纳米Ge颗粒镶嵌薄膜的Raman散射光谱研究

研究了镶嵌在ＳｉＯ_２介质中的不同尺寸（４—１６ｎｍ）纳米Ｇｅ颗粒的Ｒａｍａｎ散射谱特征，与大块标准Ｇｅ晶体的散射峰相比，观察到了理论预期的纳米半导体粒子的Ｒａｍａｎ散射峰的宽化和红移现象．采用声子限域模型较好地解释了实验结果．探讨了ＳｉＯ_２介质基体作用于镶嵌Ｇｅ粒子的压应力以及纳米Ｇｅ粒子的表面界面效应对Ｒａｍａｎ散射光谱的峰形、峰位变化所产生的影响 关键词：     

六角结构金属α—Ti中的小角晶界

本文报道了六角结构金属α-Ti中小角晶界的透射电子显微镜观察结果。除倾侧间界外,还在基面、柱面上观察到扭转晶界。在柱面上的位错网络中还观察到c型位错,但尚未观察到c型位错的运动,这可能与c型位错有较高的Peierls应力有关。 关键词：     

六角结构金属中特殊位错组态的分析

本文从稳定的位错组态的能量最低原理出发,分析了六角结构金属中能够出现的特殊位错组态,这些位错组态由两组分别位于间距很小的两个滑移面上的位错列阵组成,用透射电子显微镜观察时,它们呈现为有规则的位错“网络”。 关键词：     

纳米锗颗粒镶嵌薄膜的荧光特性研究

研究了不同颗粒尺寸的纳米Ge-SiO₂镶嵌薄膜的室温荧光光谱以及不同激发光能量对荧光峰的影响．实验结果表明，沉积态Ge-SiO₂薄膜样品在可见光区域不发光．退火后的样品（平均锗颗粒尺寸为3.2—6.0nm）在380—520nm波长范围内有明显的蓝光发射现象．当用λ=300nm的光激发，观测到中心波长为420nm（2.95eV）的光致荧光峰；而用633nm波长的光激发，谱图上出现中心波长分别为420和470nm的两个荧光峰．随着纳米锗颗粒尺寸的增加，光致荧光峰的相 关键词：