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Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed. 相似文献
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基于SUN5500小型计算机并行开发环境,给出了消息传递模型和蕴式行模型的实现方法,通过实例分析了SUNMPI实际编程,并对选取不同模型有不同参数的运算时间进行了比较,结果表明,在SUN5500计算机上MPI模型和蕴式并行模型均能较大地提高运算速度,而且MPI在灵活性和并行程度方面更优。 相似文献
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用表面电荷密度法计算了能量分析器中静电减速透镜的电位分布,有基尔法对电子轨迹进行了模拟,在电子能量为20keV时,得到分析器的能量分辨为1.0eV;讨论了束径、入射角、透镜第三电极孔径对能量分辨的影响;并对个别实验结果论作了补充. 相似文献
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利用 Schn-Tremblay 理论计算了 Pb、Sn 超导薄膜在注入准粒子且注入电压很小(ev<2△(?))时的能隙微小增加的效应.同时,把此理论扩展到 ev>>2△_i 的大电压情况,计算出能隙明显减小及超导-正常混合态的结果. 相似文献
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