新型含吡啶酮（吡唑）结构的A2a/A2b双靶点腺苷受体拮抗剂的合成及生物活性研究

设计并合成了具有吡啶酮或吡唑结构的6个新型双靶点（A_2a和A_2b）腺苷受体拮抗剂。其结构经¹H NMR、¹³C NMR和HR-MS（ESI）表征。采用cAMP法评价了目标化合物（11a~11f）对A_2a和A_2b受体的抑制活性。活性测试结果表明：该系列化合物对A_2a和A_2b受体均有较好的抑制活性。其中化合物11e抑制活性最强,抑制A_2a和A_2b受体的IC₅₀值分别为8.188 nM和15.22 nM,11e对A_2bR受体的抑制活性优于阳性对照药AB928（IC₅₀=36.48 nM）。此外,利用分子对接研究了化合物11e与A_2a和A_2b靶点的结合情况,结果表明：化合物11e与A_2a和A_2b靶点具有较好的亲和作用。     

锦屏一级左岸垫座以下坝基地质缺陷初步评价

锦屏一级左岸垫座以下发育的不良地质单元,不仅破坏其岩体的完整性,而且可能导致建基面抗变形能力的不均匀性,以致对坝基岩体带来不良影响,危及拱坝安全。立足于坝基岩体质量环境,将垫座以下不良地质体划分为内倾顺层构造带,陡倾切层构造带,溶蚀裂隙带等三大综合缺陷类型,并阐述了各类缺陷的性状及其对坝基完整性、均匀性、变形性等方面的控制作用,分析了其典型声波曲线的波速量值及衰减特征。由此,按"轻度"、"中等"、"强烈"三个等级,定性的分区评价了各部位缺陷对坝基岩体的影响程度。着重认为f2断层附近,规模较大、间距较小、波速值低(2500-3500m ·s^-1)的内倾顺层构造带,不仅控制着岩体的抗剪性能,而且对坝基变形分异和基地应力分布存在"强烈"影响,应对其进行单独处理。     

应用量子化学反应性指数评估化合物的亲核能力

评估化合物的亲核性能,对于设计化学反应的条件、研究反应机理、探讨药物与受体或酶作用靶点提供量子化学反应性参数,具有重要意义。本文在概念密度泛函理论的基础上,以得失电子前后化学势的变化,评估分子的反应性指数;用福井函数值,计算分子中各原子的反应性指数。选择脂肪胺、氨基酸和芳香胺三类胺及常用阴离子为研究对象,采用Gaussian软件分别对化合物分子及其失电子态进行结构优化和单点能计算。结果显示,建立的化学势变化值作为反应性指数的评估方法,与实验值基本吻合;所研究的几种有机分子的福井函数值与实际亲核能力基本一致。这表明可以采用得失电子前后的化学势变化值和福井函数值来预测分子和原子的亲核反应性。     

集成式光读出FPA红外成像系统设计

本文对读出原理、像差要求、图谱质量进行深入研究,进而对读出技术进行深度整合与简化,实现光读出FPA红外成像系统小型化、轻量化、集成化。首先,从FPA的热-机械效应出发,介绍了光读出FPA红外成像系统的工作原理;然后,针对通常采用的光读出FPA红外成像系统体积大、重量大、结构复杂缺陷,提出了高集成度的新型光读出系统;接着,在分析讨论读出光路像差容限、特点的基础上,对以异形棱镜为核心元件的光读出系统进行了具体的光学仿真设计;最后,设计了集光、机、电、软技术的集成式光读出FPA红外成像系统。对系统样机测试结果表明:在确保成像性能的前提下,光读出FPA红外成像系统的体积减小到175 mm×83 mm×105 mm。以异形棱镜为核心元件的光读出技术,在满足成像精度和灵敏度的前提下,可减小读出系统的复杂程度,有效降低了光读出FPA红外成像系统的体积和重量,从而促进光读出FPA成像系统的工业化应用。     

