首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2297篇
  免费   1317篇
  国内免费   764篇
化学   838篇
晶体学   192篇
力学   28篇
综合类   71篇
数学   88篇
物理学   3161篇
  2024年   13篇
  2023年   67篇
  2022年   89篇
  2021年   75篇
  2020年   55篇
  2019年   67篇
  2018年   30篇
  2017年   71篇
  2016年   73篇
  2015年   87篇
  2014年   198篇
  2013年   156篇
  2012年   176篇
  2011年   179篇
  2010年   135篇
  2009年   159篇
  2008年   285篇
  2007年   167篇
  2006年   194篇
  2005年   220篇
  2004年   206篇
  2003年   212篇
  2002年   199篇
  2001年   156篇
  2000年   132篇
  1999年   102篇
  1998年   94篇
  1997年   151篇
  1996年   113篇
  1995年   100篇
  1994年   75篇
  1993年   66篇
  1992年   74篇
  1991年   57篇
  1990年   54篇
  1989年   69篇
  1988年   8篇
  1987年   5篇
  1985年   5篇
  1984年   2篇
  1983年   1篇
  1982年   1篇
排序方式: 共有4378条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
Fe2O3纳米微粒溶胶非线性光学特性的Z-扫描研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
利用Z扫描技术在透明区域研究了Fe2O3纳米微粒水溶胶和表面包覆有机溶胶的非线性光学特性,给出了非线性折射率γ、双光子吸收系数β、自由载流子折射系数σr和自由载流子吸收截面σab等重要物理参数,讨论了自由载流子效应对Fe2O3纳米微粒非线性特性的影响 关键词:  相似文献   
22.
介绍了光敏玻璃的制作方法,光热化学反应原理及其各种用途。讨论了组成,光照时间及热处理温度对光敏玻璃的透光率、颜色、光敏特性等物理,化学性质的影响。  相似文献   
23.
利用半导体光放大器进行光脉冲消基座的理论研究   总被引:5,自引:4,他引:1  
提出了一种利用半导体光放大器(SOA)联合可调谐光滤波器进行高阶孤子压缩消基座的新方法.进行了详尽的理论分析和优化.数值计算表明,在一定条件下,这种方法能够在不展宽脉冲的前提下,对基座进行有效地抑制.  相似文献   
24.
范希武 《发光学报》2002,23(4):317-329
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。  相似文献   
25.
考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ-Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数,特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好,而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。  相似文献   
26.
在半导体光催化剂中,TiO2具有光催化活性高、无毒和抗光腐蚀性好等优点,但纯TiO2光催化剂直接利用太阳光进行光催化氧化的效率较低,而利用贵金属元素和稀土元素等在TiO2中进行掺杂改性时,改性光催化反应必须在高压汞灯或紫外灯下进行,不符合节能原则。  相似文献   
27.
激光准直仪的设计性物理实验   总被引:2,自引:1,他引:1  
黄水平  胡德敬 《物理实验》2004,24(5):31-33,36
介绍了激光准直仪的结构、工作原理及其在设计性物理实验中的应用  相似文献   
28.
29.
We use the multiple-scattering cluster method to calculated the sulphur 1s near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) of S-passivated InP(100) surface.The physical origins of the resonances in the NEXAFS have been unveiled.It is shown that the most important resonance is attributed to the photoelectron scattering between the central sulphur and the nearest indium atoms.The studies show that two S-S dimers with the bond lengths of 2.05A and 3.05A coexist in the surface,meanwhile the bridge and antibridge site adsorption of single S could not be ruled out.We support the scanning tunnelling microscopy result that the S-passivated InP(100) surface exhibits significant discorder.  相似文献   
30.
稀磁半导体Zn1-xMnxTe吸收光谱压力红移的理论研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
以自由Mn2+离子的径向波函数为基础,通过引入电子云延伸效应系数κ来修正这一径向波函数,得到了稀磁半导体Zn1-xMnxTe晶体中Mn2+离子的径向波函数.以此波函数为基础,研究了Zn1-xMnxTe晶体吸收光谱的高压谱移特性,并且得到了吸收谱中四条谱线随压力的红移规律.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号