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101.
HL-2A装置位形及垂直不稳定性控制 总被引:3,自引:2,他引:1
优化设计了用HL-2A装置双零偏滤器位形,使拉长比k95和三角形变δ95分别达到1.2和0.4,同时研究了它们的垂直不稳定性控制问题。 相似文献
102.
本文根据J.Upatinieks的椭圆等光程原理,提出了一种现场观测多纵模激光有效相干长度及其TC周期性的全息法.介绍了基本原理与方法,给出了相应的实验结果. 相似文献
103.
104.
105.
106.
相干性对X光全息图分辨率的影响 总被引:4,自引:4,他引:0
分析计算了X光束的相干性对X光全息图分辨率的影响,结论是X光无透镜傅里叶变换全息术所要求的相干长度和分辨率与样品尺雨戌二次线型关系;X光同轴全息术所要求的相干长度和分辨率的平方以及样品到全息图的距离成正比。 相似文献
107.
制备了一种有机垂直光发射晶体管, 兼具有机发光二极管的发光和晶体管的开关调节两个功能.其结构为一个有机发光单元垂直堆叠在一个电容单元上,两单元通过一个共有的源电极连在一起.当电容单元被充电时,积累在源电极的电荷能有效地调节源极与有机层之间的载流子注入势垒,从而达到控制源漏输出电流的大小,最终控制发光单元发光的强度.实验结果表明,器件可提供02 mA的输出电流,其大小可驱动发光单元发光,工作电压(开启电压)为6 V.这种垂直集成方案,实现了器件多功能化,为有机发光二极管有源矩阵驱动的实际应用提供了一种新的解决方法.
关键词:
有机光发射晶体管
垂直
电容 相似文献
108.
设计并优化了一种用808nm的大功率激光二极管为抽运光源,In0.09Ga0.91As量子阱结构为增益介质的920nm光抽运半导体垂直外腔面发射激光器。运用有限元方法,对激光器的电特性方程和光特性方程求自洽解,计算了器件各种特性参量。分析了单个周期内不同阱的个数(1,2和3)、不同阱深、不同垒宽、不同非吸收层组分、不同非吸收层尺寸条件下,器件性能的改变,特别是模式、阈值和光-光转换效率的改变,从而选择一个最佳的结构。 相似文献
109.
110.
本文用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和Si O2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布.目的是证明Al N膜钝化层要比SiO2膜钝化层有具更好的特性,使器件能更稳定的工作,提高器件的特性,经模拟得到基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.12℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.77℃/W.经实验测得基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.59℃/W而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.82℃/W,模拟结果和实验结果吻合较好.说明AlN膜钝化层要比SiO2膜钝化层具有更好的热特性. 相似文献