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四(α—噻吩甲酰三氟丙酮)合铕(Ⅲ)酸十六烷基吡啶LB膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
标题配合物(Ⅰ)和硬脂酸(Ⅱ)的CHCl3溶液按不同摩尔比Ⅰ:Ⅱ=1:α(α=1,2,4,8,12)混合后,α≥2时,其π-A曲线比单一的标题配合物的有明显改善,Ⅰ:Ⅱ=1:4时,在亲水石英基片上制备了Z型LB膜,并用紫外光谱、荧光光谱和小角X射线衍射进行了表征。 相似文献
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聚N,N-双水杨醛乙二胺合钴修饰超微电极的制备及其在一氧化氮测定中应用的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
通过电化学聚合法制备了聚N,N-双水杨醛乙二胺合钴[polyCo(Salen)]修饰超微电极,研究了该修饰电极的电催化性质及其在一氧化氮(NO)测定中的应用.实验结果表明,polyCo(Salen)修饰超微电极对NO的测定有高的灵敏度,NO的浓度在2.0×10-8~2.8×10-6mol/L范围内,电流与浓度呈良好的线性关系,线性相关系数为0.9998,检出限为1.0×10-8mol/L;该电极进一步修饰Nafion后,生物体中常见的物质如抗坏血酸、儿茶酚胺类神经递质的代谢物、NO的氧化产物NO-2等不干扰测定.本传感器可以满足NO在体分析的需要. 相似文献
124.
轰击离子能量对CNx薄膜中sp3型C-N键含量的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜样品的化学键合及结构进行了研究,利用不同的衬底负偏压(Vh)来控制轰击衬底表面的入射离子能量,从而影响膜中的化学键合的状态.样品的FTIR,Ra-man和XPS分析结果表明,CNx薄膜中N原子分别与sp,sp2和sp3杂化状态的C原子结合,其中sp3型C-N键含量先随着衬底偏压(Vb)的升高而增加,并在偏压Vb=-50V时达到最大值,但随着Vb继续升高,sp3型C-N键含量减少,这表明CNx薄膜中,sp3型C-N键的含量与轰击离子的能量变化密切相关. 相似文献
125.
应用INDO/S半经验量子化学方法,对簇合物离子Mo3S和Mo3S4Mn+(M=Fe、Ni,n=4;M=Cu,n=5)分别进行分子轨道计算。根据计算得到的簇离子中的原子表观电荷和成键指标,说明Fe、Ni、Cu+与Mo3S成键作用的相对强度依次是Fe-Mo>Ni-Mo>Cu+-Mo。比较了用含组态作用的INDO/S方法计算得到的电子跃迁能与实验得到的电子吸收光谱值,并讨论了吸收峰归属情况。对于M为Fe、Ni的簇离子Mo3S4M4+,最低能量的电子跃迁吸收峰起源于异金属间电荷转移跃迁(MM’CT);而Mo3S4Cu(5+)簇离子观察到的吸收峰主要是Mo3S芯的局域内电荷转移跃迁。根据理论计算结果,由Cu+离子到Mo3S的电荷转移跃迁谱线,大约在46000cm-1以上才能观察到吸收峰。从Mo3S4Fe4+次低能量吸收峰的实验值16600cm-1和理论值16500cm-1与Mo3S的最低能量吸收峰的实验值16600cm-1和理论值16900cm-1比较,表明无论从理论上或实验上都能证实簇离子Mo3S4Fe4+在能量为16600cm-1处的吸收峰是起因于Mo3S芯的局域内电荷转移跃迁。 相似文献
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采用柠檬酸盐硝酸盐燃烧法,在较低的温度(900℃)下成功地合成单一晶相Gd3Al5O12∶Eu3+发光粉体,紫外激发荧光光谱分析表明,粉体615 nm和593 nm荧光发射源于Eu3+的5D0-7F2和5D0-7F1跃迁.该方法中各工艺条件(如pH值、柠檬酸/金属离子比、煅烧温度)对Gd3Al5O12∶Eu3+发光性能均有影响,通过试验得出了获得最佳发光性能荧光粉体的工艺参数. 相似文献