首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   36篇
  免费   5篇
  国内免费   9篇
化学   22篇
晶体学   2篇
力学   6篇
数学   5篇
物理学   15篇
  2024年   1篇
  2023年   1篇
  2022年   3篇
  2021年   5篇
  2020年   1篇
  2019年   4篇
  2018年   1篇
  2017年   2篇
  2016年   3篇
  2015年   3篇
  2014年   8篇
  2013年   3篇
  2012年   3篇
  2011年   2篇
  2010年   2篇
  2009年   2篇
  2008年   1篇
  2007年   1篇
  2006年   4篇
排序方式: 共有50条查询结果,搜索用时 437 毫秒
21.
应用共振光散射(resonance light scattering,RLS)光谱法对十六烷基三甲基溴化胺(CTMAB)与小牛胸腺DNA(ct DNA)相互作用进行了研究,并研究了该体系的最佳反应条件.发现CTMAB可提高ct DNA的RLS信号.采用该方法对合成样品进行了分析测定,回收率和RSD分别为94.8%~97.3%和1.1%~2.5%,检出限为9.3μg/L.  相似文献   
22.
首先,从战场信息感知的功能入手,提出了信息条件下坦克智能体的感知行为模型框架;然后,分析了感知行为产生的要素,建立了坦克智能体观察模型;最后,通过战场态势进一步说明建立模型的必要性。  相似文献   
23.
自然界中生物质资源丰富,但利用率很低,为了变废为宝,介绍了由生物质资源制备水热炭的方法。水热炭通常比表面积较大、孔隙度较高而表现出较好的吸附性,使其可以广泛地应用于吸附重金属离子和大气污染物。重点总结及讨论了对水热炭的4种化学改性方法,通过化学改性可提高其对重金属的吸附能力。  相似文献   
24.
基于三角测量原理的条纹投影轮廓测量系统中,倾斜投影到参考平面上的条纹将产生周期展宽现象,引起相位失真甚至影响测量精度。论文以条纹位置为控制变量推导出条纹周期校正的线性数学模型,通过简便的标定获得模型参数,由此反算出新的待投影条纹,并在参考平面上获得周期分布的投影条纹。实验结果表明校正后的条纹周期变化范围在±0.1像素内,并且该方法能够获得更为精确的三维轮廓测量结果。  相似文献   
25.
刘赵淼  赵婷婷  申峰 《力学学报》2015,47(3):430-440
采用流体体积函数方法数值模拟板式表面张力贮箱内液体的流动过程. 主要考虑了不同重力加速度和接触角等因素的影响. 发现在接触角等于10° 的前提下, 重力加速度小于10-2g0, 液体沿着外侧导流叶片爬升至贮箱顶部; 当重力加速度小于10-3g0 时, 重力加速度的减小对液体爬升速度的影响较小. 在爬升过程中, 导流叶片附近液体的速度呈逐渐减小的趋势, 且重力加速度越小, 初始速度越大. 接触角对液体的爬升高度也会产生影响,接触角越小, 液体爬升至顶部的时间越短; 当接触角大于45° 时, 外侧导流叶片附近的液面不能爬升至顶端. 另外, 接触角越大, 液面高度的斜率越小,导流叶片附近液体的初始速度也越小.   相似文献   
26.
赵婷婷 《人工晶体学报》2022,51(12):2080-2089
利用第一性原理计算方法研究了层间距和外部电场对graphene/WSSe范德瓦耳斯异质结的电子特性和界面接触的影响规律。由于范德瓦耳斯力作用,graphene和WSSe单层的电子特性可以被保留在graphene/WSSe异质结中。当形成graphene/WSSe异质结时,在石墨烯的狄拉克锥中可以发现小的带隙值(7 meV)。电荷转移产生的内建电场在有效阻碍光激发载流子复合中起着关键作用。与两个独立单层相比,graphene/WSSe异质结在可见光区域具有增强的光吸收,在光电子器件中展现出了潜在应用价值。此外,graphene/WSSe异质结在平衡层间距处显示出n型肖特基接触特性。层间距和外部电场都可以用来改变graphene/WSSe异质结的肖特基势垒高度和接触类型,并有效调节graphene狄拉克锥的位置。本文研究内容为graphene/WSSe异质结在纳米电子和光电子器件领域的应用提供理论依据。  相似文献   
27.
<正>The action mode between Dy(III)(NR)_3 and herring sperm DNA is studied by ultraviolet-visible(UVvis) and fluorescence spectra as well as electrochemistry.Double-reciprocal method studies show that the binding stoichiometry between Dy(III)(NR)_3 and DNA is 1:1,the binding constants at different temperatures are 1.15×10~5 L/mol at 25℃and 2.09×10~5 L/mol at 35℃,and the corresponding thermodynamic parameters are△_rH_m~(?) = 2.48×10~4 J/mol,△_rG_m~(?)= -2.34×10~4 J/mol,△_rS_m~(?) = 161.7 J/(mol-K),△_rS_m~(?) is the driving force in this reaction.Combined with Scatchard method and melting method,the results suggest that the interaction mode between Dy(III)(NR)_3 and herring sperm DNA is intercalation fashion and groove fashion.  相似文献   
28.
研究了模拟生理条件下,山姜素与牛血清白蛋白(BSA)的相互作用。山姜素猝灭BSA为静态猝灭过程,获得了不同温度下山姜素与BSA的结合常数和结合位点数。考察了Mg2+、Ca2+、Zn2+、Cu2+等金属离子对结合作用的影响。热力学参数研究发现静电作用力为山姜素与BSA的主要结合力。根据Frster非辐射能量转移理论,计算了山姜素与BSA之间的结合距离r0为4.07nm。同步荧光光谱法研究结果表明山姜素对酪氨酸残基的微环境产生了影响,使其疏水性增强,而对色氨酸残基的微环境没有产生影响。  相似文献   
29.
264~280 nm波段萘的共振增强多光子电离研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在我们自己研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上实验获得了气相萘分子的共振增强多光子电离/飞行时间质谱(REMPI-TOFMS),以及萘母体离子C10H8 和一些主要碎片离子C8H6 、C6H6 、C5H3 、C4H3 、C3H3 在264~280 nm的分质量光谱.结合在266 nm激发波长下实验得到的这些离子的光强指数及不同激光能量下的分支比,对母体离子及主要碎片离子的生成机理进行了探讨:在该波段范围内,萘母体分子首先吸收一个光子从基态跃迁至激发态,激发态分子再吸收一个光子而电离产生母体离子C10H8 ;碎片离子C8H6 、C6H6 、C5H3 、C4H3 、C3H3 则是由母体离子进一步吸收光子解离形成的,并给出了可能的解离通道.  相似文献   
30.
The action mode between Dy(III)(NR)3 and herring sperm DNA is studied by ultraviolet-visible (UV- vis) and fluorescence spectra as well as electrochemistry. Double-reciprocal method studies show that the binding stoichiometry between Dy(III)(NR)3 and DNA is 1 : 1, the binding constants at different temperatures are 1.15 ×10^5 L/tool at 25 ℃ and 2.09 × 105 L/mol at 35 ℃, and the corresponding I thermodynamic parameters are /krHm = 2.48 × 10^4 J/tool, ArGm : -2.34 × 104 J/mol, ArSm = 161.7 J/(mol. K), ArSm is the driving force in this reaction. Combined with Scatchard method and melting method, the results suggest that the interaction mode between Dy(III)(NR)3 and herring sperm DNA is intercalation fashion and groove fashion.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号