变式教学例说

例题教学是数学教学的重要内容,是学生掌握知识、培养能力的重要平台.纵观当前的例题教学,就题论题的现象较为普遍,教师讲得累,学生学得累,结果事倍功半,效果不佳.我们在教学中重视引导学生在变中悟,在变中练,有效提高了学生能力.今将我们的做法介绍如下,供参考.例题教学中,适时改变问题情境,引导学生考察新情境中的结论、求解思路,有益于学生掌握类比迁移的技能,提高触类旁通的解题能力.     

化学发光分析法应用进展

对近年来化学发光分析法的研究应用最新进展作了评述，包括化学发光试剂的类型，化学发光在无机、有机及药物分析中的应用，全文引用文献105篇。     

轻质能量吸收器

研究了泡沫铝及其合金用作航天、航空轻质能量吸收器所关注的如下问题: 能量吸收性能(E)、紧实应变(ε_d)、孔隙率(P)及其精确控制P±1%, 以及应变速率对能量吸收的影响. 结果表明, 一致性控制孔隙率泡沫铝及铝合金, 在不同应变速率条件下都适合作为轻质能量吸收器.     

Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶:合成,性质及应用（英文）

半导体纳米晶具有独特的量子限域效应以及新颖的尺寸和形貌依赖特性,已被证实是在低成本高性能光伏器件、光致及电致发光二极管、生物成像、光催化等领域非常具有潜力的新型材料.其中,II-VI族与I-III-VI族半导体纳米晶由于其优异的性能在过去的数十年中引起了广泛的关注.过去数十年对于II-VI族半导体纳米晶的研究已经十分成熟,然而几乎所有的传统II-VI族半导体纳米晶都含有对环境有害的元素,对人体和环境造成不可逆转的伤害,从而限制了II-VI族半导体纳米晶的进一步应用.与二元II-VI族纳米晶相比,大部分三元I-III-VI族纳米晶不含镉和铅等重金属元素,因而具有低毒性的特点,并且其带隙窄、吸光收系数大、斯托克斯位移大、自吸收小以及发光波长在近红外区,所以有望使其成为新一代荧光纳米晶材料.例如,CuInS_2的带隙为1.53 eV,与太阳光谱匹配且其吸光系数较大,在10.5cm.~1左右,从而使其成为制备太阳能电池的一种优秀材料.另一方面,I-III-VI族纳米晶在可见光和近红外范围内呈现与尺寸相关的发光,它们的荧光量子产率在包覆ZnS壳后可超过50%,因而在照明,显示和生物成像领域具广泛应用的潜力.水溶性的I-III-VI族量子点粒径尺寸可以小于10 nm,可以减小纳米颗粒通过肾清除的淘汰率,并且具有高荧光性能和耐光性的特点,因此成为进行生物成像工作的优秀材料.与此同时,I-III-VI族纳米晶在光催化领域也展现了巨大的发展前景.本综述主要关注I-III-VI族纳米晶的合成,性质及应用.首先,我们概述了不同的化学合成方法,并列举讨论了一些经典的工作,根据纳米晶的种类分类统计了主要合成方法、形貌及尺寸.第二部分,我们讨论了它们的光物理和电子特性,解释了纳米晶的"donor-acceptor pair"(DAP)结合机理,概述了I-III-VI族纳米晶的磁光现象.接下来,我们概述了I-III-VI族纳米晶主要的应用领域,着重总结了在太阳能电池领域、半导体发光二极管领域、生物成像领域以及光催化制氢领域的研究进展.最后,我们会讨论半导体纳米晶的应用前景,以及它的机遇和挑战.     

由含时边界条件的两种有限深量子势阱构造的哈密顿算符和它们的复BERRY相位

在量子基础理论的框架下分别从一维含时边界条件的半壁无限高量子势阱和三维含时边界条件的有限深球方势阱构造了两种描述带电粒子在电磁场作用下的新哈密顿算符.在绝热近似下，计算了这两种新量子体系的复Berry相位.     

数学教学中的稚化艺术

日本数学教育家米山国藏认为：“无论是对于科学工作者、技术人员、还是数学教育工作者，最重要的就是数学的精神、思想和方法，而数学知识是第二位的”．这个看法是正确的，因为从某种意义上讲，数学思维与数学方法是数学知识体系的灵魂．然而，当前数学教学中普遍存在教...     

腹泻病患儿发锌测定与补锌的疗效观察

测定了１１０名急性腹泻病患儿的发锌，并对５２名急性腹泻病患儿补锌治疗。结果表明，腹泻患儿缺锌率高于健康儿，而补锌可使该病的退热和止泻时间明显缩短。     

LD-pumped high repetition rate Q-switched Nd:YVO_4 laser by using La_3Ga_5SiO_(14) single crystal electro-optic modulator

A diode-end-pumped electro-optic (EO) Q-switched Nd:YVO4 laser operating at repetition rate of 10 kpps (pulses per second) was reported. A block of La3Ga5SiO14 (LGS) single crystal was used as a Q-switch and the driver was a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOS-FET) pulser of high repetition rate and high voltage. At continuous wave (CW) operation, the slope efficiency of the laser was 46%, and maximum optical-to-optical efficiency was 38.5%. Using an output coupler with transmission of 70%, a 10-kpps Q-switched pulse train with 0.4-mJ monopulse energy and 8.2-ns pulse width was achieved, the optical conversion efficiency was around 15%, and the beam quality M2 factor was less than 1.2.