全文获取类型
收费全文 | 2297篇 |
免费 | 1317篇 |
国内免费 | 764篇 |
专业分类
化学 | 838篇 |
晶体学 | 192篇 |
力学 | 28篇 |
综合类 | 71篇 |
数学 | 88篇 |
物理学 | 3161篇 |
出版年
2024年 | 13篇 |
2023年 | 67篇 |
2022年 | 89篇 |
2021年 | 75篇 |
2020年 | 55篇 |
2019年 | 67篇 |
2018年 | 30篇 |
2017年 | 71篇 |
2016年 | 73篇 |
2015年 | 87篇 |
2014年 | 198篇 |
2013年 | 156篇 |
2012年 | 176篇 |
2011年 | 179篇 |
2010年 | 135篇 |
2009年 | 159篇 |
2008年 | 285篇 |
2007年 | 167篇 |
2006年 | 194篇 |
2005年 | 220篇 |
2004年 | 206篇 |
2003年 | 212篇 |
2002年 | 199篇 |
2001年 | 156篇 |
2000年 | 132篇 |
1999年 | 102篇 |
1998年 | 94篇 |
1997年 | 151篇 |
1996年 | 113篇 |
1995年 | 100篇 |
1994年 | 75篇 |
1993年 | 66篇 |
1992年 | 74篇 |
1991年 | 57篇 |
1990年 | 54篇 |
1989年 | 69篇 |
1988年 | 8篇 |
1987年 | 5篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
排序方式: 共有4378条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
22.
23.
24.
宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展 总被引:9,自引:4,他引:5
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。 相似文献
25.
26.
在半导体光催化剂中,TiO2具有光催化活性高、无毒和抗光腐蚀性好等优点,但纯TiO2光催化剂直接利用太阳光进行光催化氧化的效率较低,而利用贵金属元素和稀土元素等在TiO2中进行掺杂改性时,改性光催化反应必须在高压汞灯或紫外灯下进行,不符合节能原则。 相似文献
27.
28.
29.
Multiple—Scattering of Near—Edge x—ray Absorption Fine Structure of Sulphur—Passivated InP(100) Surface 下载免费PDF全文
We use the multiple-scattering cluster method to calculated the sulphur 1s near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) of S-passivated InP(100) surface.The physical origins of the resonances in the NEXAFS have been unveiled.It is shown that the most important resonance is attributed to the photoelectron scattering between the central sulphur and the nearest indium atoms.The studies show that two S-S dimers with the bond lengths of 2.05A and 3.05A coexist in the surface,meanwhile the bridge and antibridge site adsorption of single S could not be ruled out.We support the scanning tunnelling microscopy result that the S-passivated InP(100) surface exhibits significant discorder. 相似文献
30.
稀磁半导体Zn1-xMnxTe吸收光谱压力红移的理论研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以自由Mn2+离子的径向波函数为基础,通过引入电子云延伸效应系数κ来修正这一径向波函数,得到了稀磁半导体Zn1-xMnxTe晶体中Mn2+离子的径向波函数.以此波函数为基础,研究了Zn1-xMnxTe晶体吸收光谱的高压谱移特性,并且得到了吸收谱中四条谱线随压力的红移规律. 相似文献