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利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO2介质中的InSb纳米颗粒的界面效应, 结果显示Sb K-XANES实验谱在白线峰强度增大和白线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是: 1. SiO2介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布; 2. 通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的空穴数. 这两方面共同决定了InSb纳米颗粒的Sb K-XANES实验谱在白线峰
强度的增大. 此外, 由于纳米颗粒的界面效应, 仅仅把白线峰的强度增大归因于吸收原子电荷转移带来的空穴数增加, 并依此通过白线峰的强度计算吸收原子的空穴数是不合理的. 相似文献
116.
在进行计算机的高功率微波(HPM)效应研究时,一般采用空间辐照法来获取具体整机系统的微波效应阈值和宏观效应规律,该项研究结果具有较高的实用价值。但对于微波辐照系统的敏感度研究来说,由于辐照效应的影响因素较多,测得的数据重复性较差,需要大量的实验数据支撑,文中在此基础上进行总结。 相似文献
117.
Using evolutionary population synthesis technique, we explore the behaviour of the integrated U-B,B-V, V-R and R - I colours, the integrated spectral energy- distributions (ISEDs) and Lick/IDS absorption-line indices of instantaneous burst solar-metallicity binary stellar populations, as a function of the initial mass function (IMF)of primaries. It is found that the variation of the IMF of primaries produces a small effect on the integrated colours and the Lick/IDS indices, while a significant difference in the absolute ISEDs. 相似文献
118.
聚芳香杂环甲烯的三阶非线性光学效应与时间分辨光克尔效应 总被引:6,自引:4,他引:2
合成了一系列聚芳香杂环甲烯,包括聚吡咯甲烯和聚噻吩甲烯.采用四波混频法研究材料的共振三阶非线性光学效应(λ=532nm),其共振二阶超分子极化率γ三阶非线性光学系数分别达到10-30esu和10-8esu.选择具有良好溶解性、成膜性的聚吡咯对二甲氨基苯甲烯(PPDMAB),采用飞秒时间分辨光克尔效应方法研究材料的非共振三阶非线性光学效应(λ=790nm).实验表明,翠绿亚胺碱溶液的光克尔信号仅表现一超快响应的成分,归功于π电子云扭转产生的非共振激发.PPDMAB的非共振二阶超分子极化率γ三阶非线性光学系数分别达到γ=5.78×10-32esu和χ(3)=1.26×10-10esu. 相似文献
119.
分子聚集体在非线性光学和集成光学等领域有潜在的应用前景。纳米结构一维染料分子J—聚集体有许多既不同于单个分子又不同于体材料的奇异性质,即超辐射和巨光学非线性。这种超辐射是由于在几个本征态内振于强度结合在一起,得到一巨跃迁偶极于,因而是超辐射的。跃迁速率与耦合分子个数N成正比。分子聚集体的J—吸收和超辐射发射是共振的。利用Z—扫描技术测量PIC在不同配比下的非线性折射率、非线性吸收系数和非线性极化率。观测到随着链长变短,样品的三阶非线性极化率增大。对这种非线性增强的机制进行了分析和讨论。 相似文献
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An Electro—Optical Modulator Based on GeO2—Doped Silica Ridge Waveguides with Thermal Poling 下载免费PDF全文
A Mach-Zehnder electro-optic modulator is designed and fabricated based on upper-clad GeO2-doped silica ridge waveguides with thermal poling.The electro-optic coefficient obtained is about 0.05pm/V and is polarizationinsensitive.An extinction ratio of over 17dB is achieved.The transmission loss of the modulator for the TE mode is 2-3dB higher than that for the TM mode after the poling. 相似文献