功率GaAs MESFET小信号模型参数的提取（英）

采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法，求解MESFET小信号等效电路模型，并彩相对误差来构建目标函数。以FET在零偏置状态的非本征元件值作为初值，通过优化求得了热FET状态的本征元件值，S参数的计算值与实验值吻合得很好，S11的相对误差为0.09%,S12为1.1%,S21为0.08%，S22为 2.26%。该方法收敛快，精度高并且效率高，便于移植到微波器件CAD设计和模拟软件中。     

欧拉流体力学数值方法中的界面计算

本文所提算法适用于二维和三维多介质流体力学两步欧拉数值方法中输运计算的混合网格(包括自由面网格)界面处理。在一个混合网格中，界面被近似地看作直线(二维)或平面(三维)。整个方法分为三步：(1)第一步，用混合网格周围的八个网格的介质面积份额(二维)或二十六个网格的介质体积份额(三维)确定界面的法线方向；第二步，用混合网格的本身的介质面积份额(二维)或体积份额(三维)确定界面的方程(位置)；第三步，用此直线方程求出通过网格边界的流以及下一时刻网格的面积份额(二维)或体积份额(三维)。最后给出了用此方法所做的一些数值计算及与SLIC算法的比较。     

SiC1-xGex/SiC 异质结光电二极管特性的研究

使用二维器件模拟软件Medici, 对SiC_1-xGe_x/SiC异质结的光电特性进行了模拟.设计了N型重掺杂SiC层的厚度为1 μm, P型轻掺杂SiC_1-xGe_x层厚为0.4 μm, 二者之间形成突变异质结.在反向偏压3 V、光强度为 0.23 W/cm²的条件下, p-n+ SiC_0.8Ge_0.2/SiC和p-n+ SiC_0.7Ge_0.3/SiC敏感波长λ分别可以达到0.64 μm和0.7 μm, 光电流分别为7.765×10^－7 A/μm和7.438×10^－7 A/μm; 为了进一步提高SiC_1-xGe_x/SiC 异质结的光电流, 我们把p-n+两层结构改进为p-i-n三层结构.在同样的偏压、光照条件下, p-i-n SiC_0.8Ge_0.2/SiC和p-i-n SiC_0.7Ge_0.3/SiC的光电流分别达到1.6734×10－6 A/μm和1.844×10－6 A/μm.     

基于彩色图象 RGB分析的自动对焦技术

参照人眼的特点,作者将传统的双焦评价函数分别作用于目标图象的R、G、B分量得到三个数值,然后由这三个值计算出一个新的评价值.对一般对焦目标,这种新方法能增强传统对焦评价函数结果.本文中作者对这一方法进行了详尽的讨论.     

超细0.4nm直径单壁碳管的光学特性

由于纳米碳管的优异机械特性及其丰富多采的光学和电学特性，它自1991年被发现以来一直受到科学家的青睐，纳米碳管研究已成为当今世界上发展最迅速，竞争最激烈的科学前沿领域之一。怎样才能把纳米碳管做得更细小，尺寸更均匀以及如何使众多的纳米碳管排列规整，一直是纳米碳管研究中的难题。我们利用多孔的沸石晶体作为载体，首次成功地研制出了尺寸均一，排列规整的超细单壁纳米碳管，这些超细纳米碳管具有独特的性能，低温下（＜20K）甚至呈现出前所未有的一维超导现象。详细介绍了这些超细单壁纳米碳管的制备过程，并着重介绍其在可见光区的光吸收，光发射以及二次谱波的倍频特性。     

高维倒向随机微分方程比较定理

倒向随机微分方程由Pardoux和彭实戈首先提出，彭实戈给出了一维BSDE的比较定理，周海滨将其推广到了高维情形．毛学荣将倒向随机微分方程解的存在唯一性定理推广到非Lipschitz系数情况，曹志刚和严加安给了相应的一维比较定理．本文将曹志刚和严加安的比较定理推广到高维情形．     

量子网络中任意两个网点间量子态的隐形传送

提出了在量子网络中任意两个网点间进行量子态的隐形传送的方案.在我们的方案中,应用了n个粒子的缠结态作为量子通道.对于非最大缠结态,我们讨论了量子态的几率隐形传送问题.     

uv-理论在一类半无限最小化问题的应用

Lemarechal,Oustry和Sagastizabal(2000)提出的uv分解理论为解决非光滑函数的高阶展开提供了一种新的途径，并将此理论应用于研究具有有限个约束的非线性规划的精确罚函数．本文将这一研究推广到具有无限约束的一类半无限规划的问题上，并给出了与这类最小化问题的精确罚函数的U-Lagrange函数有关的某些结果．     

BEPCⅡ超导腔高次模阻抗抑制优化研究

BEPCⅡ500MHz超导腔是BEPCⅡ储存环的关键设备,腔中高次模的分布和阻抗将很大程度上直接影响束流的稳定.因此,研究BEPCⅡ超导腔的高次模分布和高次模吸收器的吸收效果对实现BEPCⅡ指标至关重要.为此,通过改变高次模吸收器的位置、铁氧体吸收材料的长度、厚度以及腔的渐变过渡波导的角度等对BEPCⅡ超导腔高次模阻抗抑制进行了模拟优化研究,从而找到并确定了吸收器对高次模阻抗抑制的最优值.同时,为证实模拟计算结果的正确性,对BEPCⅡ超导模型腔进行了高次模分布和吸收测量,得到了与计算一致的结果.结果表明,经过细致优化腔的高次模吸收器,腔中大部分高次模被深度吸收了,那些具有潜在危险的高次模阻抗值降到了阈值以下,满足BEPCⅡ束流阻抗要求     

B→π跃迁形状因子中扭度为3的分布振幅

我们选择了恰当的手征流关联函数,用光锥QCD求和规则去计算B到π的跃迁形状因子,得到的结果仅仅依赖于π介子的3扭度光锥分布振幅.这样从f+?Bπ的研究中,我们就可以对π介子的3扭度光锥分布振幅给出一个约束条件.