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101.
102.
本文采用了半金刚石昌规则地排列放置在溶媒表面上的工艺方法进行了控制金刚石成核的合成实验。通过使用不同的种晶放置位置及种晶排列问题,研究了金刚石在种晶上的生长过程和影响合成结果的因素。 相似文献
103.
报道了一种弥散型金属薄膜逾渗系统的制备方法和研究结果。从实验发现这种新型的逾渗系统具有异常的R-I关系、三次谐波系数与独特的电流临界规律。分析表明:这些特性与此类薄膜逾渗结构随电流增大而逐渐变化的过程有关,是由沿膜横向逐渐变化的局域隧道电流(LDTC)与跳跃电导(LDHC)效应引起的。 相似文献
104.
作者在研究金刚石表面金属化机理中发现,该物理过程是用化学气相沉积(CVD)方法在强碳化物形成元素上生长金刚石薄膜的逆物理过程。推断在强碳化物形成元素上,诸如WSi,Ta等,生长金刚石薄膜,其界面有相应的碳化物,诸如WC,SiC,TaC等出现,继而生长的金刚石薄膜实质是在相应的碳化物背底上择优取向成核生长的。从而揭示在强碳化物形成元素上生长金刚石薄膜的物理机制是:W(Si,Ta)等→WC(SiC,TaC)等→金刚石薄膜。
关键词: 相似文献
105.
激光淀积YBa2Cu3O7外延超导薄膜 总被引:4,自引:2,他引:2
利用准分子脉冲激光成功地在(100)SrTiO_3与(100)Y-ZrO_2衬底上淀积了 YBa_2Cu_3O_7超导薄膜,T_c(R=0)>90K,J_c(T<82K)>1×10~6A/cm~2.研究了衬底温度对外延YBa_2Cu_3O_7薄膜超导性能及结构的影响. 相似文献
106.
在实验中,对一个物理量在同一条件下进行测量次数很多时,测量值或随机误差通常遵守高斯分布。为简化引入该分布的手续,本文从二项式分布出发推出高斯分布。一、回顾二项式分布对一个随机事件,在同一条件下进行N次独立的试验,若以试验结果事件A发生的概率为P,A不发生的概率为(1-P), 相似文献
107.
108.
本文介绍了多路逆磁测量方法及利用这一方法在HER装置上测量热电子环沿轴向的长度与晃荡电子密度的轴向分布的实验结果。 相似文献
109.
用闪光蒸镀法在77K制备了NdxFe1-x(x=0.06-0.80)非晶薄膜,原位测定了其电阻随温度的变化。结果表明:在0.192和ρ(T)∝T。晶化不是在一个固定的温度,而是在一个温度区间发生。 相似文献
110.
利用低压MOCVD工艺分别在(001)取向的LaAlO3,SrTiO3和重掺杂硅单晶衬底上制备PbTiO3铁电薄膜,并通过X射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析.X射线θ-2θ扫描显示硅衬底上得到了PbTiO3多晶薄膜,另两种衬底上得到了择优取向的PbTiO3薄膜.LaAlO3衬底上的PbTiO3薄膜有a和c两个取向,也就是薄膜中存在着90°畴结构,而生长在SrTiO3衬底上的PbTiO3薄膜中只存在c方向的择优取向.由于薄膜的尺度效应,发现c轴晶格常数与块材相比均缩短.X射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性,利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质,进一步证明了SrTiO3衬底上的PbTiO3薄膜的单畴特性.利用重掺杂的硅衬底作底电极,测量显示直接生长于硅衬底上的PbTiO3多晶薄膜具有良好的铁电性能
关键词: 相似文献