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21.
2,3—二氨基吩嗪的薄层光谱电化学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了2,3—二氨基吩嗪(DAP)在金圆盘电极、金超微电极上的循环伏安行为 和在金网栅电极上的薄层循环伏安行为.在pH2.0的B—R缓冲溶液中的2,3—二氨 基吩嗪在金圆盘电极上为准可逆氧还过程;以超微电极法求得了2,3—二氨基吩嗪 在pH2.0的B—R缓冲溶液中的扩散系数,由耗竭性库仑电解和循环伏安法求得其电 极反应电子转移数和H+反应级数均为2,实验说明参与电极反应的H+也为2,并用循 环伏安法求得其标准电极反应速率常数.采用紫外—可见薄层光谱电化学方法测得 2,3—二氨基吩嗪的克式量电位和电子转移数,与电化学实验结果一致;双电位阶 跃—计时吸收紫外—可见薄层光谱电化学实验说明,2,3—二氨基吩嗪电还原无随 后化学反应,其在电极上经历了H+eH+e的两步一电子过程,生成产物2,3—二氨基 -5,10-二氢吩嗪. 相似文献
22.
用计时电位法测定镧在铝液中的扩散系数 总被引:2,自引:0,他引:2
采用新的阳极溶解的计时电位法,测定了稀土金属镧在铝液中的扩散系数。在973K时,测得(Al)=(1.21±0.02)×15~(5)cm~2·s~(-1)。在953~1053K温度范围内,扩散系数与温度的关系为lgD_(La)(Al)=1.04×10~(-4)—4770/T,计算出扩散激活能Q=91.34KJ/mol。 相似文献
23.
24.
CH2F2…H2O中强π型二级氢键 总被引:1,自引:3,他引:1
通过从头计算,用较大基组6-311+G(2d,2p),在MP2水平上计算得到CH2F2…H2O体系的优化几何构型,与实验结构一致.其中∠F…H-O=116.5°,偏离普通氢键之键角达到63.5°.为探讨产生氢键巨大弯曲的原因,采用点电荷扫描的办法,探测CH2F2…H2O体系中H2O的O原子上的两对孤电子对的方向,发现了一个强的π型二级氢键相互作用.使用这种新的相互作用方式说明了产生这一巨大氢键弯曲的原因,并且在MP4水平上使用Counterpoise技术计算了π型二级氢键的稳定化能. 相似文献
25.
26.
主要从光电性能角度总结了近几年硒吩聚合物/寡聚物在有机太阳能电池(OSCs)、场效应晶体管(FETs)、发光二级管(LED)等方面的研究进展。目前,基于聚硒吩并[3,4-b]硒吩-苯并二硒吩(PSeB2)(polyselenopheno[3,4-b]selenophene-co-benzodiselenophene)本体异质结太阳能电池器件的能量转化效率最高,达6.87%;场效应晶体管方面,基于PSeDPP(P28)器件的空穴迁移率最高达1.62cm2.V-1.s-1。基于PFO-DDSTQ(一种硒吩芴基聚合物)的发光二级管,表现出目前基于硒吩化合物的最长波长发光器件,EL光谱峰值约860nm。通过对研究者的研究成果的总结发现,在有机光电器件的应用领域中硒吩聚合物/寡聚物是一种极具应用前景的材料。 相似文献
27.
采用1-(3-二甲氨基丙基)-3-乙基碳二亚胺方法合成氨基甲酸乙酯(Ethyl carbamate,EC)新型人工抗原.将衰减全反射红外光谱法(ATR-FTIR)应用于人工合成抗原的表征分析,并结合荧光光谱分析EC人工抗原的偶联效果以及载体蛋白质分子的二级结构变化;通过质谱结合紫外光谱、电泳方法进行人工抗原的系统表征,计算新型人工抗原中半抗原分子与载体蛋白质分子的偶联比.结果表明:合成路线合理,成功获得了氨基甲酸乙酯新型人工抗原.人工抗原分子的α-螺旋、β-折叠和β-转角结构与载体蛋白质分子相比含量发生变化,人工抗原的荧光相图满足线性型态变迁关系,符合“二态模型”.氨基甲酸乙酯人工抗原分析表征的红外衰减全反射方法、基质辅助激光解析飞行时间质谱法获得的检测结果与其它光谱方法、电泳方法表征结果一致,获得人工抗原的偶联比为15∶1~19∶1,EC新型人工抗原免疫小鼠抗血清的效价为1∶25600. 相似文献
28.
