用数值遗传算法计算配合物的稳定常数

提出了一种新的合局优化方法－数值遗传算法，该法可以处理连续变量参数的优化问题，能在很多局部较优中找到全局最优点，特别适合处理复杂的非线性问题，该法通过遗传操作不断改变个体和群体，使之逐渐适应环境，除新设计了交配和突变数值遗传操作外，本文还提出了记忆遗传操作，从而加快了运算的速度，采用这种算法，测定了新型化学发光材料的重要中间体－三氯水杨酸的酸常数及其与铜和铁的配合物的稳定常数。     

利用C~(14)示踪原子研究水煤气合成反应中醇与酸的相互转化关系

在使用固定床熔铁催化剂的中压水煤气合成反应中,分别添加少量用C~(14)标记的乙醇、乙酸和丙酸.添加的乙醇在该条件下很稳定,不易转化为乙酸.添加的乙酸则有35—46%转化为乙醇,并有一定量转化为其他化合物.产品乙酸的比放射性为添加乙酸的1/20至1/70,并低于产品乙醇的比放射性.添加丙酸得到了相似的结果.对在不同流程条件及催化剂上酸产率的差异进行了讨论,并认为酸的二次反应是醇的主要生成途径.     

PREPARATION OF WATERBORNE ULTRAFINE PARTICLES OF EPOXY RESIN BY PHASE INVERSION TECHNIQUE

Werborne ultrafine particles of epoxy resin were prepared by phase inversion tech-nique. The results of SEM revealed that the particles diameter was in the range of 50to 100 nm and the effects on amount of water required at phase inversion point were alsodisc?d.     

纳米硅上的弯曲表面效应及其特征发光

纳米硅结构使能带的带隙展宽,并形成准直接能带带隙结构.弯曲表面上的某些键合可以在带隙中产生局域电子态,计算表明:纳米硅弯曲表面上的Si-N,Si=O和Si-O-Si键合能够分别在带隙中2.02 eV,1.78 eV和2.03 eV附近形成局域态子带,对应了实验光致荧光谱(PL)中605 nm处的LN线、693 nm处的LO1线和604 nm处的LO2线特征发光.特别是,Si-Yb键合在纳米硅弯曲表面上可以将发光波长调控到光通信窗口,在1310 nm到1600 nm范围形成LYb线特征发光.     

表面键合对硅(111)量子面电子结构的影响

将纳米硅薄膜看成理想的一维限制的量子面结构,通过第一性原理计算研究了不同厚度的硅(111)量子面的能带结构及态密度。随着量子面厚度的变化,在Si—H键钝化较好的量子面结构上,其带隙宽度变化主要遵循量子限制效应规律。当在表面掺杂时,模拟计算表面含Si—N键的硅(111)量子面的结果表明:在一定厚度范围内,带隙宽度主要由量子限制效应决定;超过这个厚度,带隙宽度同时受量子限制效应和表面键合结构的影响。保持量子面厚度不变,表面掺杂浓度越大则带隙变窄效应越明显。同样,模拟计算含Si—Yb键的硅(111)量子面的结果也有同样的效应。几乎所有的模拟计算结果都显示:量子面的能带结构均呈现出准直接带隙特征。     

水分子在微孔隙介质中的受限扩散模拟

在饱和多相流体孔隙介质中,利用核磁共振测得的扩散系数可以区分油气水,并用于饱和度等岩石物理参数的求取,但在微小孔隙（< 20 μm）中,流体的表观扩散系数会偏离其自由扩散系数．通过有限差分和随机游走模拟方法对水分子在单孔隙及多孔隙介质中的扩散进行数值模拟,考察水分子扩散受限的程度．结合核磁共振在测井及实验室岩石物理应用的技术,进一步分析了受限扩散对求取油水饱和度等岩石物理参数造成的影响．同时,分析总结了两种模拟方法的使用条件及优缺点．     

重建彩色数字全息图时不同色光物光场的准确重叠研究

将数字全息检测物体表面视为散射面,球面波为参考波,使用角谱重建算法对不同波长照明情况下物平面光波场重建位置进行研究.结果表明,不考虑图像的物理意义时,衍射的一次傅里叶变换重建像中心与物光场频谱的中心相对应,以一次傅里叶变换重建像为参考,可以较好地确定物光场频谱位置,按照可变放大率的角谱重建算法实现不同色光重建场的准确重叠.     

箭载双臂式电场仪的原理与设计

在介绍双臂式电场仪探测原理的基础上,给出了子午工程探空火箭搭载的双臂式电场仪的具体设计.为了降低探针的不对称和不一致性,采用了铝制球形探针设计,使用石墨涂层以减少表面不均匀性,并采用独特的外形设计来消除支撑臂阴影影响|在信号处理部分,为了能提高系统动态范围,采用了分频段处理的方法.最后,结合整体系统设计的需要提出了几点误差考虑,并给出了系统性能测试结果.所设计的电场仪带宽0～5 MHz,直流探测范围为0.1 mV/m～±1 V/m,交流探测范围为10 μV/m～50 mV/m,可以实现对电场强度为0～±1 V/m的空间电场进行二维测量.