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121.
利用平面波赝势密度泛函方法和准谐德拜模型研究了SrS从NaCl结构到CsCl结构的相变以及弹性性质.在零温下,我们计算的相变压强为17.9 GPa,这与实验值和其他作者的计算值符合很好.研究还表明:相变压强随温度增加而非线性地增加,然而力学不稳性的压强随温度增加而线性地增加.  相似文献   
122.
在考虑遮蔽效应的情况下,应用射线追踪法对一维导体和介质的高斯粗糙面的散射系数进行了研究,并分别计算了考虑一次反射和二次反射的散射系数。同时,利用蒙特卡罗法生成一维高斯粗糙面,计算了考虑一次、二次反射和遮蔽时不同均方根斜率粗糙面的平均散射系数。  相似文献   
123.
董亮伟 《光子学报》2007,36(5):798-801
应用等效粒子近似方法研究了光学空间孤子在带有局域和非局域非线性横向非均匀介质中的传输动力学行为.发现孤子在传播过程中横向的周期性振荡.折射率调制幅度和波导的归一化宽度决定了振荡周期的大小.介质的非局域对振荡振幅有着较小的影响.模拟了孤子传输过程,所得数值结果与理论分析符合很好.此外,模拟传输还发现多孤子束缚态能够在这个模型中稳定传播.这种振荡特性或许可以应用于光学路由器、转换器、开关等.  相似文献   
124.
对描述双掺杂晶体非挥发性全息记录动力学过程的Kukhtarev方程进行了矢量分析,分析中考虑了体光生伏特效应和外加电场的作用。在小信号近似的基础上给出了双中心全息记录中记录与固定阶段空间电荷场的矢量解析解。在综合考虑空间电荷场的各向异性以及晶体有效电光系数的各向异性后,给出了双中心全息记录的优化记录方向。结果表明,对(Fe,Mn)∶LiNbO3晶体633nm寻常光记录,优化记录方向主要由有效电光系数决定,光栅波矢与光轴夹角为22°,方位角为30°;对(Fe,Mn)∶LiNbO3晶体633nm非寻常光记录,优化记录方向主要由固定空间电荷场决定,光栅波矢与光轴夹角为44°,方位角为90°。  相似文献   
125.
郑世旺  贾利群 《物理学报》2007,56(2):661-665
研究了在群的无限小变换下非完整系统Tzénoff方程的Mei对称性,给出了非完整系统Tzénoff方程Mei对称性的定义和判据方程.给出了这种Mei对称性导致Lie对称性的充要条件,通过特殊Mei对称性条件下的Lie对称性,找到了非完整系统Tzénoff方程的Hojman守恒量.  相似文献   
126.
郭福源  王明华 《光学技术》2007,33(6):921-925
在光波导模场分布高斯近似条件下,根据星形光波导耦合器的耦合特性,推导出了基于累加运算和卷积运算近似表达的阵列波导光栅梳状带通滤波器光谱响应效率的函数表达式。给出了阵列波导光栅梳状带通滤波器光谱响应效率曲线的半最大值全宽度和阵列波导光栅梳状带通滤波器的通道中心波长的光谱响应度与器件参数的关系。在输入信号光谱分布高斯近似条件下,给出了阵列波导光栅梳状带通滤波器信号通道传输效率的计算表达式和输入信号光谱宽度对阵列波导光栅梳状带通滤波器信号通道输出特性的影响。给出了物理意义明确的函数表达式,它们可为快速分析阵列波导光栅梳状带通滤波器的特性提供理论基础。  相似文献   
127.
波前编码系统成像特性的空间域分析   总被引:1,自引:2,他引:1  
波前编码技术在大幅度地增加光学系统景深的同时,可以抑制各种离焦类型的像差。目前波前编码系统的成像特性分析大多是基于空间频率域的分析,在应用稳定相法导出三次型相位板波前编码系统的点扩展函数近似解析式的基础之上,描述了点扩展函数的边界、带宽与振荡等特性,分析了波前编码系统对离焦、像散、彗差等常见像差的敏感性,从空间域进一步分析了波前编码系统的成像特性。  相似文献   
128.
正切平方势阱中线性与非线性光学折射率变化的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
谭鹏  罗诗裕  陈立冰 《光子学报》2007,36(7):1253-1256
利用正切平方势把电子的Schrodinger方程化为了超几何方程,并用超几何函数严格求解了电子的本征值和本征函数利用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了正切平方势阱中的线性与三阶非线性光学折射率的解析表达式计算了该系统中的线性与非线性光学折射率变化的大小,讨论了影响折射率变化因素文章以典型的GaAs/AlGaAs势阱为例作了数值计算,数值计算结果表明,势阱的形状和入射光强对光学折射率的变化有着重要的影响.  相似文献   
129.
碳纳米管束中的正电子理论   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
陈祥磊  郗传英  叶邦角  翁惠民 《物理学报》2007,56(11):6695-6700
采用中性原子叠加模型和有限差分方法(SNA-FD)计算了大范围内不同管径的单壁碳纳米管束中的正电子情况,发现对于单壁碳纳米管束,正电子的主要湮没区域,湮没对象和正电子寿命随碳纳米管管径的不同而发生规律性变化.计算得到管径范围在0.8—1.6nm的碳纳米管束的正电子寿命范围为332—470ps,与实验测得的394ps符合较好.  相似文献   
130.
分析了幂次中心势阱中粒子的能谱,讨论了粒子能谱形状随幂次变化的规律  相似文献   
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