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Comparative research on the transmission-mode GaAs photocathodes of exponential-doping structures 下载免费PDF全文
Early research has shown that the varied doping structures of the active layer of GaAs photocathodes have been proven to have a higher quantum efficiency than uniform doping structures. On the basis of our early research on the surface photovoltage of GaAs photocathodes, and comparative research before and after activation of reflection-mode GaAs photocathodes, we further the comparative research on transmission-mode GaAs photocathodes. An exponential doping structure is the typical varied doping structure that can form a uniform electric field in the active layer. By solving the one-dimensional diffusion equation for no equilibrium minority carriers of transmission-mode GaAs photocathodes of the exponential doping structure, we can obtain the equations for the surface photovoltage (SPV) curve before activation and the spectral response curve (SRC) after activation. Through experiments and fitting calculations for the designed material, the body-material parameters can be well fitted by the SPV before activation, and proven by the fitting calculation for SRC after activation. Through the comparative research before and after activation, the average surface escape probability (SEP) can also be well fitted. This comparative research method can measure the body parameters and the value of SEP for the transmission-mode GaAs photocathode more exactly than the early method, which only measures the body parameters by SRC after activation. It can also help us to deeply study and exactly measure the parameters of the varied doping structures for transmission-mode GaAs photocathodes, and optimize the Cs-O activation technique in the future. 相似文献
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分子组装的范畴和复杂性远歹乇于合成反应,但是它们有着相同目标,即高选择性和高效率地创造新物质和制备新功能材料.因此,我们尝试将合成中广泛应用的催化概念拓展至组装研究,提出用于调控和加速组装过程的催组装(cassemblysis)的新思路.为此,我们将迄今泛用的自组装、助组装等术语重新进行规范和分类,即所有的分子组装可分为自组装和助组装.绝大多数组装属于助组装,这可进一步分为催组装、共组装和外场助组装3大类.催组装中的催组剂(cassemblyst)类似于合成中的催化剂,可在不改变总吉布斯自由能变化的条件下加速组装过程,催组装因此有望成为在分子以上层次高选择性且高效率地创造新物质的最佳途径.一些催组装体系在组装之后还会进一步进行化学耦联反应,由此显著提高产物的稳定性,组装与耦联总过程可称为催组联(catassemblysis).我们分别在小分子和生物大分子两个层次上,分析说明了迄今已被不自觉使用的催组装和催组联的一些典型事例,提出了光电催组装的设想,比较了与催组装关联的纳米粒子组装体系,探讨了与催组装相关的简要模型和机理.本:炙强调,在开展可控组装研究中,不仅要设计与合成各种新组装基元,而且要注重构建催组剂和催组联剂,发展催组装的实验和理论方法学,揭示催组剂作用于组装基元的机理,将有望推动可控组装在创造新物质和制备新功能材料方面发挥更大作用. 相似文献
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基区Ge组分的加入可以改善SiGe HBT的直流特性、 频率特性和噪声特性, 但Ge组分及其分布对HBT热学特性的影响报道还很少. 本文利用SILVACO半导体器件仿真工具, 建立了多指SiGe HBT模型, 对基区具有不同Ge组分梯度结构的SiGe HBTs的热学特性和电学特性的热稳定性进行了研究. 研究发现, 在Ge组分总量一定的条件下, 随着Ge组分梯度的增大, 器件的特征频率明显提高, 增益β和特征频率fT随温度变化变弱, 器件温度分布的均匀性变好, 但增益变小; 而基区均匀Ge组分(Ge组分梯度为零) 的HBT的增益较大, 但随温度的变化较大, 器件温度分布的均匀性也较差. 在此基础上, 将基区Ge组分均匀分布和Ge组分缓变分布相结合, 提出了兼顾器件热学特性、 增益特性和频率特性的新型基区Ge组分分布- 分段分布结构. 结果表明, 相比于基区Ge组分均匀分布的器件, 新器件温度明显降低; β和fT保持了较高的值, 且随温度的变化也较小, 显示了新结构器件的优越性. 这些结果对HBT的热学设计具有重要的参考意义, 是对SiGe HBT性能研究的一个补充. 相似文献
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为探索单细胞红外光谱技术对单基因差异的鉴别能力,利用同步辐射傅里叶变换红外显微光谱技术采集含抑癌基因p53(野生型)和敲除抑癌基因p53(敲除型)结肠癌细胞的单细胞显微红外光谱。研究分析光谱发现,二者在脂质、蛋白质以及核酸吸收谱带峰强度和位置都有明显的差异。敲除p53后脂质、核酸以及蛋白特征吸收峰均减弱,且几乎所有的吸收峰都向高波数位移。分析了酰胺I带与酰胺II带的相对吸收强度比,发现敲除型比值明显变大;酰胺I带拟合结果表明野生型细胞中蛋白质二级结构的α螺旋和无规则卷曲含量明显低于敲除型,转角和非典型螺旋的含量则高于敲除型,而β折叠的含量无明显变化。研究表明,同步辐射单细胞红外光谱可以在分子水平上鉴别因p53基因差异而产生的细胞代谢变化。 相似文献
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采用密度泛函理论对以偶氮二异丁腈为引发剂形成的丙烯腈单体自由基(CH3)2(CN)C—CH2—(CN)CH的终止方式反应机理进行研究。先用B3LYP/6-31G(d)基组对反应物、偶合中间体、过渡态、歧化产物的几何构型进行优化,并计算了各物种经过零点能校正后的总能量,红外频率和电子结构,同时对过渡态结构进行了验证。研究结果表明,反应物先通过自由基的偶合终止方式形成偶合中间体a,再由此经过氢迁移、裂解等机理得到歧化终止产物P[p1(CH3)2(CN)CCHCHCN+p2(CH3)2(CN)C—CH2—CH2CN]。双自由基发生偶合和歧化终止反应分别形成偶合中间体a和歧化终止产物P均为放热反应,且偶合产物有着更低的能量。反应过程的速控步骤a→TS→P在常温下的速率常数表示为k(298.15 K)=2.71×10-59。歧化终止反应随着反应温度的升高易于进行,歧化产物所占的比例也增加。通过对反应过程各物种红外谱图的分析,说明自由基在整个终止反应的化学变化,同时分析了HOMO-LUMO电子密度分布的信息,验证丙烯腈双自由基偶合终止方式和各物种结构的准确性。 相似文献
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High-spin states of ^165Er were studied using the ^160Gd(^9Be, 4n)reaction at beam energies of 42 and 45 MeV. The previously known bands based on the ν5/2^-[523] and ν5/2^+[642] configurations have been extended to high-spin states. Electric-dipole transitions linking these two opposite parity bands were observed. Relatively large B(E1) values have been extracted experimentally and were attributed to octupole softness. 相似文献
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利用电弧熔炼方法制备了YbCu5-xInx(x=0.2,0.4,0.6,0.8,1)稀土金属相间化合物样品.多晶X射线衍射分析表明样品具有立方C15b型结构,并发现其晶胞参数随In含量的增加而线性增加.利用SQUID技术测量了样品在4.2K和300K之间的磁化强度与温度变化曲线,结果表明YbCu4In在40K附近显示出明显的具有一级相变特征的Yb离子价态转移现象;在150K以上YbCu5-xInx样品显示居里-外斯型(Curie-Weiss)型顺磁行为,Yb离子为局域三价态(Yb3+,4f13,J=7/2,μeff=4.54μB),这和先前报道的文献一致. 相似文献
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