29.
运用分子动力学模拟,研究了腺苷酸(激动剂)与A2AAR腺苷受体蛋白的相互作用和配体结合诱导的蛋白动力学变化.识别了与腺苷酸结合力强于0.5kcal/mol的关键基团:A63^2.61,I66^2.64,V84^3.32,L85^3.33,T88^3.36,F168^5.29,M177^5.38,L249^6.51,H250^6.52和N253^6.55,观察到腺苷酸没有与L167^5.28相互作用,这一结果支持了L167^5.28是抑制剂特异性结合位点,不与激动剂结合.未结合配体(激动剂或抑制剂)的单体A2AAR和腺苷酸结合后的A2AAR在构象上有三个不同功能性开关.腺苷酸结合可以诱导A2AAR腺苷受体蛋白的构象调整,使得三个功能性开关器件的构象与单体A2AAR不同. 相似文献
30.
《中国光学》2015,(2):299-312
对比激光辐射:纳米光学天线新进展
美国伯克利实验室的研究人员研发出一种纳米光学天线,可极大增强原子、分子和半导体量子点的自发辐射。该进展为发光二极管在短距光通信,包括光学互连芯片和其他潜在应用方面取代激光器开启了大门。伯克利实验室材料科学分部的电气工程师 Eli Yablonovi 说:“与受激光辐射相比,自发光辐射一直不被重视”。“但是,利用恰当的光学天线,自发光辐射实际上可以比受激光辐射更快。”Yablonovitch任教于加州大学伯克利分校,指导美国国家科学基金会中心从事节能电子科学(E3S)的研究,同时他也是伯克利Kavli 能源纳米科学研究所( Kavli ENSI )的成员之一。他率领的团队,使用金制成的外部天线,使铟镓砷磷制成的纳米棒的自发光辐射有效增强了115倍。这个接近200倍的增加,在减小受激光辐射和自发光辐射速度差方面,具有里程碑意义。当增加到200倍时,自发辐射率会超过受激辐射率。 Yablono-vitch说,“我们相信利用光学天线,自发辐射率增强有可能超过2500倍,同时保持50%以上的发光效率,”采用光学天线增强型发光二级管替换微芯片上导线,将实现更快的光互连和更强的计算能力。该项研究成果发
表在美国国家科学院学报( PNAS)中,论文题为“光学天线增强型自发光辐射”。在高科技的世界,激光无处不在,已经成为高速光通信的主力。然而,激光在诸如1m或更小的短距光通信方面也存在弊端--他们消耗过多电能,通常会占用太多空间。发管二极管将成为更有效的替代选择,但却受限于它们的自发辐射率。 相似文献
美国伯克利实验室的研究人员研发出一种纳米光学天线,可极大增强原子、分子和半导体量子点的自发辐射。该进展为发光二极管在短距光通信,包括光学互连芯片和其他潜在应用方面取代激光器开启了大门。伯克利实验室材料科学分部的电气工程师 Eli Yablonovi 说:“与受激光辐射相比,自发光辐射一直不被重视”。“但是,利用恰当的光学天线,自发光辐射实际上可以比受激光辐射更快。”Yablonovitch任教于加州大学伯克利分校,指导美国国家科学基金会中心从事节能电子科学(E3S)的研究,同时他也是伯克利Kavli 能源纳米科学研究所( Kavli ENSI )的成员之一。他率领的团队,使用金制成的外部天线,使铟镓砷磷制成的纳米棒的自发光辐射有效增强了115倍。这个接近200倍的增加,在减小受激光辐射和自发光辐射速度差方面,具有里程碑意义。当增加到200倍时,自发辐射率会超过受激辐射率。 Yablono-vitch说,“我们相信利用光学天线,自发辐射率增强有可能超过2500倍,同时保持50%以上的发光效率,”采用光学天线增强型发光二级管替换微芯片上导线,将实现更快的光互连和更强的计算能力。该项研究成果发
表在美国国家科学院学报( PNAS)中,论文题为“光学天线增强型自发光辐射”。在高科技的世界,激光无处不在,已经成为高速光通信的主力。然而,激光在诸如1m或更小的短距光通信方面也存在弊端--他们消耗过多电能,通常会占用太多空间。发管二极管将成为更有效的替代选择,但却受限于它们的自发辐射率。 相似文献