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101.
102.
应用1H-1H COSY,NOESY,13C-1H COSY等2DNMR和DEPT技术,完成了赤霉酸甲酯(2),13-O-乙酰基赤霉素甲酯(3)及其3位差向异构体(4)的1H和13CNMR化学位移的全指定,并探讨了它们的相对构型,相关质子间的偶合常数也支持所得结果。 相似文献
103.
104.
1IntroduInthispaperwestudyill(.)(l}xlsl(.)ll(:()noTI-1)ega,t]v(3s(>1lltionsfort,h(i1,woilo]lit,boundaryvalueproblemsu\ry;l;(:i.t>(v,>\,:t),:j:=fti-i'...ifn(j)>l),A>0isdcollstanta,f,dj'e(!'l,.,ti,fi<,,f(())<0(l.:i)111.of)i(lfllsifs{.1.l:)-(.I.2)havel,ecnsi… 相似文献
105.
106.
用转镜式扫描光谱仪获得了微型环流器放电中不同时刻的氢等离子体的扫描光谱及氢原子光谱的H_α和H_β谱线的瞬时轮廓。根据谱线的多普勒展宽,测定了放电期间离子温度随时间的变化;亦观察了在发生破裂不稳定性时离子温度的变化。 相似文献
107.
108.
The electroluminescence of GexSi1-x/Si single quantum well was measured at temper-atures above room temperature along the growth direction and the direction normal to it. TO and NP peaks were resolved. 相似文献
109.
A new surface cleaning method for Si MBE is described in which a very weak Ge beam flux is deposited on the surface for removing the thin passivative layer of SiO2 on the Si subetrate. It has proved that the SiO2 will react with Ge at a relatively low temperature (620℃), and as a result, the oxide layer becomes volatile. Here the high temperature annealing in the conventional Shiraki method is no longer required, and since the oxide layer is removed in ultra high vacuum, only very little carbon contamination may occur. Furthermore, to reduce the excessive Ge on the substrate surface, Ge is deposited at 620℃ and then the sample is annealed at 700℃; the residual Ge atoms on Si substrate can be reduced to less than 0.1 monolay-er (ML). Ge beam treatment turns out to be an effective low-temperature Si surface-cleaning method, especially for the heteroepitaxial growth of GexSi1-x/Si. 相似文献
110.
土壤光谱分析技术具有分析速度快、成本低、无危险、无破坏、可同时反演多种成分等特点,基于高光谱成像技术可以快速获取土壤性质及其空间分布特征。本文针对农田土壤监测的需求,设计了一种无人机载高光谱成像仪,选择Offner凸光栅光谱成像系统实现了无谱线弯曲和无色畸变的设计结果。400~1 000nm波长范围内的衍射效率为15%~30%,对地成像效果清晰,在3 km飞行高度可以获得覆盖宽度为0.6km、地面分辨率为0.6 m的地物目标高光谱图像,可提供0.4~1.0μm波长范围内120个谱段的高光谱图像,光谱数据准确、稳定。结果表明,该高光谱成像仪满足设计要求且可以快速获得高精度成像光谱信息,适合用于对农田土壤的监测。 相似文献