La,Nd,Sm,Td与HDBM配合物的固相反应合成与表征

研究了ＨＤＢＭ与Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔｂ等希土离子的固相配位反应，ＲＥＡｃ３．ｘＨ２Ｏ与ＨＤＢＭ进行固相配位反应制备ＲＥ（ＤＢＭ）３配合物，经元素分析，红外，Ｘ衍射和光声光谱检测进行表征。     

螯合物(FcCOCHCOCH3)2Cu与(FcCOCHCOCH3)3Fe的合成及其燃烧催化活性

含有铁、铬、铜等过渡元素的一些化合物,如铁的氧化物、铜的亚铬酸盐、二茂铁及其衍生物等都可作为复合固体推进剂的燃速催化剂.在二茂铁衍生物中主要是烷基衍生物,如叔丁基二茂铁、正辛基二茂铁、γ-二茂铁丁酸丁酯以及1,7-二(二茂铁基)庚烷、2,2-双(乙基二茂铁基)丙烷等.上述催化剂的变化趋势是由单二茂铁基向双二茂铁基发展,     

C59H3N异构体的结构与稳定性的理论研究

分别用MNDO,AM1和PM3三种半经验方法对C59HN所有1-2,1-4和1-6氢加成物C59H3N的异构体进行几何构型全优化,结合频率分析及HF/6-31G单点能计算,确定了各异构体的基态结构及其相对稳定性,计算结果表明,C59HN氢加成物的立体选择性规律与C60和C60H2的不同,最稳定异构体不是1-2加成物,而是1-4加成的6,18-或12,15-异构体,次稳定异构体为1-2加成物,三种半经验方法计算得到的两者能量差为13～15kJ/mol,N原子取代碳笼骨架C原子后,改变了碳笼氢加成物的立体选择性规律.     

钼及鎢之測定——Ⅸ.用鎢酸鋇法測定鎢

本文敍述用鎢酸鋇法测定鎢的適宜條件。沉澱應在pH7.2—8.0,微沸的溶液,用熱氯化钡溶液進行。沉澱劑應在沉澱後仍維持0.8—2毫克分子濃度。過低則沉澱不完全,過高則結果偏高。灼燒沉澱温度為500—900°。本法可以测定6毫克及以上的三氧化鎢。沉澱中的碳酸鹽(<3‰)和氯化物(當沉澱劑過量为50—100％時,3—4‰)均可不顧。隔絕或除去二氧化碳也無必要。幾種銨、鉀和鈉鹽的影響亦曾加以探討。     

镍电极开路电位测定微量硼氢根离子

实验采用循环伏安法，用镍电极代替铂铑等贵金属电极测定了碱性体系中不同硼氢根离子浓度下的开路电位，得出了研究电极的开路电位（-0．355～-0．280vs.SCE／V）与微量硼氢根离子浓度的对应关系，并用于监测电解偏硼酸钠制备硼氢化钠体系中微量硼氢根离子，同时计算了该方法的误差。结果表明，测量结果的相对标准偏差为2．2％；回收率为98．4％。该法简单、快速，可测定10^-5～10^-3mol／L范围的硼氢根离子浓度。     

职业性铅接触对血压影响的研究

对１１８名铅接触工人及１０８名对照组工人的血压研究发现，在血铅为４４．２６μｇ／ｄＬ时，铅接触工人的收缩压显著高于对照组，分组研究发现，收缩压在级组剂量－反应关系趋势，在血铅３０．２０μｇ／ｄＬ，收缩压显著高于对照组，多元逐步回归分析发现，在控制一些其他影响血压的因素后，铅接触工人的血铅水平与收缩压和舒张压均有剂量－反应关系。     

3D打印用高分子材料及其复合材料的研究进展北大核心CSCD

3D打印技术亦称为增材制造,是基于三维数学模型数据,通过连续的物理层叠加,逐层增加材料来生成三维实体的技术。作为第三次工业革命的代表性技术之一,3D打印材料是影响3D打印技术发展与应用的关健因素。而高分子聚合物在打印材料中占据主要地位,其中高分子复合材料具有明显优势。本文综述了近年来3D打印用高分子材料及其复合材料的研究现状,包括高分子丝材、光敏树脂、高分子粉末、高分子凝胶及其它高分子材料,并对高分子材料在3D打印领域的发展进行了展望。     

磁性颗粒在基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱分析多肽类物质中的应用北大核心CSCD

制备了由SmFeN磁性颗粒(MPs)和芥子酸(SA)组成的复合基质,并应用于基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱法(MALDI-TOF-MS)分析典型的低分子多肽类物质,使分析物相关的质谱峰明显增强。试验确定复合基质中SA和MPs的质量比的最佳值为4∶0.5,此时,[Sub P+Na]^+的信号强度增加了约40倍。同时,采用紫外-可见漫反射光谱法对复合基质的工作机理作了初步探讨。     

3D打印用高分子材料及其复合材料的研究进展

3D打印技术亦称为增材制造,是基于三维数学模型数据,通过连续的物理层叠加,逐层增加材料来生成三维实体的技术。作为第三次工业革命的代表性技术之一,3D打印材料是影响3D打印技术发展与应用的关健因素。而高分子聚合物在打印材料中占据主要地位,其中高分子复合材料具有明显优势。本文综述了近年来3D打印用高分子材料及其复合材料的研究现状,包括高分子丝材、光敏树脂、高分子粉末、高分子凝胶及其它高分子材料,并对高分子材料在3D打印领域的发展进行了展望。     

膜修饰液/液界面上亚叶酸离子的转移

采用复合介孔膜修饰水/1,6-二氯己烷(W/DCH)界面得到阵列介观W/DCH界面,利用循环伏安法、差分脉冲伏安法以及计时电量法考察了亚叶酸离子在该阵列介观W/DCH界面上的转移过程.结果表明,亚叶酸离子在膜修饰W/DCH界面上转移的电化学响应与复合介孔膜内表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵密切相关.循环伏安结果表明,亚叶酸离子由膜内水相向油相转移的峰电流与扫描速率的平方根呈线性关系,根据Randles-Sevik方程,计算得到亚叶酸离子在复合介孔膜内水相中的扩散系数为2.036×10~(-8)cm~2/s.利用计时电量法测得亚叶酸离子在该界面上转移反应的标准速率常数为2.72×10~(-3)cm/s.