硼玻璃中Sm3+离子的衰减及交叉弛豫

本文从Sm3+的衰减特性及能级跃迁性质两个方面研究Sm3+离子间的相互作用.一方面研究不同浓度Sm3+的衰减性质,利用Hirayama的理论确立相互作用的性质,另一方面研究相关能级的跃迁性质,从而证实由衰减所得结论的合理性.     

电子束共蒸发技术制备高T_cNb-Ge薄膜及其分析

在750—1050℃的基体温度范围内,对Nb-Ge进行了电子束共蒸发实验.在10~(-5)—10~(-6)托压力下,以数埃/秒的沉积速度蒸发于800—950℃的基体上获得了20—21.9K的高临界温度Nb-Ge薄膜.X-射线结构分析表明基本上为A15结构,或者含有少量的其它相.研究了T_(c)与成分、电阻率比以及点阵参数间的关系.发现在较高温度下沉积时,富Ge薄膜往往伴随四方结构T2相存在;相反,在较低温度下沉积时多出现六方结构的σ-Nb_5Ge_3相。基体表面状态对亚稳A15-Nb_3Ge相的形成或有一定的影响.     

用超滤法从纸浆废液中分离浓缩木素

<正> 绪言工业废水是发展工业过程中必须解决的环境保护问题。制浆造纸工业是排放废水量最大的行业之一,在纸浆废液中含有大量的木素和多糖等宝贵的物质,弃之则污染环境,用之则变废为宝。近年来,关于木素的结构性能及其利用的研究受到愈来愈大的重视,并取得了一定     

发光系统的合作(Кооперативиые)过程

现代发光学(它的课题,可以认为是研究系统中电子激发能量的有辐射的(或无辐射的)转换过程)的特点是,从研究在分立粒子中发生的现象过渡到研究由集体粒子作为整体的行为所决定的特殊辐射现象。这样的整体已经不能用单个粒子薛定谔方程的和来描述,而需要引入一对粒子间的相互作用算符V(r_i,r_j,p_i,p_j)。在强相互作用情况下,单个粒子的个性消失了,无疑地必须计算相互作用。因此,很早以前就这么作了,得到了像晶态磷光体这类系统中的发光学,它以固体的能带理论为基础,又以准粒子和集体激发的概念(声子、激子)作为补充。     

談加强中学数学教学中的邏輯推理因素

数学是邏輯性很强的一門学科,学生在掌握数学基本知識和基本技能的同时就会逐漸养成合乎邏輯的推理习慣。反之,如果学生具有較强的邏輯推理能力,又有助于数学的学习和运用。因此,在中学数学教学中培养学生的邏輯推理能力是有可能也有必要的。培养学生推理能力的首要关鍵是教师必須熟练地掌握各种不同的推理方法。而其根本途径是通过发掘教材內部的邏輯推理因素,考虑教材特点以及学生年龄特征結合教学来进行,既要做到有意識,又必須潛移默化。任何离开教材另搞一套的做法都是不必要的。脫离学生实际,片面追求邏輯上的完整、严謹,提出过高过急的要求也是难以收到良好效果的。下面我們将就中学数学教材中常見的推理方法及其运用作一簡略介紹,以供同志們参考。     

管子探伤中聚焦声束在管外壁覆盖区上入射角的讨论

关键词：     

談談算术根問題

算术根是中学数学的重要概念之一,它不仅和代数式的恆等变換、解方程、函数的图象有密切关系,甚至在三角学的恆等变換中也有它的应用。可是这些問題,在現行高中数学課本中并沒有得到很好地闡明,学生对这个概念也就掌握得不够好,于是造成了升入高等学校后学习数学的困难。为此,本文企图在中学数学范围內比較全面地闡述有关算术根問題,供同志們教学上参考。     

减压氩气下基体对激光微等离子体电子温度的影响

以激光微区发射光谱分析仪结合CCD光栅光谱仪为装置，采用二谱线法，以FeⅠ356.54nm和FeⅠ358.12 nm为分析线，在减压氩气下，测量了镁基体、铝基体、硅基体和低碳钢标样6-0中的激光微等离子体的电子温度及其空间分布，给出了相同基体中微等子体电子温度的空间变化趋势和不同基体中相同空间位置处的电子温度的差异并进行了分析.利用测量的结果，以CuⅠ324.75 nm和ZnⅠ334.50 nm为分析线，从电子温度角度探索了两分析谱线相对强度的基体效应，给出了合理的解释. 关键词： 激光微等离子体 电子温度 减压氩气 基体     

乙炔气体流量对纳米TiC类金刚石复合膜的化学结构及力学性能影响

采用离子注入与反应磁控溅射相结合的方法在钛合金及硅片基体表面上制备了纳米TiC类金刚石(DLC)复合膜.通过纳米压痕技术检测了薄膜的纳米硬度，显微划痕试验评估了薄膜的结合力.通过X射线光电子能谱及X射线衍射表征了薄膜的化学结构.结果表明，通过改变C₂H₂气体流量，可以达到控制薄膜中钛原子含量的目的，合适的C₂H₂气体流量可以在DLC膜中形成较多的纳米TiC晶粒，形成DLC包覆TiC晶粒的复合结构，使DLC膜力学性能得到明显提高.另外，划痕试验表明掺钛、先注入后沉积工艺都使薄膜的结合力得到了较大提高. 关键词： 纳米TiC类金刚石复合膜 类金刚石膜 力学性能     

ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱特性

对采用溶胶凝胶法制备的ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱性质进行了测试分析.UV-Vis透射光谱中观察到光吸收边相对于体相半导体有明显蓝移.稳态发射光谱(PL)中观察到ZnSe纳米晶体的位于蓝区的基本呈高斯分布的弱的最低激子发射峰、强而宽的表面态发光带以及对应杂质能级的三个锐峰发光.时间分辨荧光光谱(TRPL)中观察到发光效率高的最低激子发射峰,并测量其荧光衰减寿命,经尾部拟合为28.5 ps.同时,结合有效质量近似(EMA)模型,估计ZnSe纳米晶体的平均粒径介于2.45~3.60 nm之间,尺寸分布基本呈高斯型.