γ射线总剂量辐照效应对应变Si p型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压与跨导的影响研究

分析了双轴应变Si p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在γ射线辐照下载流子的微观输运过程,揭示了γ射线的作用机理及器件电学特性随辐照总剂量的演化规律,建立了总剂量辐照条件下的双轴应变Si PMOSFET阈值电压与跨导等电学特性模型,并对其进行了模拟仿真.由仿真结果可知,阈值电压的绝对值会随着辐照总剂量的积累而增加,辐照总剂量较低时阈值电压的变化与总剂量基本呈线性关系,高剂量时趋于饱和;辐照产生的陷阱电荷增加了沟道区载流子之间的碰撞概率,导致了沟道载流子迁移率的退化以及跨导的降低.在此基础上,进行实验验证,测试结果表明实验数据与仿真结果基本相符,为双轴应变Si PMOSFET辐照可靠性的研究和应变集成电路的应用与推广提供了理论依据和实践基础.     

直接带隙Ge$lt;sub$gt;1-$lt;em$gt;x$lt;/em$gt;$lt;/sub$gt;Sn$lt;sub$gt;$lt;em$gt;x$lt;/em$gt;$lt;/sub$gt;本征载流子浓度研究

通过合金化改性技术, Ge可由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体. 改性后的Ge半导体可同时应用于光子器件和电子器件, 极具发展潜力. 基于直接带隙Ge_1-xSn_x半导体合金8带Kronig-Penny模型, 重点研究了其导带有效状态密度、价带有效状态密度及本征载流子浓度, 旨在为直接带隙改性Ge半导体物理的理解及相关器件的研究设计提供有价值的参考. 研究结果表明: 直接带隙Ge_1-xSn_x合金导带有效状态密度随着Sn组分x的增加而明显减小, 价带有效状态密度几乎不随Sn组分变化. 与体Ge半导体相比, 直接带隙Ge_1-xSn_x合金导带有效状态密度、价带有效状态密度分别低两个和一个数量级; 直接带隙Ge_1-xSn_x合金本征载流子浓度随着Sn组分的增加而增加, 比体Ge半导体高一个数量级以上. 关键词： 1-xSn_x')" href="#">Ge_1-xSn_x 直接带隙 本征载流子浓度     

阶化Cartan型代数S(m;n)的不可约表示及其约化

设L=S(m;n)是定义在特征P＞3的代数闭合域F上的阶化特殊型李代数,利用已研究L的不可约表示的方法,通过定义L的如下阶化:限制情形定义L=(田)q≥-1 L[q],I,非限制情形定义(L)=(田)q≥-1 (L)[q],I,这里是L的本原P-包络,有表达式(L)=(田)mΣi=1 ni-1Σdi=1 FDpidi,而I是{1,2,…,m)的子集,得到当P-特征标x是正则半单时,在限制李代数情形所有不可约Ux(L)-模都是从不可约Ux(L[0],I)-模诱导的;在非限制的情形,所有不可约U(x)(L),(Upx(L,x))-模都是从不可约L(x)_(L[0],I)-模诱导的,这里(x)是x到(L)*上的平凡扩张.     

SiGe HBT势垒电容模型

在考虑SiGe HBT的势垒电容时，通常的耗尽层近似不再适用，应考虑可动载流子的影响.在分析研究SiGe HBT载流子输运的基础上，建立了考虑发射结势垒区内载流子分布的发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容模型.将以上势垒电容 模型应用于SiGe HBT频率特性模拟，模拟结果与实验结果符合得很好. 关键词： SiGe HBT 势垒电容 微分电容     

基于智能剥离技术的SOI材料制备

优化了硅片低温直接键合与智能剥离技术的工艺流程，在550℃，2.1×10^-2 Pa条件下制备了SOI材料，其顶层单晶Si膜的表面粗糙度为8.5 nm，缺陷密度为90 cm^-2，键合强度达到153.7 kg/cm²，形成的SOI结构除了可以形成三维集成电路中有源层间良好的绝缘层，避免了高温过程对有源层器件结构、材料及性能的影响，还能为三维集成电路后续有源层的制造提供高质量的单晶硅材料. 关键词： 绝缘体上硅 智能剥离 低温直接键合     

Subalgebras Generated by all Adjoint p－nilpotent Elements and Their Normalizers in Graded Lie Algebras of Cartan Type

ＳｕｂａｌｇｅｂｒａｓＧｅｎｅｒａｔｅｄｂｙａｌｌＡｄｊｏｉｎｔｐ－ｎｉｌｐｏｔｅｎｔＥｌｅｍｅｎｔｓａｎｄＴｈｅｉｒＮｏｒｍａｌｉｚｅｒｓｉｎＧｒａｄｅｄＬｉｅＡｌｇｅｂｒａｓｏｆＣａｒｔａｎＴｙｐｅＳｈｕＢｉｎ（舒斌）（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｐ...     

SiGe电荷注入晶体管的直流特性模型

为了能直观地体现SiGe/Si电荷注入晶体管的收集极电流与漏源电压的关系，利用输入端SiGe/Si量子阱中二维空穴气的隧道模型，建立起此类器件的输入输出数学模型，并利用MATLAB软件对所建模型进行了模拟，结果显示在漏源电压约为1.5 V时，漏电流出现较强的负微分电阻效应，与文献报道结果符合. 关键词： SiGe/Si异质结 电荷注入晶体管 二维空穴气 隧道效应     

Cartan型李代数的自同构群

本文证明了素特征域 Ｆ上广义 Ｃａｒｔａｎ型李代数的自同构群都是 ＡｕｔＷ（ｍ,ｎ）的子群．文中对于除幂代数相应的可容许自同构给出了刻划,从而对广义 Ｃａｒｔａｎ型李代数的自同构给出了刻划     

固相微萃取技术在水样污染物检测中的应用

固相微萃取是一种具有高灵敏度、回收率和重复性等优点的前处理技术,广泛应用于水中痕量污染物的处理。本文从固相微萃取装置、基本原理及其在水样污染物检测的中应用展开介绍,并以固相微萃取作为主题检索词,利用ISI Web of Knowledge中Web of Science引文数据库,对1998年到2012年间的相关文献进行计量分析。检索分析结果表明,固相微萃取主要应用于水样前处理,杀虫剂和多环芳香烃是主要的富集对象,气相、液相色谱及质谱是常使用的检测仪器。