首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   730篇
  免费   75篇
  国内免费   166篇
化学   704篇
晶体学   27篇
力学   6篇
综合类   13篇
数学   1篇
物理学   220篇
  2024年   4篇
  2023年   23篇
  2022年   21篇
  2021年   14篇
  2020年   19篇
  2019年   20篇
  2018年   15篇
  2017年   23篇
  2016年   16篇
  2015年   15篇
  2014年   51篇
  2013年   37篇
  2012年   35篇
  2011年   28篇
  2010年   23篇
  2009年   36篇
  2008年   40篇
  2007年   21篇
  2006年   32篇
  2005年   32篇
  2004年   36篇
  2003年   28篇
  2002年   37篇
  2001年   36篇
  2000年   33篇
  1999年   18篇
  1998年   36篇
  1997年   22篇
  1996年   36篇
  1995年   21篇
  1994年   24篇
  1993年   30篇
  1992年   24篇
  1991年   33篇
  1990年   20篇
  1989年   21篇
  1988年   2篇
  1987年   3篇
  1986年   1篇
  1985年   2篇
  1984年   2篇
  1983年   1篇
排序方式: 共有971条查询结果,搜索用时 15 毫秒
111.
在湿法炼锌厂,常采用P204和煤油等混合有机溶剂萃取回收铟,萃取时系统中锡等其它金属离子也部分进入有机相,而反洗铟时锡等金属离子绝大部分仍残留在有机相中,有机相循环使用时间一长,锡等金属离子的残留量就大,势必影响对铟的萃取效果,因此必须对有机相中锡的含量进行分析,目前国内尚无成熟简便的分析方法。本文采用苯作稀释溶剂,氢氧化钠-酒石酸混合溶液反萃锡,反萃水相中锡在0.6mol·L~(-1)硫酸介质中与苯芴酮-溴化十六烷基三甲基铵(CTMAB)生成有色络合物,于波长510nm处测量吸光度,方法简单,测定结果准确可靠。  相似文献   
112.
以简单酸铵盐为原料,采用不同的磷钼锑比,在控制反应温度70~80℃、溶液酸度2.5~3.0N的条件下,进行分步反应的方法,首次合成了以锑原子取代的钼锑磷杂多酸铵。通过元素分析,确定了它们的组成;用pH滴定曲线、电子吸收光谱和X射线等方法研究了它们的性质。  相似文献   
113.
114.
茶叶中汞的测定   总被引:2,自引:0,他引:2  
应用程序控温-湿法消解-氢化物发生-冷原子吸收光谱法对茶叶中的汞进行了消解、测定,对可能影响测定的相关因素进行了研究和探讨。回收率为95.0%-104.5%,相对标准偏差为3.8%。与国家标准方法对照,无显著差异。  相似文献   
115.
本文用自制的氢化物发生装置测定了湖底泥中的Sb、Bi和Te,并探讨了各元素的测定条件。实验证明,该法灵敏度高、选择性好、操作简单、稳定性和精密度均满足要求。  相似文献   
116.
P型赝三元温差电材料的研制   总被引:6,自引:4,他引:2  
  相似文献   
117.
刘超  姜复松 《光学学报》1996,16(10):471-1474
研究了632.8nm波长下适用的相变光盘介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性,发现该薄膜可在100ns条件下实现直接重写,在优化膜层结构后,写擦循环次数高达10^6,反射率对比度在15%以上。  相似文献   
118.
119.
CH3COSbCl6催化四氢呋喃聚合的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
CH_3COSbCl_6催化四氢呋喃聚合的研究栗方星,王红军,马克勤(南开大学化学系,天津,300071)关键词聚四氢呋喃,乙酰基六氯锑酸盐,表观聚合反应速率常数,五氯化锑THF聚合为平衡聚合反应应[1,2],文献报道[3,4]Et3OBF4、Et3O...  相似文献   
120.
Sb-doped ZnO thin films are deposited on c-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition. Hall results indicate that the conductivity of the Sb-doped ZnO thin films is strongly dependent on the substrate temperature. The sample deposited at the temperature of 550°C exhibits p-type conductivity. It gives a resistivity of 15.25Ω・cm, with a Hall mobility of 1.79cm2V-1s-1 and a carrier concentration of 2.290×1017cm-3 at room temperature. The x-ray diffraction indicates that the Sb-doped ZnO thin films deposited in the range of 450-650°C are high c-axis oriented. Low-temperature photoluminescence spectra indicate that the sample deposited at 550°C shows the strong acceptor-bound exciton (A0X) emission.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号