基于自适应遗传算法的改进PID参数优化

PID控制的控制性能取决于PID参数的设置,针对传统PID参数整定和优化过程中存在的问题进行了PID控制改进,提出了自适应遗传算法整定和优化PID参数的方法。改进PID控制将系统的综合性能控制区分为不同目标的局部性能控制,采用自适应遗传算法针对不同控制目标进行PID参数寻优,选择、交叉和变异概率的自适应改变在保持种群多样性的同时加快算法收敛。改进的PID控制和遗传算法有效提高了PID参数寻优能力,提高了控制系统的响应能力和稳定性。最后通过发动机怠速转速控制应用表明本算法的可行性和有效性。     

基于CCD成像的分光计演示实验设计与应用

分光计在大学物理实验中用来测三棱镜的顶角、折射率以及光波波长或者光栅常数等物理量,掌握和使用分光计是一个重要的实验技能,由于调节内容较多,快速调出反射镜两个面反射的十字像一直是分光计实验中的难点.本文就此设计了基于CCD成像的系统使反射的十字像能够成像在电脑显示器上,扩大视野,便于调整,在给学生讲解演示中效果好.     

2000 1/mm X射线镂空透射光栅的制备研究

在满足工艺要求的前提下,通过模拟光栅衍射,设计出镂空透射光栅模型,在此基础上将电子束和X射线光刻技术相结合,研究了制造2000 1/mm X射线镂空透射光栅的新工艺技术.首先利用电子束光刻和微电镀技术在镂空聚酰亚胺薄膜底衬上制备X射线母光栅掩模.然后利用X射线光刻和微电镀技术实现了光栅图形的复制,之后采用紫外光刻和微电镀技术制作加强筋结构,最后通过腐蚀体硅和等离子体刻蚀聚酰亚胺完成镂空透射光栅的制作.从此新的制造工艺结果上来看.制备的光栅栅线平滑,占空比合理,侧壁陡直,不同光栅之间一致性好,完全可以满足应用需求,充分表明了该制造技术是透射式X射线衍射光学元件制造的良好选择.     

Fabrication and Characterization of Si Nanocrystals Synthesized by Electron Beam Evaporation of Si and SiO2 Mixture

Silicon nanocrystals synthesized by electron beam （e-beam） evaporation of Si and SiO2 mixture are studied. Rutherford backscattering spectrometry of the as-deposited Si-rich silicon dioxide or oxide （SRO） thin film shows that after evaporation, the Si and SiO2 concentration is well kept, indicating that the e-beam evaporation is suitable for evaporating mixtures of Si and SiO2. The SRO thin films are annealed at different temperatures for two hours to synthesize silicon nanoerystals. For the sample annealed at 1050℃, silicon nanoerystals with different sizes and the mean diameter of 4.5 nm are evidently observed by high resolution transmission electron microscopy （HRTEM）. Then the Raman scattering and photoluminescence spectra arising from silicon nanocrystals are further confirmed the above results.     

γ radiation caused graphene defects and increased carrier density

We report on a micro-Raman investigation of inducing defects in mono-layer, bi-layer and tri-layer graphene by γ ray radiation. It is found that the radiation exposure results in two-dimensional (2D) and G band position evolution with the layer number increasing and D and D' bands rising, suggesting the presence of defects and related crystal lattice deformation in graphene. Bi-layer graphene is more stable than mono- and tri-layer graphene, indicating that the former is a better candidate in the application of radiation environments. Also, the DC electrical property of the mono-layer graphene device shows that the defects increase the carrier density.     

A simple and accurate method to measure program/erase speed in a memory capacitor structure

With the merits of simple process and short fabrication period, the capacitor structure provides a convenient way to evaluate memory characteristics of charge trap memory devices. However, the slow minority carrier generation in a capacitor often makes an underestimation of the program/erase speed. In this paper, illumination around a memory capacitor is proposed to enhance the generation of minority carriers so that an accurate measurement of the program/erase speed can be achieved. From the dependence of the inversion capacitance on frequency, a time constant is extracted to quantitatively characterize the formation of the inversion layer. Experimental results show that under a high enough illumination, this time constant is greatly reduced and the measured minority carrier related program/erase speed is in agreement with the reported value in a transistor structure.