近程碰撞对He+离子诱发背向电子发射贡献比例的计算

用Monte Carlo方法模拟了高速He+离子入射到C，Cu和Al固体表面所诱发的电子发射.用这个程序计算了背向的电子发射产额，并且同时计算了近程碰撞对总的背向电子发射产额的贡献比例，对C，Cu和Al其值分别是05，055和0.42.对在近程碰撞中产生的高能δ电子（E＞10O eV）对背向电子发射行为的影响也进行了详尽地讨论，只有那些能量为几百个eV的δ电子对产额的贡献比例较大.对于C靶，δ电子对电子阻止本领最大值附近的二次电子发射行为会产生影响.计算所得到的电子发射产额与实验结果符合得很好. 关键词： 二次电子发射 Monte Carlo模拟 近程碰撞 δ电子     

ABNORMAL ENERGY DEPENDENCE OF AXIAL MINIMUM CHANNELING YIELDS IN GexSi1-x/Si(100) STRAINED

An energy dependence of the axial minimum channeling yield in Ge_xSi_1-x/Si(100) Strained-layer superlattice is observed in the energy range of impinging He⁺ ione from 1.2 to 3.0 MeV. For [100] axial channeling, the measurements ere in agreement with what have been known in a single crystal. However, for [110] axial channeling, it is found that the minimum channeling yields increase markedly with the increase of He⁺ ion energy, which is contrary to the general channeling behaviors in a single crystal. A tentative model is suggested to explain this aberrance.     

用~3He→D核反应分析Ti中的D

用D-~3He核反应分析法分析中发生器用TiD_(?)靶中D的含量x.并利用Au-Si面垒探测器测量了质子能谱,获得了该探测器的灵敏层参量,仔细研究了半导体探测器对高能质子的响应.对质子射程同耗尽层厚度相当时的质子能谱进行的理论计算与实验现象一致. 关键词：     

Si_（1－x）Ge_x／Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Ｓｉ分子束外延，在较高的生长温度于Ｓｉ（１００）衬底上制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱发光材料．发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、Ｘ射线双晶衍射及光致发光评估．背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应；Ｘ射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的，结晶完整性好．低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合．并讨论了生长温度对量于阱发光的影响．     

用阻塞效应测量~28Si 13.095MeV激发态能级寿命

改进Al单晶样品的处理方法,得到了高质量的样品。进行了Al单晶辐照损伤实验,直接测量了E_p=1565keV时~(27)Al(p,α)~(24)Mg共振所形成的~(28)Si13.095MeV激发态能级寿命。采用Monte Carlo模拟和“分析”方法计算得到其寿命值τ=16.3±2.4as,对应的能级宽度Γ=40±6eV,与文献报道的共振产额法结果符合得较好。     

平面阻塞效应测量Ep=1565keV时27Al(p,α)24Mg共振反应寿命

采用(111)面阻塞效应测量了E_p=1565keV共振时²⁷Al(p,α)²⁴Mg核反应寿命。用解析方法分析实验数据。测到的核寿命τ=17.9_-4.0^+4.4as,与<110>轴阻塞效应测量结果和文献给出的结果在误差范围内一致。测量了E_p=1183.4keV时(111)面的α粒子的阻塞分布,并与理论计算作了比较。 关键词：     

低能沟道效应及其应用

带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。本文评述了能量为Mev的质子和氦离子在晶体中的沟道效应及其在固体物理、半导体物理、表面物理和原子物理中的应用,同时也叙述了我们实验室在近几年来得到的各种实验结果。     

W波段具有开放式圆柱光栅的三反射球镜准光腔辐射源

 为设计输出高功率、高频率的W波段辐射源提供一个可行的方案,对一种具有开放式圆柱光栅的三反射球面镜准光腔大功率辐射源,在理论计算和PIC模拟仿真的基础上,完成了理论设计,装配出实验系统,并进行了热测实验。实验中采用了束流脉宽为70 ns的环形电子注,引导磁场为2.2 T,二极管电压为557 kV,电流约为1.8 kA,实验测得在W波段有1.2 MW的峰值功率输出。     

螺距和磁场强度与周期的跳变在Ka波段行波管中的应用

以弱色散特性的扇形金属-介质夹持杆螺旋线慢波结构的Ka波段行波管作为研究对象,进行了互作用特性仿真研究。采用螺距跳变和磁场跳变技术进一步提高了该行波管在工作频带的输出功率和电子效率,并解决了电子注散焦问题。设计结果表明:当工作电压为9 kV、工作电流为210 mA时,行波管在24~40 GHz整个频带内,各频点的增益在37.7~48.7 dB之间,电子效率在15.18%~19.42%之间,输出功率大于286 W。此结果较之均匀周期的设计结果,电子效率增幅在4.19%以上,输出功率增长率在4.3%以上,尤其在26~37 GHz范围内,电子效率增幅达到了11.8%以上,输出功率增长率达11.9%。     

4He+在Al和Si单晶晶面沟道中的半波长及阻止本领

采用高分辨探测系统,在不同的入射角θ_in和出射角θ_out的条件下,测量了1—2MeV⁴He⁺入射在Al(100)面和Si(110),(100)面中的背散射能谱。得到了背散射能谱振荡峰的间距ΔE与cosθ_in/cosθ_out的直线关系,从而获得了1—2MeV⁴He⁺在这三个晶面中的振荡半波长及阻止本领。实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致,晶面沟道方向的阻止本领略大于随机方向的阻止本领。 关键词：