ZnO荧光粉中的紫外发射和绿色发射之间的关系

通过在低氧分压和真空中热处理ZnO粉末, 获得了ZnO荧光粉. ZnO荧光粉有两个发射谱带, 分别位于380 nm(紫外)和510 nm(绿色). 紫外谱带对应于ZnO中的激子发射, 是一个单中心发光过程；绿色谱带是一个复合发光过程, 与ZnO中的本征缺陷相关, 如氧空位、锌空位等. 实验表明, 高密度的激发条件有利于紫外发射, 而低氧分压下的热处理有利于提高绿色发射谱带的强度. 研究结果还表明, 与紫外发射相联系的激子可向与本征缺陷相联系的绿色发光中心传递能量, 这种传递可能是通过激子扩散实现的.     

大气相干长度的昼夜观测

 介绍了利用差分像运动测量法测量光波到达角起伏方差来确定大气相干长度的方法，阐述了一种能对大气相干长度进行昼夜测量的日夜两用型大气相干长度仪的测量原理与结构,经过长期昼夜观测分析得知: 整层大气湍流强度有随时间变化的趋势，这种趋势与近地面层的湍流强度的时间变化特征基本吻合，即在日出后和日没前两段时间内的相干长度值远大于其它时间段内的值。     

物理极值问题的数学分析

物理极值问题是物理应用中常见的问题之一,它是中学物理中的一个难点。在物理极值的分析过程中,根据物理原理列出方程(或经过运算)后,可能会发现有很多物理方程的数学特征比较突出。此时从数学角度分析物理量的极值可能会更容易一些。本篇将从数学角度分析求解物理极值问题的方法,所以本文在分析每种方法时都明确强调它的数学特征。实际使用时要根据方程的具体数学特征选     

半导体所在GaAs纳米线结构相变的研究方面取得重要成果

作为传统的Ⅲ-V族半导体,GaAs体材料的稳定相是闪锌矿结构。但是当进入到纳米尺度时,由于表面积相对增加,又由于纤锌矿结构的表面能较低,使得GaAs纳米线上容易出现纤锌矿结构,互相竞争的结果往往是两相共存,还夹着很多平面缺陷(planar defect)。因此如何得到纯闪锌矿或者纯纤锌矿结构的     

引导学生探究 展现思维过程——例谈开发数学题的教育功能

作为数学教师,一项重要业务是"试卷评析".总结得失,寻根思底;研析数学试题,开发专题;拓展延伸,挖掘潜力.以下是一道典型试题测试评析及教学片断.题目设实数a使得不等式3x-1+5x-3≥a2对任     

一种不同地面分辨率图像的拼接算法

航空遥感监测中变焦镜头的广泛应用以及飞行高度的变化会获得不同地面分辨率的航空影像,因此为了实时监控到飞行区域的整体情况,需要对不同地面分辨率的图像进行拼接。提出了针对不同地面分辨率图像进行拼接的方法。首先用四分法对图像进行分割,检测变化倍率,选择配准策略;然后用基于加速鲁棒性特征(Speeded-Up Robust Features,SURF)的算法对相邻图像进行拼接。获得了焦距变化从高倍过渡到低倍,或从低倍过渡到高倍的拼接图像。通过航空变焦模拟影像的拼接实验和地面变焦影像的拼接实验表明,该方法能够对不同地面分辨率的图像进行拼接,且拼接结果均以高分辨率为基准。     

含酮基团对煤焦异相还原NO的影响

基于量子化学密度泛函理论和过渡态理论研究了含酮基团对煤焦异相还原NO的影响及其产物发生氧脱附的微观反应机理。计算结果表明，NO更易于吸附在含酮基团煤焦表面。椅形含酮基团强化了煤焦异相还原NO；锯齿形含酮煤焦表面与NO异相反应决速步能垒值（495.45 kJ/mol）大于锯齿形纯碳基煤焦表面与NO决速步能垒值（331.32 kJ/mol），基于锯齿形含酮煤焦模型中的氧浓度不在利于NO还原的范围内而不易于NO的还原。中间产物P1在无CO存在情况下，较纯碳基煤焦表面更易于发生氧脱附而产生表面缺陷；在CO存在条件下，含酮煤焦表面为氧脱附过程提供自由活性位点，降低了过程能垒消耗。     

再论船渡河问题

贵刊2012年第3期的短文荟萃中"现行船渡河问题分析的逻辑缺陷"一文解答了学生关于船渡河时水速大于船速情况下要使实际位移最短问题中的疑问.笔者认为,原文作者似乎把简单问题复杂化     

快速定位车牌的方法研究

提出了基于数学形态学和纹理特征的快速定位车牌的方法.该方法包含4个步骤:预处理,利用Sobel算子进行垂直边缘检测,通过形态学操作得到连通域,利用车牌的纹理特征和字符特征最终定位车牌.使用该方法对1 144幅图片进行实测,1 102幅图片定位成功,正确识别率为96.3%,处理时间为160～200ms.     

An optical study of the D-D neutron irradiation-induced defects in Co-and Cu-doped ZnO wafers

Room-temperature photoluminescence and optical transmittance spectroscopy of Co-doped(1×1014,5×1016,and 1×1017cm-2) and Cu-doped(5×1016cm-2) ZnO wafers irradiated by D-D neutrons(fluence of 2.9×1010 cm-2) have been investigated.After irradiation,the Co or Cu metal and oxide clusters in doped ZnO wafers are dissolved,and the wu¨rtzite structure of ZnO substrate for each sample remains unchanged and keeps in high c-axis preferential orientation.The degree of irradiation-induced crystal disorder reflected from the absorption band tail parameter(E0) is far greater for doped ZnO than the undoped one.Under the same doping concentration,the Cu-doped ZnO wafer has much higher irradiation-induced disorder than the Co-doped one.Photoluminescence measurements indicate that the introduction rate of both the zinc vacancy and the zinc interstitial is much higher for the doped ZnO wafer with a high doping level than the undoped one.In addition,both crystal lattice distortion and defect complexes are suggested to be formed in doped ZnO wafers.Consequently,the Co-or Cu-doped ZnO wafer(especially with a high doping level) exhibits very low radiation hardness compared with the undoped one,and the Cu-doped ZnO wafer is much less radiation-hard than the Co-doped one.