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与传统的端发射半导体激光器相比,垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)具有可单模输出,光束对称性好,可被高度聚焦,进入光纤的耦合效率极高和有利于大规模二维列阵等优 点.为了得到高功率的激光输出,除了要增大VCSEL的发射面积之外,关键的是要选择适 当的量子阱层数、有源区电流密度的均匀分布和良好的热管理等.本文详细研究和分析了高功率VCSEL有源区量子阱层数,有源区直径,材料的热导和电阻,电极间距等对VCSEL 器件性能的影响.通过优化参数,进行最佳设计,研制出了980 nm In0.2Ga0.8As/Ga
关键词:
垂直腔面发射激光器(VCSEL)
量子阱
高功率 相似文献
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The semiconductor laser array with single-mode emission is presented in this paper. The 6-μ m-wide ridge waveguides (RWGs) are fabricated to select the lateral mode. Thus the fundamental mode of laser array can be obtained by the RWGs. And the maximum output power of single-mode emission can reach 36 W at an injection current of 43 A, after that, a kink will appear. The slow axis (SA) far-field divergence angle of the unit is 13.65°. The beam quality factor M2 of the units determined by the second-order moment (SOM) method, is 1.2. This single-mode emission laser array can be used for laser processing. 相似文献
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太赫兹频率的相干声子在纳米尺度器件的探测和操控领域具有重要的应用价值。半导体超晶格声子激光器是实现太赫兹频率相干声子源稳定输出的重要途径。本文首先回顾了GHz到THz频率范围声学放大的多种方法,然后详细阐述了超晶格声子放大、超晶格声学布拉格镜的工作原理与设计方法以及声子激光器的阈值条件,同时总结了电抽运和光抽运结构器件的研究现状,最后简要讨论了亚太赫兹声子激光器在声-电子领域的应用。分析表明,这种能够产生强相干太赫兹声子的半导体超晶格声子激光器在纳米尺度器件的探测与成像等方面具有广阔的发展前景。 相似文献
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为了研究低透过率下隧道照明亮度对能见度的影响,为低透过率条件下隧道照明亮度的调节提供依据,分别以两种不同光谱特性的摄像机作为观测装置获得了透过率、照明亮度、目标/背景对比度三者之间的变化关系.实验结果表明:目标/背景对比度随照明亮度的增加而增加,两者呈非线性关系;透过率限定了目标/背景对比度所能达到的最大值;在一定的亮度范围内,提高亮度增加目标/背景对比度可以有效改善能见度.当照明亮度较高时,提高照明亮度对能见度影响不大;当照明亮度较低时,提高照明亮度对能见度提高的效果明显.因此,根据透过率按比例调节照明亮度能保证能见度和行车安全. 相似文献
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利用亚波长矩形金属光栅的偏振特性,在垂直腔面发射激光器的有源区引入各向异性增益从而达到控制其偏振的目的。光栅参数设计基于均匀介质理论和抗反射理论,光栅设计周期为186 nm,占空比为0.5,并且光栅制作于GaAs盖层来对TE偏振光提供额外的反射率。经过设计分析对p-DBRs的对数进行了缩减,并且将光栅条之间的盖层区域刻蚀掉,刻蚀深度为1μm左右。盖层刻蚀的结果使电流注入的方向严格沿着光栅条线性注入的有源区,从而增加了非均匀增益并提高了偏振比。通过多物理场有限元分析软件对器件进行了模拟分析,结果基本上符合设计要求。通过优化工艺步骤,最终得到了550μm孔径器件的输出功率为780 mW,并且偏振比达到4.8的结果。 相似文献
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利用模式耦合理率推导出长周期光纤光栅(LPG)温度特性的一般关系式;通过测试周期为400 ̄600μm的长周期光纤光栅的温度特性,确定了芯内导模与被耦合的不同包层模间的热光系数差,并结合长周期光栅温度特性关系式总结出长周期光栅温度灵繁度与光栅周期和耦合包层模阶次的对应关系;在理论与实验的基础上,提出了改善长周期光栅温度稳定性的方法。 相似文献