F掺杂SnO2电子结构的模拟计算

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对SnO2:F体系的电子结构进行了第一性原理模拟计算.用广义梯度近似方法优化SnO2:F体系的晶胞结构,计算了体系基态总能.通过确定F掺杂对O的优先替代位置,计算了SnO2:F的能带结构、态密度、分波态密度.分析了F掺杂对SnO2晶体的电子结构和晶体性质及光学吸收边的影响,从理论上得出光学吸收边发生蓝移.对不同掺杂量的体系电子结构进行了分析.     

Ga2S3∶Eu2+和SrGa2+xS4+y∶Eu2+系列荧光粉的发光性能研究

采用高温固相法合成了Ga2S3∶Eu2+和SrGa2S4∶Eu2+系列荧光粉. 发现Ga2S3∶Eu2+的发射峰位于570 nm附近, SrGa2S4∶Eu2+的发射峰位于535 nm附近. 同时进一步探讨了SrGa2+xS4+y∶Eu2+体系中, 过量的Ga对发光的影响, 通过漫反射光谱和XRD谱确定过量的Ga是以Ga2S3的形式存在于SrGa2S4相中; 通过荧光光谱发现过量的Ga并不引起SrGa2S4∶Eu2+发射峰的位移, 而是增强其在400～520 nm处激发峰的强度, 从而增强Eu2+在535 nm处的发光强度.     

Ga2S3：Eu^2＋和SrGa^2＋xS4＋y：Eu^2＋系列荧光粉的发光性能研究

采用高温固相法合成了Ga2S3：Eu^2 和SrGa2S4：Eu^2 系列荧光粉。发现Ga2S3：Eu^2 的发射峰位于570nm附近，SrGa2S4：Eu^2 的发射峰位于535nm附近。同时进一步探讨了SrGa2 xS4 y：Eu^2 体系中，过量的Ga对发光的影响，通过漫反射光谱和XRD谱确定过量的Ga是以Ga2S3的形式存在于SrGa2S4相中；通过荧光光谱发现过量的Ga并不引起SrGa2S4：Eu^2 发射峰的位移，而是增强其在400-520nm处激发峰的强度，从而增强Eu^2 在535nm处的发光强度。     

High-performance germanium n~+/p junction by nickel-induced dopant activation of implanted phosphorus at low temperature

High-performance Ge n~+/p junctions were fabricated at a low formation temperature from 325℃ to 400℃ with a metal(nickel)-induced dopant activation technique. The obtained Ni Ge electroded Ge n+/p junction has a rectification ratio of 5.6×10~4 and a forward current of 387 A/cm~2at -1 V bias. The Ni-based metal-induced dopant activation technique is expected to meet the requirement of the shallow junction of Ge MOSFET.     

基于镍钛合金人工肌肉纤维的体表加压实验研究

抗荷服广泛用于航空防护救生领域，通过抗荷服的气动加压对人体表面施加压力，限制血液向下流动，减轻脑部供血不足和脏器位置移动对飞行员造成身体损伤。从而提高飞行员在机动飞行的抗过载能力,保证飞行安全。本文通过镍钛合金纤维人工肌肉用于人体加压的研究。与传统管式抗荷服进行加压实验对比发现镍钛合金纤维人工肌肉纤维实验过程中产生的表面压力与管式抗荷服形成的体表平均压力相近，实验值理论上可达到抗过载所需的体表压力。通过电驱动产生的加压响应速度较管式抗荷服充气式更快，可摆脱传统抗荷所需复杂供气系统，在航空防护救生领域具有较大的应用潜力。