利用单色谱仪研究炸药粉快速反应产物发射谱

利用作者研制的快速反应（爆轰）光谱探测技术研究了五种常用猛炸药快速反应最终产物光谱。研究表明，随着炸药负氧平衡值的影响，最终产物Ｈ２Ｏ的含量也增加，同样随着炸药中碳含量的增加ＣＯ２量增加，固体Ｃ２也明显增多，它能为爆轰产物合成金刚石选用主炸药提供有参考价值的数据，实验值与ＢＫＷ方程计算进行了比较，其趋势是一致的，为微观研究炸药粉快速反应提供了一个较简便而行之有效的方法。     

扫描电镜用于PTFE拉伸微孔膜的形态结构研究--研制中PTFE拉伸微孔膜的SEM鉴定

运用扫描电镜 (SEM )图像研究了聚四氟乙烯 (PTFE)粉料经过推挤、辊压和拉伸得到的微孔膜的形态结构 ,观察到膜是由网状纤维及由它所连接的结点所组成 .单相和双向拉伸显著影响到膜结构的改变 ,而未经热处理的拉伸膜的丝状纤维在放置中收缩改变了膜的微孔形态结构 ,但在孔径测定中没有显著变化 .认为纤维丝是PTFE粉料在推挤和辊压中形成的结点在拉伸中伸展引出的并产生孔隙 ,而由于从SEM仅能观察到 1nm深度的膜表面层 ,厚度达数十微米多孔膜的孔径分布应是很错杂的 .     

含双疏水链阴离型两性分子单分子膜的聚集行为

单分子膜在水面上的聚集状态与膜分子的亲水基间的静电排斥作用和疏水基间Van der Waals引力的相对大小有关.在293K亚温度下,2C~nSN~a单分子膜聚集行为的电子显微研究表明,n=12时呈非晶性单分子;n=12时在较高的表面压下形成结晶性单分子膜;n=16时可在表面压为0mN.m^-1的情况下形成结晶性单分子膜.FT-IR和透射电镜对单分子膜聚集结构的解析结果相互一致.本文还讨论了压缩速度对单分子膜π-A等温线的影响.     

C／SiC复合材料的合成及在氨合成反应中的应用

以蔗糖为碳源,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,草酸为凝胶剂采用溶胶凝胶法制备出前躯体,高温碳热还原合成C/SiC复合物,其比表面积为333 m2/g,孔半径集中在7.9 nm;总孔体积在0.52 cm3/g;以其为载体,钉为活性金属组分,钡和钾为助剂制备催化剂,将其应用于氨合成反应,考察其催化活性.当催化剂中Ru,Ba和K质量分数分别为3.28%,3.28%和11.48%时,在10.0 MPa,空速为10 000 h-1,435℃条件下,出口氨浓度达15.20%(体积分数).     

关于对称知识教学中应注意的问题

先看下列各题: fx夕,3 1.褚”,6(见初中(({七数》课本第三册) ‘戈z二2 fx y,l 2.裙x十z二3(见初中《代数》课本第二 ‘夕 z,6册P37) 3.如图l,在公路I的同侧有两个工厂A、B,要在路边建一个货场C.使A、B两场到货场C的距离的和最小.在图中作出点C(见初中((几何》课本第一册pl46).At//B升升片五,F图l 4.如图2.在半径为scm的圆上有10个点,扣邻两点的距离相等,采用如图所示的坐标系,求各点的坐标(见初中《几何》课本第二册P146)? 上述各题显然都包含着对称关系,类似的例子还可举出不少.在初中教材中、不少章节都涉及到了对称关系问题.如《…     

激波管中H_2─O_2爆轰产物辐射光谱的实验研究

本文采用Ｐｌａｒｏｉｄ６６７高速感光底片和大型石英棱镜摄谱仪，首次成功地拍摄到３０００～６４５０范围内激波管中Ｈ２─Ｏ２爆轰及杂质光谱。经识别确认出以下谱线和谱带：ＯＨ（０，０）、ＯＨ（０，１）和Ｏ１Ｓｃｈｕｍａｎｎ—Ｒｕｎｇｅ分子谱带，管壁物质及管内附积物Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎａ的原子谱线以及管壁物质和管内附积物参与化学反应的中间产物的分子谱带系ＦｅＯ（黄带系）、ＣｒＯ（红黄带系）、ＣａＯＨ和Ｎａ２的无带头结构及ＡｌＯ（绿带系）。并对上述谱线和谱带的产生机理进行了分析和讨论。实验表明：在Ｈ２—Ｏ２爆轰中，Ｈ２对金属氧化物有较强的还原性。光谱分析还发现：Ｈ２—Ｏ２爆轰产生的ＯＨ（０，０）和ＯＨ（０，１）两谱带强度与Ｈ２—Ｏ２火焰中产生的ＯＨ（０，０）和ＯＨ（０，１）两谱带强度比较发生了反转。     

甲基-γ-氨丙基聚硅氧烷的合成及其与甲苯二异氰酸酯交联后的氧氮透气性

由甲基硅单体与γ-氨丙基硅单体共水解缩合得到侧链含γ-氨丙基的聚硅氧烷。通过两种有机硅单体的竞聚率测定,认为以环体形式的硅单体可以聚合得到氨丙基分布较为均匀的聚合物。经甲苯二异氰酸酯交联后的硅橡胶显示出较高的氧氮透气选择比,有利于从空气中富集氧。     

矩阵的秧下界与方阵的非异性

<正> 在[2]、[3]、[4]中,已给出一串矩阵秩的下界估计式,并相应地讨论了几类所谓“迹占优”的方阵的非异性。但在理论上以及某些应用问题上,还需判断下列两类方阵的非异性:一是当方阵的主对角元出现负元,然其绝对值较大时;二是方阵之迹并不“占优”.但每一行的不同列上各有一个元素,使这些元素之绝对值的和“占优”。本文将首先讨论两个     

酸性介质中丙烯基硫脲对铜阳极溶出和阴极沉积过程影响的EQCM研究

采用循环伏安(CV)和电化学石英晶体微天平(EQCM)方法研究了酸性介质中铜阳极溶出和阴极沉积过程以及丙烯基硫脲(AT)对该过程的影响. 结果表明, 铜阳极溶出和阴极沉积过程的M/n分别为32.0和34.2 g/mol, 都是两电子过程, 其间未检测到Cu(Ⅰ)中间产物. AT改变了铜阳极溶出和阴极沉积的历程. 在含AT的溶液中, 铜阳极溶出和阴极沉积过程的M/n分别为61.9和65.4 g/mol, 可指认铜阳极溶出产物为CuAT+, 并提出了AT存在下Cu阳极溶出和阴极沉积过程的反应机理; 从电极表面质量定量变化的角度提供了Cu阳极溶出和阴极沉积过程的新数据.