修理设备可更换的Gnedenko系统可靠性分析

本文考虑Gnedenko系统,其中修理设备可能失效,失效后可用新的修理设备更换。假设修理设备具有指数失效分布和一般更换时间分布。本文用马尔可夫更新过程工具和Takács的方法,讨论了系统的随机性状,并求得修理设备的可用度和失效频度。     

高剥离氩离子电子碰撞电离参数评估

基于可以得到的理论和实验数据，对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氯、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估，发现对基态类氢、类氯和类锂氩离子的碰撞电离，在不考虑共振过程的情况下，我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的，但对于激发态的碰撞电离过程。还有待于可靠的数据比较，此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律。     

高剥离氩离子电子碰撞电离参数评估

基于可以得到的理论和实验数据,对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氦、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估.发现对基态类氢、类氦和类锂氩离子的碰撞电离,在不考虑共振过程的情况下,我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的.但对于激发态的碰撞电离过程,还有待于可靠的数据比较.此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律.     

0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Q_bd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, V_bd). 研究结果表明，低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小，而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大，击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词： 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量     

多约束下的串、并联混合系统可靠度与冗余度的优化判定模型及算法

本文给出了单目标多约束下串、并联混合系统中 ,由选取重要单元 (重要度最大的单元 )的方法 ,来提高系统可靠度的有效优化判定模型及算法 ,用同样思想给出了串、并联系统中冗余度的优化判定模型及算法     

Duane模型在斯特林制冷机研制过程中的应用

介绍一种实用的可靠性增长模型杜安 (Duane)模型 ,并探讨如何运用该模型来分析、指导斯特林制冷机的可靠性增长试验 ,包括试验前的准备、试验数据的处理、曲线的绘制 ,以及如何对增长过程进行估计和监测     

具有位相型修理的离散时间可修排队系统

本文研究了具有一般独立输入，位相型修理的离散时间可修排队系统，假定服务台对顾客的服务时间和服务台寿命服从几何分布，运用矩阵解析方法我们给出系统嵌入在到达时刻的稳态队长分布和等待时间分布，并证明这些分布均为离散位相型分布．我们也得到在广义服务时间内服务台发生故障次数的分布，证明它服从一个修正的几何分布．我们对离散时间可修排队与连续时间可修排队进行了比较，说明这两种排队系统在一些性能指标方面的区别之处．最后我们通过一些数值例子说明在这类系统中顾客的到达过程、服务时间和服务台的故障率之间的关系．     

基于可靠性的相位去包裹算法

提出了一种新的基于可靠性的相位去包裹算法。采用了队列算法及去包裹可靠性的判别标准。与传统方法相比,能够自动避开噪声区域,解决了相位去包裹中的阴影遮挡以及空洞等问题,克服了传统去包裹方法中的误差传播效应,能准确快速地对全场进行相位去包裹。设计了一套基于此算法的三维形面测量系统。     

区域技术创新系统评估体系的研究

技术创新对提升企业竞争力、提高综合国力、促进经济增长和国家持续发展非常重要。本在研究了区域经济发展和国家创新系统的相关献基础上，建立了系统、量化的区域技术创新系统评估指标体系，提出了决定区域创新系统技术创新能力的主要因素，并用TOPSIS方法对指标的量化进行了尝试。     

基于累积损伤过程的不完全预防维护决策

基于累积损伤过程研究旧系统的不完全预防维护策略,冲击服从非时齐Poisson过程,并产生随机的损伤量,损伤量是加法累加的.系统在累积损伤量达到k或系统运行年龄达到T时进行计划内预防维护.在两次计划内预防维护之间,当累积损伤量达到预定水平K (k K)时,对系统进行计划外维护,其费用高于计划内预防维护,利用再生过程理论得到单位时间维护成本,讨论在时齐Poisson过程下的时间预防维护策略与水平预防维护策略,同时给出算例.