GaAs衬底上生长的GaInP_2外延单晶薄膜的杂质污染研究

各种外延技术已被用来在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延单晶薄膜（ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ）．很多文献认为,在ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ生长过程中会被Ｃ杂质污染．我们用高灵敏的ＣＡＭＥＣＡＩＭＳ４Ｆ型二次离子质谱仪直接测量的结果表明,污染ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ的微量杂质是Ｓｉ,而不是Ｃ．由ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ在１．１７ｅＶ附近的光致发光峰的峰值随激发强度的变化形状表明了它应属于施主－受主对复合发光．进一步分析表明,施主为处在Ｇａ格位上的Ｓｉ杂质（ＳｉＧａ）,受主为Ｇａ空位（ＶＧａ）．     

GaAs衬底上生长的GaInP2外延单昌薄膜的杂质污染研究

各种外延技术已被用来在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延单晶薄膜。很多文献认为,在ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ生长过程中会被Ｃ杂质污染。     

周期极化KTiOPO4晶体和频单块非平面环形腔激光产生连续单频589nm黄光

单次通过周期极化KTiOPO₄晶体和频单块非平面环形腔1064 nm与1319 nm激光产生连续单频589 nm黄光. 通过琼斯矩阵模拟计算对单块非平面Nd:YAG晶体参数进行了优化设计, 实验获得1080 mW和580 mW的连续单频1064 nm和1319 nm激光输出. 两束激光单次通过周期极化KTiOPO₄晶体和频产生14.8 mW, M²=1.14的589 nm黄光, 相应的和频效率为0.9%. 研究了周期极化KTiOPO₄温度对和频效率的影响, 得到其温度接收带宽为1.5℃. 通过改变1064 nm Nd:YAG晶体的温度可实现589 nm黄光波长精确对应钠原子D_2a吸收谱线, 调谐精度达到0.164 pm.     

冷核聚变十五年

参考在美国麻省理工学院召开的第十届国际冷核聚变会议(ICCF 10)内容,对冷核聚变研究的现状作一简单介绍.国际原子能委员会(IAEA)分管聚变的官员(1995—2001年)T.J.Dolan在清华召开的ICCF 9国际会议上的总结会上提出五种重要的解释冷聚变现象的理论模型,其中有江兴流提出的涡旋动力学模型.涡旋动力学模型的主要论点在于:局域瞬态非平衡体系产生涡旋,而涡旋的内聚作用和极化效应,使体系内的粒子相互靠近,产生局域极化核反应和高度定向的轴向加速高能粒子.这种局域瞬态非平衡体系出现在电极微突起处或多层膜的非平衡点处.这一理论成功地解释了许多异常放热和核嬗变现象,因而受到了广泛重视.对涡旋动力学作以简单介绍. Many papers published in the 10th International Conference of Cold Fusion( MIT, Massachusetts .Aug. 2003) reveal the experimental results of excess heat with a few of products of nuclear reactions. Over the years it is become clear that there are new effects to be surfaced. Thomas J. Dolan listed several interesting theoretical ideas including the model of vortex dynamics proposed by Xingliu Jiang. This model says that excess heat and nuclear reactions in electrical discharge system and other transient...