纯LaAlO3和Ce3+:LaAlO3单晶的吸收谱和透过谱研究

本文采用中频感应提拉法成功生长了LaAlO3和Ce3+:LaAlO3晶体.沿生长方向即α轴方向切割、抛光后得到实验样品.测试了氢气退火前后纯LaAlO3和Ce3+:LaAlO3从190nm到2500nm的吸收谱和透过谱.测试结果表明:纯LaAlO3晶体在196～220nm处出现宽带吸收,氢气退火后此一波段的吸收系数明显降低;未退火的Ce:LaAlO3晶体在196～209nm,246nm,314nm出现明显的吸收波段,氢气退火后其吸收谱发生显著变化,在198,206,214,246和314nm处出现对应于Ce3+的4f-5d的跃迁吸收;Ce:LaAlO3晶体较之纯LaAlO3晶体在红外区的透过率要高;氢气退火后,Ce:LaAlO3晶体和纯LaAlO3晶体在红外区的透过率下降.     

氧化锌晶体的研究进展

基于ZnO的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体ZnO材料的新的研究热潮.ZnO以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对ZnO单晶的研究有重要的理论和实践意义.目前生长ZnO的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等,但所生长的ZnO单晶的尺寸和质量都有待于提高.     

国产大尺寸钛宝石晶体助力世界最强脉冲激光放大输出

自主研发成功热交换法生长大尺寸钛宝石晶体设备,生长出完整无开裂的钛宝石激光晶体毛坯,经加工获得尺寸达φ235 mm×72 mm的晶体元件.在180 mm口径范围内,晶体光学均匀性达到5.52×10-5,晶体应力双折射为5.0 nm/cm.大尺寸钛宝石晶体应用于上海超强超短激光实验装置,获得339 J激光脉冲能量输出,峰值功率达10.3 PW.     

A 5.9-mJ 500-Hz Electro-Optic Q-Switched 1053 nm Nd：LiLuF4 Laser

An efficient and high power 1053 nm electro-optic Q-switched Nd：LiLuF4 laser, end-pumped by two fiber coupled laser diodes at wavelength 806 nm, is reported for the first time. With an incident pump power of 24.4 W, the maximum laser output power of 7.3 W is achieved in free-running mode, and the optical conversion efficiency is 29.8%. For the Q-switched operation, the shortest pulse width of 17ns is obtained at the pulse repetition rate of 500 Hz, corresponding to the pulse energy of 5.9mJ with the peak power of 0.35 MW.     

频带色散法改善宽线宽激光受激布里渊散射效果的实验研究

利用频带色散法，让宽线宽，多横模电光调Q Cr:LiSAF激光输出脉经过多个色散棱镜，频带被色散后，再聚焦到装有CS2散射介质的池中，产生后向受激布里渊散射，脉宽的压缩率较大，约为5倍，与无色散棱镜情况相比，阈值能量有所降低，并能很有效改善抽运激光的光束质量。     

Ce:Lu2Si2O7闪烁晶体的结构和光谱特性

采用中频感应提拉法生长出Ce:Lu₂Si₂O₇（Ce:LPS） 晶体. 通过x射线粉 末衍射分析，晶体结构属单斜晶系的C2/m空间群. 光学显微镜下可观测到晶体的（110 ）解理. 在室温下测试了Ce:LPS晶体的吸收光谱、激发光谱和发射光谱. 结果表明，Ce:LPS 晶体的吸收峰只有两个，分别位于302和349 nm，且与激发峰的位置一致，归因于Ce³⁺ 的4f¹→5d¹跃迁的特征吸收所致. 发射光谱具有Ce^{3+< /sup>典型的双峰特征 ，经Gaussian多峰值拟合，带状谱是由384和407 nm两个发射峰叠加而成，且后者的强度明 显高于前者. 关键词： 2Si₂O₇')" href="#">Ce:Lu₂Si₂O₇ 提拉法 晶体结构 光学 特性}     

Ce:Lu2Si2O7闪烁晶体的结构和光谱特性

采用中频感应提拉法生长出Ce:Lu2Si2O7(Ce:LPS)晶体.通过x射线粉末衍射分析,晶体结构属单斜晶系的C2/m空间群.光学显微镜下可观测到晶体的(110)解理.在室温下测试了Ce:LPS晶体的吸收光谱、激发光谱和发射光谱.结果表明,Ce:LPS晶体的吸收峰只有两个,分别位于302和349 nm,且与激发峰的位置一致,归因于Ge3+的4f1→5d1跃迁的特征吸收所致.发射光谱具有Ce3+典型的双峰特征,经Gaussian多峰值拟合,带状谱是由384和407 nm两个发射峰叠加而成,且后者的强度明显高于前者.     

弛豫型铁电晶体0.92PZN-0.08PT的光吸收特性

本文研究了0．92PZN－0．08PT晶体的紫外－可见－近红外透过光谱，确定了它的吸收边波长为380nm,计算出该晶体在此波段的吸收系数，拟出了吸收系数与光子能量的关系曲线，由吸收系数的平方根与光子能量的曲线揭示出电子吸收光子能量后从价带到导带的跃迁是有声子吸收和发射的间接带隙跃迁。     

Cr~(3+)在Y_3Ga_5O_(12)晶体中的能级和光谱特性

本文报道用熔盐法生长的Y_3Ga_5O_(12):Cr~(3+)晶体的能级和光谱特性.在室温下;测得~4T_2和~2E能级的有效荧光寿命为205μs,荧光光谱中心波长为727nm.根据Tanabe-Sugano理论计算了晶场能级,并求得了晶场强度参数D_q、Bacah参数B和C以及参数△分别为1626、645、2950和538cm~(-1).