用阻塞效应测量~28Si 13.095MeV激发态能级寿命

改进Al单晶样品的处理方法,得到了高质量的样品。进行了Al单晶辐照损伤实验,直接测量了E_p=1565keV时~(27)Al(p,α)~(24)Mg共振所形成的~(28)Si13.095MeV激发态能级寿命。采用Monte Carlo模拟和“分析”方法计算得到其寿命值τ=16.3±2.4as,对应的能级宽度Γ=40±6eV,与文献报道的共振产额法结果符合得较好。     

平面阻塞效应测量Ep=1565keV时27Al(p,α)24Mg共振反应寿命

采用(111)面阻塞效应测量了E_p=1565keV共振时²⁷Al(p,α)²⁴Mg核反应寿命。用解析方法分析实验数据。测到的核寿命τ=17.9_-4.0^+4.4as,与<110>轴阻塞效应测量结果和文献给出的结果在误差范围内一致。测量了E_p=1183.4keV时(111)面的α粒子的阻塞分布,并与理论计算作了比较。 关键词：     

用阻塞效应测量28Si 13.095MeV激发态能级寿命

改进Al单晶样品的处理方法,得到了高质量的样品。进行了Al单晶辐照损伤实验,直接测量了E_p=1565keV时²⁷Al(p,α)²⁴Mg共振所形成的²⁸Si 13.095MeV激发态能级寿命。采用MonteCarlo模拟和“分析”方法计算得到其寿命值τ=16.3±2.4as,对应的能级宽度Γ=40±6eV,与文献报道的共振产额法结果符合得较好。 关键词：     

平面阻塞效应测量E_p=1565keV时~(27)Al(p,α)~(24)Mg共振反应寿命

采用(111)面阻塞效应测量了E_p=1565keV共振时~(27)Al(p,α)~(24)Mg核反应寿命。用解析方法分析实验数据。测到的核寿命τ=17.9_(-4.0)~(+4.4)as,与<110>轴阻塞效应测量结果和文献给出的结果在误差范围内一致。测量了E_p=1183.4keV时(111)面的α粒子的阻塞分布,并与理论计算作了比较。