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101.
102.
103.
用密度泛函理论详细地研究了SiO2·(CO)n(n=1~2)的结构和属性.研究表明,SiO2·CO是一个T形的具有C2v对称性的分子,SiO2·(CO)2具有C2对称性的分子;频率计算结果与实验值一致,CO在与SiO2成键过程中,C-O伸缩振动频率有所增加,说明静电势在复合过程中起了重要作用;基组重叠误差(BSSE)修正在计算相互作用能时不可忽视,相互作用能和解离能的计算以及NBO分析表明,SiO2·(CO)2中的SiO2与CO之间的作用相对SiO2·CO来说较弱;SiO2和CO2与CO的成键特点不同,主要是缘于SiO2与CO2的能隙不同. 相似文献
104.
利用X衍射(300, 270, 250 K)和中子衍射(300, 260, 250, 240 K)研究D-氨酸单晶在静态的和动力学的变温过程中的结构特征以及考证Salam预言的由D到L构型转变的可能性. 实验发现丙氨酸晶体的空间群P212121对称性没有改变. 实验结果否定了构型相变的可能,但是发现在~250 K有一个微小的、连续的对称性破缺发生. 晶体分子振动产生的环电流模型可以用来解释D-和L-丙氨酸单晶直流磁化率和天然旋光角相反的现象, 与之相关的中子衍射数据进一步揭示了变温过程中αC-H(2), N-H(1), N-H(4), N-H(6) 键长的不同变化. 中子衍射还显示了质子移动所导致的动力学无序,来源于分子内氨基和羧基形成的氢键和分子间αC-H和氨基形成的氢键,从而产生的晶格扭曲和NH3+的扭转. 实验结果表明Salam预言相变不是传统意义的结构相变,而是由于温度效应导致了在相变点附近分子的宇称破缺能差(PVED)增大,然后通过氨基酸分子的隧道效应扩大了宇称破缺能差的影响,这一研究为生命现象中快速的均一手性形成提供了非线性机理的合理解释. 相似文献
105.
共混合聚(醚-酯)多嵌段共聚物的表面表征及其血液相容性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文通过X-射线光电子能谱(XPS)、表面接触角、表面ξ电位和血液相容性实验,研究了聚(醚-酯)多嵌段共聚物及其共混物的表面组成和性质与血液相容性的关系。实验结果表明,疏水性的PET-PTMO多嵌段共聚物的血液相容性很差,并且与表相中软段的富集量无关;当亲水性的PET-PEO多嵌段共聚物与疏水性的PET-PTMO多嵌段共聚物共混后,发现存在着一个最佳的共混比例,此时材料表面的血小板粘附量大大降低。对于共混物,表相△[C—O)/[C—O]和表面ξ电位可以较好地与血小板粘附量相关联。以上结果清楚地表明,材料表面的亲-疏水性平衡、软段深度层次分布及表面电位是影响血液相容性的重要因素。 相似文献
106.
107.
用TEA CO_2激光将C_2H_4分子激发到高振动激发态,高振动激发态的C_2H_4分子与基态的K原子碰撞发生振动态→电子态(V→E)传能过程,根据提出的能级组模型,对测得的时间分辨原子荧光信号进行处理,获得温度在453-663 K范围内,C_2H_4-K体系中V→E传能速率的数量级为10~(-10)/cm~3·molecule~(-1)·s~(-1),对应的碰撞传能截面约为0.30~0.80 nm.随着反应温度升高,V→E传能截面减小.上述实验结果表明碰撞体间吸引相互作用在这种非共振的V→E传能过程中起主要作用.利用多极相互作用势下的碰撞络合物模型对实验结果进行了讨论. 相似文献
108.
糖及其聚合物有着重要的生理功能,研究它们的热力学性质具有重要的意义[1 5]。本文考察Cu(II)在蔗糖水溶液中的电化学行为,获得了一些重要信息。1 实验部分使用试剂均为分析纯。蔗糖(北京化学试剂总厂)在343K时真空干燥6h。LiClO4(上海化学试剂总厂)在403K时减压干燥后保存在干燥器中。硝酸铜(北京化学试剂总厂)。所用溶液均采用重量法用二次蒸馏水配制。配好的溶液测定前用通过焦性没食子酸溶液的氮气来除氧。测定温度为298±1K。极谱和伏安测定在微机电化学分析系统(LK98A型)上进行,该机由天津市兰力科化学电子高技术有限公司制… 相似文献
109.
选用四种不同的密度泛函理论方法(B3LYP,B3P86,BLYP,BP86),在全电子的双ξ加极化加弥散函数基组(DZP )下,对SinH/SinH^-(n=3~8)体系进行研究,获得它们的基态结构和电子亲合能。预测Si3H/Si3H^-,Si4H/Si4H^-,Si5H/Si5H^-,Si6H/Si6H^-,Si7H/Si7H^-和Si8H/Si8H^-的基态结构分别为C2v(^2B2)/C2v(1^A1)氢桥结构,Cs(^2A’)/C(^1A’),C2v(^2B2)/C2v(^1A1),C2v(^2B2或^2B1)/C4v(^1A1),C5v(^2A1)/C5v(^1A1)和C5(^2A‘‘)/C3v(^1A1)。在电子亲合能方面,B3LYP方法预测的电子亲合能是最可靠的,预测Si3H,Si4H,Si5H,Si6H,Si7H和Si8H的电子亲合能分别为2.56,2.59,2.84,2.86,3.19和3.14eV。 相似文献
110.