离子源辅助电子枪蒸发制备Ge1－xCx薄膜

应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1－xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/(CH4+Ar)的气体流量比（G）,制备了G从40％到85％的Ge1－xCx薄膜.应用X射线衍射仪（XRD）测量了Ge1－xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪（FTIR）测量了2～22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试（XPS）计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1－xCx薄膜的硬度,原子力显微镜（AFM）测量了G为60％,85％时Ge1－xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明：制备的Ge1－xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14～3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度.     

温度对Al0.5Ga0.5As/AlAs分布布喇格反射器的反射谱影响

采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了－10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明：随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出：该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义.     

高温下正十五烷的拉曼光谱研究

文章在金刚石压腔下研究了正十五烷从室温到350℃的拉曼光谱特征.结果表明:随着温度的升高,体系压力也在不断增大;CH3,CH2对称和反对称伸缩振动同时受到温度和压力的影响,但2种作用相反.由于压力效应大于温度效应,随温度压力的增大CH3,CH2对称和反对称伸缩振动的拉曼位移均向高频方向移动,说明C-H键键能在增大.另外,由于新物质的生成导致过强荧光产生而无法测出正十五烷的拉曼光谱,而且过强荧光出现的时间早晚与温度和压力有一定的关系.     

不同厚度CdSe阱层的表面上自组织CdSe量子点的发光性质

利用变温和变激发功率分别研究了不同厚度CdSe阱层的自组织CdSe量子点的发光。稳态变温光谱表明:低温下CdSe量子阱有很强的发光,高温猝灭,而其表面上的量子点发光可持续到室温,原因归结于量子点的三维量子尺寸限制效应;变激发功率光谱表明:量子点激子发光是典型的自由激子发光,且在功率增加时。宽阱层表面上的CdSe量子点有明显的带填充效应。通过比较不同CdSe阱层厚度的样品的发光,发现其表面上量子点的发光差异较大,这可以归结为阱层厚度不同导致应变弛豫的程度不同,直接决定了所形成量子点的大小与空间分布^[1]。     

石墨炉原子化器中氧在原子化过程的作用

石墨炉中氧的来源石墨炉中氧分压一直认为是决定于下列反应。2C(s)+O_2→2CO (1) 按照这个假定,除了最稳定的金属氧化物(B,La,Ta,Th,U,Zr)之外,一般认为在高温石墨炉中氧化物解离是完全的,同时自由氧分压是很低的。例如,假定CO分压为100Pa,那么在1400—2500°K范围Po_2将为3×10~(-19)—2×10~(-15)Pa。近年来,许多实验资料表明,石墨炉中自由氧分压的实际值大于按反应(1)计算的数值。这说明基于反应(1)估计Po_2是不够全面的。对基于反应(1)获得的有关元素的原子化机理,值得重新考虑。     

Rh2（CO）4（μ—Cl）2 和Rh4（μ—CO）3（CO）9的简正振动分析

金属簇合物因其独特的结构和成键而引人注目，鉴于文献上对铑簇合物的结构、成键、反应和催化性能存在的不同看法，本文的两个铑簇合物的简正振动分析以及另文的铑系簇合物的电子结构计算和催化性能研究，为进一步认识上述问题提供了有意义的结果。     

关于酚酞变色机理的量子化学探讨

采用量子化学B3LYP/6-31G＊方法,对酚酞在不同酸度条件下的构型进行了计算,对分子轨道构成和能量进行了分析,从理论上说明了酚酞溶液的变色机理。     

微小形变电测法的教学内容设计和优化研究

微小形变电测法是大学物理实验中一个非常有特色的综合性创新实验。通过电阻应变片将悬臂梁的微小形变转变为电阻的变化，从而实现微小形变的电测量。结合实验中所蕴涵的国家重大需求及工程问题，以中国航空大型飞机和航母特种钢的设计与研制为例，融入课程思政内容，激发学生的学习热情和爱国热情，使学生综合素质得到全面发展，同时对大学物理实验的教学和研究也具有一定的指导意义和实践价值。