原位红外光谱法研究三氯乙烯在TiO2表面的光催化降解

通过原位红外光谱技术在线研究了三氯乙烯的直接光降解以及三氯乙烯在TiO2表面的气相光催化降解. 研究结果表明, UV/TiO2体系比UV体系具有更强的降解能力. 在三氯乙烯的光催化降解过程中, 发现有二氯乙酰氯、二氧化碳、一氧化碳、水、氯化氢和光气等中间产物生成. 根据反应结果, 分析了三氯乙烯在TiO2表面的气相光催化降解机理: 三氯乙烯在羟基自由基等作用下生成中间产物二氯乙酰氯, 二氯乙酰氯进一步发生自由基反应, 最终降解为二氧化碳、一氧化碳、水、氯化氢和光气.     

超高交联吸附树脂对气体中三氯乙烯的吸附研究

研究了超高交联吸附树脂NDA-201对气体中三氯乙烯(TCE)的静态吸附行为.分别采用Langmuir、Freundlich和Dubimn-Astakov模型方程对吸附平衡数据进行了拟合分析,并探讨了吸附机理.实验结果表明,Dubinin-Astakov方程能较好地拟合吸附平衡数据,表明微孔填充在吸附过程中起着很重要的作用.此外,研究了气体中TCE在NDA-201上的动态吸附行为,并用半经验方程Yoon-Nelson模型对穿透曲线进行拟合,实验数据与模拟值吻合良好.     

金掺杂对碳负载钯催化还原性能的促进作用

在许多催化应用中双金属的PdAu催化剂性能优于单金属催化剂.科研人员对具有可控纳米结构和高活性的PdAu催化剂进行了广泛的研究,但该催化剂的制备需要多步且通常步骤复杂.本文仅通过浸渍和焙烧制得了Au掺杂的负载型Pd催化剂,所得PdAu/C催化剂用于室温水相三氯乙烯加氢脱氯反应.当Pd和Au负载量分别为1.0 wt%和1.1 wt%时,在经过干燥、空气处理和H2还原的过程后，所制得的PdAu/C催化剂活性最高,初始转化频率(TOF)为34.0×10–2 molTCEmolPd–1 s–1,是单金属1.0 wt%Pd/C催化剂TOF (2.2×10–2 molTCEmolPd–1 s–1)的15倍以上. X射线吸收光谱结果表明,金的加入避免了400oC焙烧时Pd的氧化.本文还提出了可能的催化剂纳米结构演变路径,以解释所观察到的催化现象.     

三氯乙烯的真空紫外同步辐射光电离和光解离

利用真空紫外(VUV)同步辐射光源和反射式飞行时间质谱仪，在超声冷却条件下对三氯乙烯(C₂HCl₃)进行了光电离研究，通过测量各离子的光电离效率(PIE)曲线，得到了C₂HCl₃的电离势P_I(C₂HCl₃)=9.51±0.05eV，以及C₂HCl₃光解离碎片离子的出现势(P_A)：P_{关键词： 同步辐射光电离 电离势 出现势 三氯乙烯}     

活性炭纤维对气相低浓度三氯乙烯的动态吸附

研究了3种不同经表面积活性炭纤维（ACF）对气相低浓度三氯乙烯（TCE）的动态吸附。ACF的比表面积为600m^2/g、1400m^2／g和1600m^2/g，TCE的浓度范围为27mg/m^3-2725mg/m^3。结果表明，比表面积为1400m^2/g和1600m^2/g的ACF对TCE的吸附较好；10％穿透时间的对数与TCE匠对数呈线性关系；穿透时间随温度和湿度的增加而缩短；穿透曲线可以用经验公式拟合。拟合值和实测值吻合良好；ACF吸附是去除气相低浓度TCE的有效方法。     

Trichloroethylene Dechlorination by Copper-contained Zero-valent Iron Slurry

Zero valent iron technology has been widely used for treating contaminated wastewater these years. However, it always results in inefficiency in the processes of drying and storage due to oxidation and passivation. This could be avoided by in situ synthesized zero valent iron slurry in an emergency if it possesses the same performance as zero valent iron. In this study, iron slurry was synthesized and directly used for dechlorinating trichloroe- thylene to measure its degradation efficiencies and properties. Results show that 2%（mass ratio） copper-contained zero-valent iron slurry exhibits the optimal performance compared with the other iron slurries. Batch experiments in- dicate that factors such as the concentration of trichloroethylene, pH, dissolved oxygen and equilibrium to a certain extent affect the reduction oftrichloroethylene by 2%（mass ratio） copper-contained zero-valent iron slurry. Persistent, high-efficiency degradation performance could last 7 cycles. These demonstrate that the application of coppercontained zero-valent iron slurry in treating trichloroethylene-contained wastewater is realistic.     

三氯乙烯氧化硅膜推迟破坏性击穿的机理研究

本文对三氯乙烯(TCE)氧化推迟SiO₂膜的破坏性击穿及其机理进行了研究。结果表明,随着TCE流量的增大、处理时间的增加、温度的升高和氧分压的降低,SiO₂膜的击穿电流耐量增大。但过大的TCE流量和过长的处理时间,将使击穿特性变坏。结果还表明,击穿电流耐量的增大与膜内电子陷阱密度的增大有关。文中提出包括三种恶性循环在内的“低势垒点-电场增强”击穿模型,并考虑氧化气氛中的H₂O对击穿特性的影响,引入电子陷阱抑制低势垒点-电场增强的作用,分析T 关键词：     

Electrical properties and reliability of HfO2 gate-dielectric MOS capacitors with trichloroethylene surface pretreatment

Trichloroethylene （TCE） pretreatment of Si surface prior to HfO2 deposition is employed to fabricate HfO2 gatedielectric MOS capacitors. Influence of this processing procedure on interlayer growth, HfO2/Si interface properties, gate-oxide leakage and device reliability is investigated. Among the surface pretreatments in NH3, NO, N2O and TCE ambients, the TCE pretreatment gives the least interlayer growths the lowest interface-state density, the smallest gate leakage and the highest reliability. All these improvements should be ascribed to the passivation effects of Cl2 and HC1 on the structural defects in the interlayer and at the interface, and also their gettering effects on the ion contamination in the gate dielectric.     

三氯乙烯预处理的TiO2薄膜上挥发性有机物的光催化反应

 制备了TiO2薄膜催化剂,并用三氯乙烯对其进行了预处理; 采用FT-IR,GC/MS及XPS等技术研究了三氯乙烯预处理的TiO2薄膜上挥发性有机物的光催化反应. 结果表明,三氯乙烯预处理能加快某些挥发性有机物的光催化反应. 这是由于氯作为三氯乙烯气相光催化分解反应的中间产物吸附在催化剂表面,成为反应的活性物种引发挥发性有机物发生游离基反应,从而提高其气相光催化反应速率.     

OH与TCE和PCE加成中间体消除反应的机理

用从头计算法在UHF/6-31G水平研究了羟基自由基与三氯乙烯和四氯乙烯形成的加成中间体的消除反应,通过振动分析确认了过渡态,计算了内禀反应坐标(IRC).研究表明,该反应消除一个氯化氢分子,形成具有平面构型的另一个中间体,反应活化势垒较低,分别为79.84kJ mol-1和62.68kJ mol-1,且二者反应在常温常压下是熵增、放热、吉布斯自由能ΔGΘ<Ο,具有较大自发趋势的过程。