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BEPCⅡ超导腔高次模阻抗抑制优化研究
引用本文:潘卫民,孙毅,王光伟,Takaaki Furuya,Shin-ichi Kurokawa.BEPCⅡ超导腔高次模阻抗抑制优化研究[J].中国物理 C,2004,28(3):317-320.
作者姓名:潘卫民  孙毅  王光伟  Takaaki Furuya  Shin-ichi Kurokawa
作者单位:[1]中国科学院高能物理研究所,北京100039 [2]HighEnergyAcceleratorResearchOrganization(KEK),1-10ho,Tsukuba-shi,Ibaraki-ken,305-0801,Japan
摘    要:BEPCⅡ500MHz超导腔是BEPCⅡ储存环的关键设备,腔中高次模的分布和阻抗将很大程度上直接影响束流的稳定.因此,研究BEPCⅡ超导腔的高次模分布和高次模吸收器的吸收效果对实现BEPCⅡ指标至关重要.为此,通过改变高次模吸收器的位置、铁氧体吸收材料的长度、厚度以及腔的渐变过渡波导的角度等对BEPCⅡ超导腔高次模阻抗抑制进行了模拟优化研究,从而找到并确定了吸收器对高次模阻抗抑制的最优值.同时,为证实模拟计算结果的正确性,对BEPCⅡ超导模型腔进行了高次模分布和吸收测量,得到了与计算一致的结果.结果表明,经过细致优化腔的高次模吸收器,腔中大部分高次模被深度吸收了,那些具有潜在危险的高次模阻抗值降到了阈值以下,满足BEPCⅡ束流阻抗要求

关 键 词:高次模  阻抗  阻抗抑制  超导腔
收稿时间:2003-8-11

Studies on Higher Order Modes in BEPCⅡ Superconducting Cavity
Abstract.Studies on Higher Order Modes in BEPCⅡ Superconducting Cavity[J].High Energy Physics and Nuclear Physics,2004,28(3):317-320.
Authors:Abstract
Abstract:
Keywords:higher order modes  impedance  HOM damping  SC cavity
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