开放之初,1980年3月到美国康奈尔大学,在著名低温物理学家David Lee教授(因1970年代初期发现液体氦-3的超流相,1996年获诺贝尔物理学奖)的实验室工作。1981年秋,在参加完第16届国际低温物理学会议后,由于我的     

稀气体中发现自旋波

一、意外的发现 在凝聚态物理中,自旋波是人们很熟悉的现象.以铁磁材料为例,在绝对零度,系统处于基态,所有的电子自旋磁矩规则地排列于易磁化方向[图1(a)].当由于某种扰动(如温度的升高),使任一磁矩方向有偏离时,它将绕着易磁化轴进动.由于自旋间的相互作用,这种进动会影响到近     

铜铌稀合金超薄膜的弱局域电性

在 4.2到 2 5K范围内测量了 2 0纳米稀掺杂铜铌超薄膜 (Cu99Nb1 ,Cu95 Nb5 )的电阻及磁导随温度的变化 ,没有观察到超导的迹象 ,而且样品的磁导都表现出典型的弱局域性质 .通过与理论的拟合 ,得到描述弹性散射 ,非弹性散射 ,自旋 轨道散射和磁散射的特征磁场和特征迟豫时间 .Cu95 Nb5 的各种特征迟豫时间均比Cu99Nb1 的小 .铌的加入不仅很大地影响了杂质引起的电子 电子散射 ,同时也是导致样品的弹性散射时间与自旋 轨道散射时间之比τ0 /τso偏离Abrikosov Gorkov关系的主要原因     

非理想第二类超导体局域磁弛豫的计算模拟：非均匀钉扎势和表面势垒影响

从热激活模型出发,对非理想第二类超导的局域磁行为进行了计算模拟.讨论了超导体体内非均匀钉扎势和表面势垒对局域磁通运动的影响.计算结果表明,体内非均匀钉扎势对磁通线的运动产生大的阻碍,表面势垒明显抑制了磁通线的进入和离开样品.相对于样品的平均磁弛豫行为和平均磁滞回线,非均匀钉扎以及扫场速率的差异更强地显示在样品的局域磁行为. 关键词： 非理想第二类超导体 局域磁弛豫 非均匀钉扎 表面势叠     

SIMULATION ON LOCAL FLUX CREEP IN TYPE-Ⅱ SUPERCONDUCTORS

Using C programming language, we have simulated the flux creep process in nonideal type-Ⅱ superconductors. Global and local magnetization curves are calculated and the logarithmic time dependence of local magnetic induction B under a constant external field is examined. The effects of nonuniform pinning potential and self-organized criticality (SOC) model on the simulations are discussed. The results show that the main feature of flux creep is the relaxation effect. The form of hysteresis loops is dependent on the magnetic field sweep rate. SOC can account for the occurrence of fluctuation to a certain extent and nonuniform pinning potential can enhance the fluctuation.     

THERMOELECTRIC POWER IN (Gd,Sm)1.85Ce0.15CuO4 SYSTEM

Thermoelectric power measurements are reported for seven samples with different x in the Gd_1.85-xSm_xCe_0.15CuO₄ system at temperatures ranging from 80K to 300K. For Sm-rich superconducting samples, thermoelectric power S has a small negative value and is almost temperature independent. As the content of Sm decreases, the absolute value of S increases and a broad valley appears in the S(T) curve. The results which can be interpreted in terms of a two-channel model support the existence of mid-gap states with Fermi level close to the minimum of the density of states as well as the coexistence of electron and hole carriers. It is suggested that a linear temperature dependence of S with a small negative slope is close to the intrinsic behavior in the a-b plane of normal states for superconducting samples.     

PrBa_2Cu_3O_（7－δ）膜的电阻率和热电势

在７７Ｋ到３００Ｋ的温度范围内测量了ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜的电阻率和热电势．通过用变程跳跃（ＶＲＨ）和近邻跳跃（ＮＮＨ）模型的公式拟合实验数据，发现这种材料的电阻率和热电势行为可以用跳跃机制解释．     

薄铜膜弱局域行为的实验研究

作为近代物理实验,除去在实验方法上应有一定的训练价值及代表性外,其内容最好也能富有时代感.本文所报导的二维铜膜低温电阻及磁阻行为的实验观察,正是这样一个涉及到1979年以后固体物理研究中新出现的领域——弱局域性(Weak localiza-tion)的实验.近年来的工作表明,借助于弱局域理论,通过磁阻测量,可以可靠地确定金属中各种散射的驰豫时间,成为固体物理中一个新的实验手段,受到人们广泛的重视.一、弱局城性简介