碲锌镉晶体晶格畸变的测定与分析

在高分辨X射线衍射仪上,利用不对称布拉格衍射STD技术与单晶摇摆曲线技术相结合的方法,对碲锌镉单晶材料的晶格畸变进行了分析测定.此方法实现了一次装样,多角度、多次测定晶体的摇摆曲线,从而利用多组实验数据完成多元线性回归方程组的求解,避开了一般应变测定方法中难以确定无应力状态下衍射角的问题.所测定的生长态碲锌镉晶片晶格畸变量为10-3～10-2数量级,该畸变量是碲锌镉晶片存在成份偏析、位错和空位等缺陷以及晶片受到的应力综合作用的结果.     

近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀

研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析.利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究.结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形.在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pit density)约在105/cm2数量级.HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成.HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹.该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好.     

ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究

本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH4)3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比。研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响。采用SEM、AFM、EDS和PL谱技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性。研究结果表明,热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素;气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方面扮演了关键角色,Zn(NH4)3Cl5的存在使得Zn(g)和Se2(g)合成ZnSe晶体的反应转变为气固非一致反应,从而更容易获得近乎理想化学计量比的ZnSe薄膜。ZnSe薄膜在氦镉激光激发下,室温下PL谱由近带边发射和(VZn-ClSe)组合的SA发光组成,而在飞秒激光激发下,仅在481nm处显示出强烈的双光子发射峰。     

“氢弹之父”爱德华·特勒

他 ,享有美国“氢弹之父”美誉 ;他 ,因陷害“原子弹之父”遭唾骂 ;他 ,是一个毁誉参半的传奇人物。2 0 0 3年 9月 9日 ,被誉为美国“氢弹之父”的爱德华·特勒去世 ,享年 95岁。“氢弹之父”出生在犹太家庭据美联社报道 ,半个多世纪来对美国防御政策产生重大影响、被誉为美国“氢弹之父”的美国著名核物理学家爱德华·特勒 (EdwardTeller)因脑中风 ,于 2 0 0 3年 9月 9日在加利福尼亚州斯坦福的家中去世 ,享年 95岁。爱德华·特勒于 190 8年 1月 15日出生于匈牙利首都布达佩斯的一个犹太家庭 ,父亲是一名律师 ,母亲是钢琴家。和爱因斯坦一…     

迁徙海龟靠地磁场找到回归路

 迁徙中的海龟如何找到回归路?美国科学家在研究多年后发现,地球磁场是海龟回家时的罗盘和地图。有关成果发表在2004年4月29日出版的英国《自然》杂志上。生殖季节到了,经过几年甚至十几年的生长已达到性成熟的海龟都踏上返回故乡的征程,到它们的出生地去生儿育女。人们将标记系在海龟身上,研究它们在海里的行动情况,发现它们并不是任意漂泊游荡,而向着目的地迅速前进。棱皮龟的游速可达每小时14千米以上。在南非塔尔标志的一只蠵龟,91天后在东非沿岸向北2500多千米处被捕到。在巴西近海柄息的棱皮龟经过8个星期的跋涉,不吃不喝,横渡1400海里,到大西洋的复活节岛上产卵。还有的记录更远,从南美洲到非洲西部,其间的距离达5920千米。     

安德烈·马里·安培

安培(1775—1836年)是杰出的法国物理学家,数学家,近代电动力学的奠定者之一。他生于里昂的一个贵族家庭里。14岁安培就以极大的兴趣,读完了吉德罗和达拉姆柏主编的20卷“百科全书”,从而激发了他对自然科学、数学和哲学的兴趣。他非常爱好自然科学,从青年时代起,他就醉心于研究植物学、化学、物理和数学。1801年     

SOLUTE REDISTRIBUTION IN THE INITIAL TRANSIENT REGION OF DIRECTIONAL SOLIDIFICATION SPECIMEN

The solute redistribution during initial transient process of directional solidification of a binary alloy is associated with the solid-liquid interface advancing velocity which will pass a hysteretic process approaching to the externally imposed velocity. In the present paper, a new accelerated growth equation, dV/dt = μG[m/G·(dG_L^*)/dt+V_e-V] is deduced, based on which a new formula for the initial transient solute redistribution is obtained with the reasonable assumption that the solid-liquid interface advancing velocity changes exponentially during solidification. It shows that the kinematic effect dominates solidification at high velocity while the coupling effect of thermal and mass transportation controls that at lower velocity.In addition, another new equation to calculate the time required for a planar interface to lose stability is also found. Since the effects of the imposed thermal gradient are taken into account in the new equations, they are more reasonable and satisfactory than those given by Tiller et al. and by Smith et al.