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101.
往复摩擦下热压镍-二硫化钼复合材料的自润滑性能及其耐磨机理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对于含MoS2的复合材料在单向滑动摩擦条件下的实用性能,人们已经进行了比较多的研究,然而好多摩擦部件在工程实际中经受的却都是往复摩擦。为了探明热压Ni-MoS2复合材料的自润滑性能及其耐磨机理,在往复摩擦条件下研究了这种材料盘表面和偶件GCr15钢球表面之MoS2膜的形成过程与形貌特征,并且利用扫描电子显微镜等观察分析了MOS2膜的磨损表面形貌及其微区成分。结果表明,在给定的往复摩擦条件下,对偶双方表面都形成了具有层状结构的MoS2润滑膜,这种膜是通过疲劳剥落、转移、粘附与叠压等方式所形成;MoS2含量对Ni-MoS2复合材料自润滑性能的影响,主要取决于它是否能够在对偶双方表面形成分布均匀而稳定的润滑膜,含60%(wt)MoS2的复合材料的自润滑性能最好;Ni-MoS2复合材料的自润滑性是通过其表面MoS2膜的连续生成与疲劳剥落,并在偶件表面形成转移膜,使复合材料与金属间的摩擦变成复合材料表面MoS2膜与偶件表面MoS2膜之间的摩擦所实现。由此可见,Ni-MOS2复合材料是适合在往复摩擦运动场合应用的一种性能良好的自润滑复合材料。 相似文献
102.
二甲基—γ—全氟辛酰氧丙基硅烷自组装膜的制备及其摩擦学性能研究 总被引:4,自引:2,他引:4
利用分子自组装技术 ,用含有全氟烷基的氯硅烷作为前驱体 ,在活化玻璃表面制备了二甲基 -γ-全氟辛酰氧丙基硅烷单分子膜 ;用 X射线光电子能谱仪对组装膜表面的几种特征元素及其化学环境进行了表征 ;采用接触角测定仪测定了蒸馏水在自组装薄膜表面的接触角 ,在动静摩擦磨损试验机上评价了薄膜同 GCr1 5钢球对摩时的摩擦磨损性能 .结果表明 :所制备的自组装膜的表面自由能很低 ,具有很好的疏水 -疏油性 ,其对水的接触角高达 1 1 0°;二甲基 -γ-全氟辛酰氧丙基硅烷组装膜可以降低基片的摩擦系数 ,而且在较低负荷下具有很好的耐磨性 相似文献
103.
利用原子转移自由基聚合法(ATRP)合成三嵌段两亲性聚乳酸共聚物聚乙烯吡咯烷酮-聚乳酸-聚乙烯吡咯烷酮(PVP-b-PLA b-PVP),然后将其与聚偏氟乙烯(PVDF)进行其混,制备PVP-b-PLA-b-PVP/PVDF共混膜.结果表明:PVDF膜表面致密,膜断面中指状大孔和海绵状孔同时存在,而共混膜表面多孔,指状大孔贯穿整个断面;与PVDF膜相比,共混膜的孔隙率和孔径增大,水通量提高了158.87%,接触角下降了16.70%,抗污染指标下降了64.7%. 相似文献
104.
105.
以氯甲基杂环聚醚酮(CMPPEK)为原料,加入三乙胺进行铵化,并分别加入二乙烯三胺(DETA)和二乙胺(DEA),生成的仲胺基(或叔胺基)与邻近分子链氯甲基团进行自交联.经过制膜和离子交换反应,制备了DETA自交联杂萘联苯聚芳醚阴离子交换膜(DETA-QPPEK-OH)和DEA自交联杂萘联苯聚芳醚阴离子交换膜(DEA-QPPEK-OH).采用傅里叶变换红外(FTIR)光谱对制备自交联膜的化学结构进行表征.研究了DETA-QPPEK-OH和DEA-QPPEK-OH膜的理化性质,结果表明前者具有较低吸水率和更低溶胀度.通过研究DETAQPPEK-OH和DEA-QPPEK-OH膜的离子传导率随温度的变化规律,结果表明在80°C时其离子传导率分别达到0.060和0.028 S cm-1,表明本文制备的自交联膜具有较高离子传导率.此外还通过热重分析(TGA)对两类自交联膜的热稳定性进行了研究. 相似文献
106.
107.
108.
利用循环伏安法和电化学交流阻抗谱研究了MBDA/Au,MBTA/Au,TBDA/Au,TBTA/Au修饰电极以及MBDA与DT混合自组装/Au、TBTA与DT混合自组装/Au修饰电极的覆盖度。结果表明这些自组装膜在金电极表面的覆盖度均比较高,达到99%以上;对同一类修饰电极,混合自组装膜的覆盖度高于单组分自组装膜的覆盖度,混合自组装体系的覆盖度随着DT比例的增加而增加;同类物质,长链化合物在金表面的覆盖度大于短链化合物,含二硫键的化合物与金电极的键合能力比含一个巯基的化合物键合能力强。 相似文献
109.
以PdCl2为前驱体,十六烷基三甲基溴化铵为保护剂,用超声波膜扩散法制备了Pd纳米粒子溶胶(E,Pd负载量1.0 wt%)。采用水热法制备了3D纳米花状Pd/CeO2催化剂(F),其结构,形貌和物理化学性能经XRD,SEM和N2吸附-脱附表征。考察了晶化时间对F形貌和晶型的影响。结果表明,晶化时间72 h制备的F72具有较高的比表面积(108 m2·g-1)和较大的孔体积(0.11 cm3·g-1);晶化时间48 h制备的F48呈现花状形貌,由大量厚度(20 nm~30 nm)均匀的纳米单元自组装而成。 相似文献
110.
《低温与超导》2021,49(7):1-5,66
采用自主研发的无氟高分子辅助金属有机物沉积(FF-PAMOD)法在LaAlO_3单晶基底上制备微量Co~(3+)掺杂的GdBCO薄膜,研究不同掺杂量对薄膜结构和超导性能的影响。结果表明,掺杂量x为0.001的薄膜(GdBa_2Cu_(3-x)Co_xO_(7-z))具有更好的c轴织构和更加平整致密的表面微结构,以及在77 K自场具有最高的临界电流密度(J_c)。此外,与纯样相比,该掺杂样品(x=0.001)在磁场下显示出更高的J_c(77 K, 30 K),这可能是Co~(3+)掺杂对薄膜外延生长的促进和掺杂引入的钉扎中心共同作用的结果。 相似文献