束流线性耦合效应的初步研究

在储存环的束流传输系统中,斜四极场和纵向螺线管场是引起束流线性耦合的主要原因.由于这种耦合,使得束流的幅度和发射度发生交换,引起束流横向包络的增大,严重的将造成束流损失.从Betatron运动方程出发研究了斜四极场和螺线管场存在时束流的幅度耦合效应,分析了斜四极场存在时束流发射度的变化.     

一些随机重合点定理

本文引入了一种满足更一般的收缩不等式的多重函数类,并证明了属于该类的可测多重函数对的一些随机重合点定理。     

Quantum Logic Network for Probabilistic Teleportation of Two-Particle State in a General Form

A simplification scheme of probabilistic teleportation of two-particle state in a general form is given.By means of the primitive operations consisting of single-qubit gates,two-qubit controlled-not gates,Von Neumann measure-ment and classically controlled operations,we construct and efficient quantum logical network for implementing the new scheme of probabilistic teleportation of a two-particle state in a general form.     

Photoeletricity Capability of Imager Detector with Coated Blends of Polymer and Perylene or Coronene

Perylene and coronene have been synthesized with good yield via the Dields-Alder reaction.They have good photoluminescence properties and could transfer ultraviolet light to visible-loght.To find an easy way of making a better ultraviolet charge coupled device,we blended perylene or coronene with polymers.Then,these blends were analysed by the photoluminescence spectrum.The results indicate that the blends have larger fluorescence intensity than pure perylene or coronene.Through spreading these blends on image detectors,organic image detectors with good ultraviolet photoelectricity capability were prepared.     

电流计在交流电演示中的共振问题

主要讨论了磁电式电流计在输入低频交流电时发生的共振现象 ,分析影响磁电式电流计灵敏程度 (指针最大偏转角αm 大小 )的主要因素。     

4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备

就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究，并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结，其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内，隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内，样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性，可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求. 关键词： 磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁随机存储器 4英寸热氧化硅衬底     

X波段盘圈加速结构热阴极微波电子枪的研究

介绍了采用盘圈(DAW)加速结构在11.43GHz下研制的热阴极微波电子枪注入器，分析了注入器中DAW加速结构支撑杆对于微波特性的影响以及加速结构中的模式重叠问题. 针对该结构的强腔间耦合以及次临近耦合不能忽略的特点，对其调谐方法进行了分析研究.给出了该长腔链热阴极微波电子枪注入器的物理设计及粒子动力学计算结果，电子能量为5—6MeV，脉冲流强为40mA，电子束发射度为3.4πmm.mrad. 该微波电子枪的加工焊接已经完成，文中给出了其冷测结果.     

空间非相干多分量光束构成的非相干耦合屏蔽孤子对

两束本身具有空间非相干性的非相干多分量光束可以在光折变介质中形成非相干耦合 屏蔽孤子对，利用相干密度法得到了亮 亮、暗 暗型耦合孤子对的解，并研究了构成 非相干孤子对分量光束的相干组分的传播特性. 关键词： 空间非相干多分量光束 耦合孤子对 相干密度 相干组分