Basic properties of an rf SQUID involving two Josephson junctions connected in series

We have studied the basic characteristics of a radio frequency superconducting quantum interference device (rf SQUID) involving two Josephson junctions connected in series, the case for the widely used grain boundary junction (GBJ) rf SQUID. It is found that the SQUID properties are determined mainly by the weaker junction when the critical current of the weaker junction is much lower than that of the other junction. Otherwise, the effect of the other junction is not negligible. We also find that only when the hysteresis parameter β is less than 1-α, where α is the critical current ratio of the two junctions, will the SQUID operate in the nonhysteretic mode.     

低温等离子体物理进展

概述了低温等离子体物理研究现状、发展及其应用      

纳米科学技术——面向二十一世纪的新科技

介绍了一门崭新的面向二十一世纪的新科技——纳米科学技术,它的发展历史、现状与展望,它在电子学、材料科学、生物学、工程学和机械学方面的应用,也讨论了与其相关的科学技术.对今后的研究方向提出若干建议. The brand—new science and technology facing the 21st century——Nanometer scalescience and technology is introduced.It s history of development、current situation and prospect arementioned.It s application on electronics、material science、biology、engineering and mechanics is dis-cussed.The related science and technology is also discussed.Some suggestions for the future study areraised.     

单分子结的构筑及分子电导性质的测试

分子电子学已成为21世纪研究的热点. 通过将具有特定功能的分子连接在纳米尺度金属电极之间从而构筑包括分子导线、开关、整流器在内的各种分子尺度电子器件, 这引起了科学家们广泛的研究兴趣. 在分子电子学研究中, 构筑金属/分子/金属(MMM)分子结是研究分子器件中电子传输性质的关键. 尽管已经取得了很大的进展, 目前在纳米尺度下构筑稳定可靠的MMM分子结并测试单个分子的电学性质仍然面临很多挑战. 本文着重对单分子电学性质的测试技术和相关理论研究的最新进展以及存在的挑战做了概述.     

混合教学模式在《光电仪器电子学实验》中的运用探索

高等学校实验教学承担着培养学生实践能力、创新能力和综合素质的重要任务。传统的实验教学模式在实验内容设置和安排上缺乏对学生自主研究、深度参与及提高综合能力的考虑,因而不利于学生个性和创新精神的养成。以《光电仪器电子学实验》课程为例提出了线上线下双反馈一体化的混合式实验教学模式。通过线上线下双反馈一体化的实验教学模式,可以形成一个发现问题、及时反馈、调整实验教学方案、跟踪评价并持续改进的闭环教育过程,有效提高学生学习的自主性、积极性,提高学习效果。     

反应磁控溅射氧化镍薄膜的自旋塞贝克效应

自旋塞贝克效应是由(亚)铁磁体中的温度梯度引起自旋塞贝克电压信号的现象,目前已成为热自旋电子学研究的热点领域之一。本文采用反应磁控溅射工艺在Si衬底上沉积NiO薄膜,分别研究了溅射功率、氧氩比例、溅射气压、衬底温度对NiO薄膜微观结构和表面形貌的影响,实验中反应磁控溅射最适工艺条件为溅射功率110 W、氧氩比例0.15(O₂ 15 mL/min; Ar 100 mL/min)、溅射气压0.3 Pa、衬底温度400 ℃。研究了Si/NiO/Pt结构中温度梯度(温差)、磁场角度、NiO厚度变化和Pt厚度变化对自旋塞贝克电压的影响。结果表明,自旋塞贝克电压与温差呈简单的线性关系,温差越大测得的自旋塞贝克电压越高;磁场角度与自旋塞贝克电压之间满足余弦函数关系式,即在0°和180°时所得自旋塞贝克电压最大,90°和270°时为零;反铁磁性绝缘层NiO的厚度越大,所测得的自旋塞贝克电压信号越强;顺磁金属层Pt的厚度越大,自旋塞贝克电压信号越弱。     

电子的谷自由度

电子在晶格周期性势场影响下的运动遵循布洛赫定理. 布洛赫电子除了具有电荷和自旋两个内禀自由度外, 还有其他内禀自由度. 能带色散曲线上的某些极值点作为谷自由度, 具有独特的电子结构和运动规律. 本文从布洛赫电子的谷自由度出发, 简单介绍传统半导体的谷电子性质研究现状, 并重点介绍新型二维材料体系, 如石墨烯、硅烯、硫族化合物等材料中谷相关的物理特性. 有效利用谷自由度的新奇输运特性, 将其作为信息的载体可以制作出新颖的纳米光电子器件, 并有望造就下一代纳电子器件的新领域, 即谷电子学(valleytronics).     

有机自旋器件磁性渗透层中双极化子对自旋极化输运的影响

根据实验发现的有机器件如Co/有机半导体/La_0.7Sr_0.3MnO₃中磁性原子渗透现象, 利用自旋漂移-扩散方程, 理论研究了磁性渗透层中极化子-双极化子的转化对自旋极化输运的影响. 研究发现: 磁性渗透层具有不同于纯净有机层的迁移率和自旋反转时间, 都将影响极化子-双极化子的转化, 进而影响自旋极化的输运; 在磁性渗透层中极化子自旋反转时间的劈裂是引起自旋弛豫的主要因素, 而极化子和双极化子之间的转化是重要因素.     

爆炸容器介绍

可设计10g~50kg TNT当量的各种形式的密闭爆炸容器,具有防破片,射流的可换式内衬装甲,能同时进行X光、激光、高速摄影和电子学测试。能研制开发新型复合材料抗爆容器,其当量由10g~100kg TNT,容器质轻高强,移动便捷,是科研、工业和城市公共安全等部门较理想的抗爆反恐应急设备。     

基于分线器核信息共享平台的研究与应用

基于保真传输技术,研制了基于分线器的WG-1核信息共享实验仪,克服了2个主要问题:保真传输和反射波,实现了核信息共享,保证了实验信息的一致性.研制了两套实验样机,运行稳定,具有良好的可重复性和实用性.该核信息共享实验仪为核辐射探测实验提供了新型运行模式.